【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，尤其涉及一种异质结双极晶体管结构。
技术介绍
1、随着社会的发展以及现代通信对高频带下高性能和低成本的rf组件的需求，传统的硅材料器件无法满足这些性能上新的要求。由于异质结双极晶体管(hetero-junctionbipolar transistor，简称hbt)的高频性能大大优于硅双极晶体管，而与硅工艺的兼容性又使其具有硅的低价格，因此砷化镓技术获得了长足的进展，砷化镓hbt技术已成为rf集成电路市场的主流技术之一，并对现代通信技术的发展产生了深远的影响。
2、然而，异质结双极晶体管结构仍存在诸多问题。
技术实现思路
1、本技术解决的技术问题是提供一种异质结双极晶体管结构，提高器件的利用效率、减少寄生电容以及降低制作成本。
2、为解决上述问题，本技术提供一种异质结双极晶体管结构，包括：基底；位于所述基底上的集电层，所述集电层包括沿第一方向排布且邻接的边缘部、侧壁部和主体部，所述侧壁部位于所述边缘部和所述主体部之间，所述第一方向平行于所述基底表面；位于所述主体部上的基层；位于所述基层上的若干发射层，若干所述发射层沿第二方向平行排布，所述第二方向平行于所述基底表面，且所述第一方向与所述第二方向垂直；位于所述发射层上的发射电极；位于所述基层部分表面、所述发射层表面和所述发射电极部分表面的第一钝化层，所述第一钝化层暴露出所述发射电极的部分顶部表面、以及相邻所述发射层之间的所述基层的部分顶部表面；位于所述边缘部和所述侧壁部内的隔离区，所述隔离区内具
3、可选的，所述隔离区还位于部分所述主体部内。
4、可选的，所述发射电极采用单层金属结构或多层金属结构。
5、可选的，还包括：位于所述第一钝化层的表面、所述集电层的表面、所述基电极的部分表面、以及所述集电极的部分表面的第二钝化层，且所述第二钝化层暴露出所述基电极的所述端部的部分顶部表面、以及所述集电极的部分顶部表面。
6、可选的，还包括：互连金属层，所述互连金属层分别与暴露出的所述发射电极的表面、暴露出的所述基电极的所述端部的表面、以及暴露出的所述集电极的表面电连接。
7、可选的，所述互连金属层包括相互分立的第一互连部、第二互连部和第三互连部，所述第一互连部与暴露出的所述发射电极的表面电连接，所述第二互连部与暴露出的所述基电极的所述端部的表面电连接，所述第三互连部与暴露出的所述集电极的表面电连接。
8、可选的，所述集电层内掺杂有第一离子；所述基层内掺杂有第二离子，所述第一离子的电学类型和所述第二离子的电学类型不同，所述第二离子的掺杂浓度大于所述第一离子的掺杂浓度。
9、可选的，所述发射层内掺杂有第三离子，所述第三离子的电学类型与所述第二离子的电学类型不同，所述第三离子的电学类型与所述第一离子的电学类型相同，所述第三离子的掺杂浓度大于所述第一离子的掺杂浓度，且所述第三离子的掺杂浓度小于所述第二离子的掺杂浓度。
10、与现有技术相比，本技术的技术方案具有以下优点：
11、本技术的技术方案的异质结双极晶体管结构中，所述基电极的所述端部位于所述边缘部内的所述隔离区上，所述基层无需为所述基电极的所述端部提供放置位置，可以有效减小所述基层的面积，进而减小所述基层与所述集电层之间形成的pn结的面积，使得器件结构工作时，在所述基层和所述集电层之间形成的寄生电容减小，从而提高器件结构的射频增益和截止频率，提升器件结构的性能。由于所述基层中去除了为所述基电极的所述端部提供放置且不能够贡献电流的部分，能够有效提升器件结构的利用效率。
12、另外，所述隔离区不但可以有效防止器件结构与其他区域的器件结构之间发生电性串接，而且还能够用于器件结构自身中的所述基电极的所述连接部和所述端部分别与所述集电层之间的电性隔离，避免额外形成用于电性隔离的绝缘层，使得器件结构更加简洁，有效降低制作成本。
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1.一种异质结双极晶体管结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述隔离区还位于部分所述主体部内。
3.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述发射电极采用单层金属结构或多层金属结构。
4.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，还包括：位于所述第一钝化层的表面、所述集电层的表面、所述基电极的部分表面、以及所述集电极的部分表面的第二钝化层，且所述第二钝化层暴露出所述基电极的所述端部的部分顶部表面、以及所述集电极的部分顶部表面。
5.如权利要求4所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，还包括：互连金属层，所述互连金属层分别与暴露出的所述发射电极的表面、暴露出的所述基电极的所述端部的表面、以及暴露出的所述集电极的表面电连接。
6.如权利要求5所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述互连金属层包括相互分立的第一互连部、第二互连部和第三互连部，所述第一互连部与暴露出的所述发射电极的表面电连接，所述第二互连部与暴露出的所述基电极的所述端部的表面电连接，所述第三互连部与
7.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述集电层内掺杂有第一离子；所述基层内掺杂有第二离子，所述第一离子的电学类型和所述第二离子的电学类型不同，所述第二离子的掺杂浓度大于所述第一离子的掺杂浓度。
8.如权利要求7所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述发射层内掺杂有第三离子，所述第三离子的电学类型与所述第二离子的电学类型不同，所述第三离子的电学类型与所述第一离子的电学类型相同，所述第三离子的掺杂浓度大于所述第一离子的掺杂浓度，且所述第三离子的掺杂浓度小于所述第二离子的掺杂浓度。
...【技术特征摘要】
1.一种异质结双极晶体管结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述隔离区还位于部分所述主体部内。
3.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述发射电极采用单层金属结构或多层金属结构。
4.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，还包括：位于所述第一钝化层的表面、所述集电层的表面、所述基电极的部分表面、以及所述集电极的部分表面的第二钝化层，且所述第二钝化层暴露出所述基电极的所述端部的部分顶部表面、以及所述集电极的部分顶部表面。
5.如权利要求4所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，还包括：互连金属层，所述互连金属层分别与暴露出的所述发射电极的表面、暴露出的所述基电极的所述端部的表面、以及暴露出的所述集电极的表面电连接。
6.如权利要求5所述异质...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹道华，高谷信一郎，刘昱玮，陈俊奇，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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