【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路，例如涉及一种上电复位电路及芯片。
技术介绍
1、目前，芯片应用环境集成度的提高，电源干扰大，芯片上下电时的电源判断尤为重要。
2、相关技术公开了传统的一种常用上电复位电路，电源vcc通过电阻r1连接到多个串联高压管的栅极，电源vcc较低时，输出复位信号porh为低，复位整个电源系统，防止由于电源电压过低导致的电路不可控或错误状态；当电源vcc高到串联高压管的等效阈值时，复位信号porh放开对系统的复位，标志电源电压的正常状态。
3、在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
4、传统的上电复位电路存在随着温度和工艺角的变化，高压mos管的阈值变化较大，因此上电复位电路的复位阈值离散度也大的问题。阈值较低情况下，电源电压下电，上电复位电路复位前无法保证带隙基准电路的正常工作，系统可靠性不高。
5、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
2、本公开实施例提供一种上电复位电路及芯片，以降低温度和工艺角变化对上电复位电路的复位阈值离散度的影响，有效降低复位阈值离散度，简化结构、提升性能稳定性，具备比较收
3、在一些实施例中，所述上电复位电路，包括：检测分压电路，被配置为检测电源电压的分压；复位信号产生电路，与检测分压电路连接，包括高压晶体管电路和与高压晶体管电路连接的中压晶体管电路，被配置为在电源电压的分压大于复位阈值电压的情况下，复位信号产生电路翻转并输出初级上电复位信号；其中，复位阈值电压根据高压晶体管电路和中压晶体管电路共同确定；整形延时电路，与复位信号产生电路连接，被配置为对初级上电复位信号进行整形延时，并输出上电复位信号。
4、在一些实施例中，所述芯片，包括：芯片本体；所述的上电复位电路，包含芯片本体。
5、本公开实施例提供的上电复位电路及芯片，可以实现以下技术效果：
6、检测分压电路产生的分压信号输入包含高压晶体管电路和中压晶体管电路的复位信号产生电路，输出初级上电复位信号，若电源电压的分压大于由高压晶体管电路和中压晶体电路共同确定的复位阈值电压，则高压晶体管电路翻转并输出初级上电复位信号。中压晶体管电路的阈值随温度和工艺角变化小，因此有效降低了复位阈值离散度，实现电源上下电复位阈值的迟滞，提高上电复位电路的抗干扰性能。将复位信号产生电路输出的初级上电复位信号进行延时和整形后，向带隙基准电路输出最终上电复位信号。如此降低温度和工艺角变化对上电复位电路的复位阈值离散度的影响，有效降低复位阈值离散度，简化结构、提升性能稳定性，具备比较收敛的阈值，尤其能够保证在电源电压下电过程中，若电源异常掉电，系统内部上电复位电路未复位，可以控制系统复位，保护系统，防止不可控或错误状态，维护上电复位电路复位前带隙基准电路的正常工作，有效提高系统的可靠性和抗干扰性。
7、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，高压晶体管电路包括：
3.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，中压晶体管电路包括多个依次串接的中压MOS管，其中：
4.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，复位信号产生电路还包括：
5.根据权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，复位阈值迟滞电路包括：
6.根据权利要求1至5任一项所述的上电复位电路，其特征在于，整形延时电路包括：
7.根据权利要求6所述的上电复位电路，其特征在于，延时电路包括：
8.根据权利要求7所述的上电复位电路，其特征在于，晶体管延时电路，包括：
9.根据权利要求6所述的上电复位电路，其特征在于，
10.一种芯片，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，高压晶体管电路包括：
3.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，中压晶体管电路包括多个依次串接的中压mos管，其中：
4.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，复位信号产生电路还包括：
5.根据权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱永成，黄金煌，
申请(专利权)人：北京紫光青藤微系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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