【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、压电声表面波（saw）滤波器广泛应用于手机、基站等无线通信设备的射频（radiofrequency，rf）前端芯片中。其利用在压电层表面铺一层金属电极，激发声表面波从而实现声-电转换并对信号进行过滤。saw谐振器（saw resonator）是saw滤波器的基本组成单元，将同一压电层上不同的saw谐振器通过金属走线连接，构成saw滤波器的主要部分。
2、通信频段的增多以及通信设备的小型化要求saw滤波器向更小尺寸发展，有限的空间给谐振器造成拥挤。声表面波是一种在固体表面传播的弹性波，当两个saw谐振器间距较近（d≤30um,d为间距）且波长接近（|λ1-λ2|≤0.05um，λ为波长）时，它们在基底表面激发的声表面波会互相干扰从而降低滤波器的整体性能。
3、所以当相邻两个saw谐振器间距较近时，如何减少甚至消除它们在基底表面激发的声表面波互相干扰的现象，保证滤波器的整体性能，这是目前急需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及形成方法，避免相邻两个谐振器表面激发的声表面波相互干扰的现象，提升滤波器的整体性能。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构，包括：压电层；位于所述压电层上的两个叉指换能器； 位于两个所述叉指换能器之间的多个反射结构，其中，所述反射结构的形状、所述反射结构的尺寸及多个所述反射结构的排布三项中至少有两项
3、可选的，所述反射结构在所述压电层表面投影的形状为非规则形状。
4、可选的，所述反射结构包括沿着第一方向设置的多个第一反射部，所述第一反射部在所述压电层表面投影的形状包括梯形、三角形和弧形中的一种或者多种组合，所述第一方向平行所述压电层表面。
5、可选的，所述第一反射部凸起于所述反射结构侧表面。
6、可选的，所述第一反射部凹陷于所述反射结构侧表面。
7、可选的，多个所述第一反射部以所述反射结构的中轴呈对称分布，所述反射结构的中轴与所述第一方向平行。
8、可选的，多个所述第一反射部以所述反射结构的中轴呈非对称分布，所述反射结构的中轴与所述第一方向平行。
9、可选的，多个所述第一反射部在所述第一方向上的间距相同。
10、可选的，多个所述第一反射部在所述第一方向上的间距不相同。
11、可选的，多个所述第一反射部的尺寸相同。
12、可选的，多个所述第一反射部的尺寸不相同且不规则。
13、可选的，多个所述反射结构的尺寸是相同的。
14、可选的，多个所述反射结构的尺寸是不同的且不规则的。
15、可选的，多个所述反射结构沿第二方向错位放置，其中，所述第二方向平行于所述压电层表面，所述第二方向与所述第一方向垂直。
16、可选的，多个所述反射结构沿所述第一方向的间距是相同的。
17、可选的，多个所述反射结构沿所述第一方向的间距是不同的。
18、可选的，多个所述反射结构沿所述第二方向的间距是相同的。
19、可选的，多个所述反射结构沿所述第二方向的间距是不同的。
20、可选的，当所述反射结构在所述压电层表面投影的形状为规则形状，所述反射结构的形状包括圆形和多边形中的一种或者组合。
21、可选的，多个所述反射结构的尺寸是不同的且不规则的。
22、可选的，多个所述反射结构沿第三方向的间距不同，所述第三方向平行于所述压电层表面。
23、可选的，多个所述反射结构沿第四方向的间距不同，所述第四方向平行于所述压电层表面，所述第四方向与所述第三方向垂直。
24、针对上述半导体结构，本专利技术还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供压电层；在所述压电层表面形成两个叉指换能器；在两个所述叉指换能器之间的所述压电层表面形成多个反射结构，其中，所述反射结构的形状、所述反射结构的尺寸及多个所述反射结构的排布三项中至少有两项是不规则的。
25、可选的，所述反射结构在所述压电层表面投影的形状为非规则形状。
26、可选的，所述反射结构包括沿着第一方向设置的多个第一反射部，所述第一反射部在所述压电层表面投影的形状包括梯形、三角形和弧形中的一种或者多种组合，所述第一方向平行所述压电层表面。
27、可选的，多个所述反射结构的尺寸是相同的。
28、可选的，多个所述反射结构的尺寸是不同的且不规则的。
29、可选的，多个所述反射结构沿第二方向错位放置，其中，所述第二方向平行于所述压电层表面，所述第二方向与所述第一方向垂直。
30、可选的，当所述反射结构在所述压电层表面投影的形状为规则形状，所述反射结构的形状包括圆形和多边形中的一种或者组合。
31、可选的，多个所述反射结构的尺寸是不同的且不规则的。
32、可选的，多个所述反射结构沿第三方向的间距不同，所述第三方向平行于所述压电层表面。
33、可选的，多个所述反射结构沿第四方向的间距不同，所述第四方向平行于所述压电层表面，所述第四方向与所述第三方向垂直。
34、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
35、在本专利技术的半导体结构的方案中，两个谐振器之间具有多个反射结构，其中，所述反射结构的形状、所述反射结构的尺寸及多个所述反射结构的排布三项中至少有两项是不规则的，提升声表面波在反射结构处的散射程度，使反射的声表面波具有更多不同的反射角，从而降低反射声表面波叠加的概率，提升反射声表面波发生相互抵消的概率，以达到降低叉指换能器之间互相干扰并且降低反射声表面波对叉指换能器影响的效果，提升形成的半导体结构的整体性能。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述反射结构在所述压电层表面投影的形状为非规则形状。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述反射结构包括沿着第一方向设置的多个第一反射部，所述第一反射部在所述压电层表面投影的形状包括梯形、三角形和弧形中的一种或者多种组合，所述第一方向平行所述压电层表面。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一反射部凸起于所述反射结构侧表面。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一反射部凹陷于所述反射结构侧表面。
6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部以所述反射结构的中轴呈对称分布，所述反射结构的中轴与所述第一方向平行。
7.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部以所述反射结构的中轴呈非对称分布，所述反射结构的中轴与所述第一方向平行。
8.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部在所述第一方向上的间距相同。
10.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部的尺寸相同。
11.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部的尺寸不相同且不规则。
12.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构的尺寸是相同的。
