一种声表面波谐振器及滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种声表面波谐振器及滤波器，该声表面波谐振器包括衬底；多个叉指电极组，位于衬底一侧，叉指电极组包括第一电极和第二电极，第一电极以及第二电极沿第一方向排列，且均沿第一方向延伸；沿第一方向，第一电极与第二电极之间包括间隙；多个负载结构组，位于衬底一侧且位于间隙内，负载结构组包括沿第一方向排列的第一负载结构以及第二负载结构，第一负载结构与第一电极接触，第二负载结构与第二电极接触；第一负载结构以及第二负载结构均包括沿第一方向排列的至少两个子负载结构；且同一负载结构中两个子负载结构和与子负载结构接触的电极，任意两者的密度不同。采用上述手段，通过设置负载结构组能够抑制横向模，提高谐振器的Q值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及谐振器，尤其涉及一种声表面波谐振器及滤波器。

技术介绍

1、随着通信技术的不断发展和应用，对射频元件的要求愈加严格，声表面波谐振器作为声表面波滤波器的重要组成部分，同样面临着严峻的挑战，声表面波滤波器需要具有快速滚降、低插入损耗和低衰减等特性以满足市场要求。

2、声表面波谐振器中存在的横向谐振模会对主模态产生干扰，导致通带内或带外存在毛刺，并且影响器件的q值。目前，抑制横向谐振模的常规方法是将叉指换能器的末端加厚或者加宽形成锤子结构，如此对横向谐振模的抑制效果有限，目前还可以通过倾斜电极的方式抑制横向谐振模，但是如此会降低谐振器的q值。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供了一种声表面波谐振器及滤波器，以实现抑制横向模，提高谐振器的q值。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种声表面波谐振器，包括：

3、衬底；

4、多个叉指电极组，位于所述衬底的一侧，所述叉指电极组包括第一电极和第二电极，所述第一电极以及所述第二电极沿第一方向排列，且均沿所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一负载结构包括第一子负载结构和第二子负载结构，所述第一子负载结构分别与所述第一电极以及所述第二子负载结构接触；所述第一子负载结构的密度小于所述第一电极的密度，所述第二子负载结构的密度大于所述第一电极的密度；

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一负载结构包括i个子负载结构；i≥3，且i为整数；

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，同一所述负载结构中的至少两个所述子负载结构在所述第一方向上的长度相同。

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【技术特征摘要】

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一负载结构包括第一子负载结构和第二子负载结构，所述第一子负载结构分别与所述第一电极以及所述第二子负载结构接触；所述第一子负载结构的密度小于所述第一电极的密度，所述第二子负载结构的密度大于所述第一电极的密度；

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一负载结构包括i个子负载结构；i≥3，且i为整数；

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，同一所述负载结构中的至少两个所述子负载结构在所述第一方向上的长度相同。

5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿第二方向，任意相邻两个所述第一电极之间的尺寸与任意相邻两个所述第二电极之间的尺寸相同且均为λ；所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底所在平面平行；

6.根据权利要求1所述的声表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玲琴，毕秀文，沃基·特梅斯根·贝利，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：