13.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构的尺寸是不同的且不规则的。
14.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿第二方向错位放置，其中，所述第二方向平行于所述压电层表面，所述第二方向与所述第一方向垂直。
15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿所述第一方向的间距是相同的。
16.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿所述第一方向的间距是不同的。
17.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿所述第二方向的间距是相同的。
18.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿所述第二方向的间距是不同的。
19.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，当所述反射结构在所述压电层表面投影的形状为规则形状，所述反射结构的形状包括圆形和多边形中的一种或者组合。
20.如权利要求19所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构的尺寸是不同的且不规则的。
21.如权利要求19所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿第三方向的间距不同，所述第三方向平行于所述压电层表面。
22.如权利要求21所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿第四方向的间距不同，所述第四方向平行于所述压电层表面，所述第四方向与所述第三方向垂直。
23.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
24.如权利要求23所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述反射结构在所述压电层表面投影的形状为非规则形状。
25.如权利要求24所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述反射结构包括沿着第一方向设置的多个第一反射部，所述第一反射部在所述压电层表面投影的形状包括梯形、三角形和弧形中的一种或者多种组合，所述第一方向平行所述压电层表面。
26.如权利要求24所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述反射结构的尺寸是相同的。
27.如权利要求24所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述反射结构的尺寸是不同的且不规则的。
28.如权利要求25所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述反射结构沿第二方向错位放置，其中，所述第二方向平行于所述压电层表面，所述第二方向与所述第一方向垂直。
29.如权利要求23所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述反射结构在所述压电层表面投影的形状为规则形状，所述反射结构的形状包括圆形和多边形中的一种或者组合。
30.如权利要求29所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述反射结构的尺寸是不同的且不规则的。
31.如权利要求29所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述反射结构沿第三方向的间距不同，所述第三方向平行于所述压电层表面。
32.如权利要求31所述的半导体结构的形...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述反射结构在所述压电层表面投影的形状为非规则形状。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述反射结构包括沿着第一方向设置的多个第一反射部，所述第一反射部在所述压电层表面投影的形状包括梯形、三角形和弧形中的一种或者多种组合，所述第一方向平行所述压电层表面。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一反射部凸起于所述反射结构侧表面。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一反射部凹陷于所述反射结构侧表面。
6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部以所述反射结构的中轴呈对称分布，所述反射结构的中轴与所述第一方向平行。
7.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部以所述反射结构的中轴呈非对称分布，所述反射结构的中轴与所述第一方向平行。
8.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部在所述第一方向上的间距相同。
9.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部在所述第一方向上的间距不相同。
10.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部的尺寸相同。
11.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一反射部的尺寸不相同且不规则。
12.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构的尺寸是相同的。
13.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构的尺寸是不同的且不规则的。
14.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿第二方向错位放置，其中，所述第二方向平行于所述压电层表面，所述第二方向与所述第一方向垂直。
15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿所述第一方向的间距是相同的。
16.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿所述第一方向的间距是不同的。
17.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构沿所述第二方向的间距是相同的。
18.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，多个所述反射结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴冉冉，杨新宇，邹雅丽，邵晓斐，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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