【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于运行电驱动装置的方法，其中，驱动装置具有至少一个电机和配属于该电机的功率电子器件，其中，功率电子器件具有中间电路电容器和至少一个半桥，该半桥具有至少一个第一半导体开关和第二半导体开关，其中，至少第一半导体开关分配有去饱和保护电路，其中，去饱和保护电路的去饱和接头与第一半导体开关的阳极电连接，在存在放电预设的情况下设定放电模式，该放电模式用于对中间电路电容器进行放电，并且其中，在放电模式中将第一半导体开关切换成导通并且将第二半导体开关交替地切换成导通和不导通。此外，本专利技术涉及一种用于运行电机的设备。此外，本专利技术涉及一种电驱动装置。
技术介绍
1、开头所提及的类型的方法和电驱动装置由现有技术已知。电驱动装置典型地具有至少一个电机和配属于该电机的功率电子器件。功率电子器件在此通常具有中间电路电容器和至少一个半桥，该半桥具有至少一个第一半导体开关和第二半导体开关。由现有技术已知的是，在存在放电预设的情况下设定放电模式，该放电模式用于对中间电路电容器进行放电，其中，在放电模式中将第一半导体开关切换成导通并且将第二半导体开关交替地切换成导通和不导通。于是在放电模式中，仅第一半导体开关导通所在的时间间隔与不仅第一半导体开关而且第二半导体开关也导通所在的时间间隔进行交替。由此在放电模式中实现了对中间电路电容器的快速放电。
2、此外，由现有技术已知的是，通过所谓的去饱和保护电路来对半导体开关进行监测。去饱和保护电路是下述保护电路，该保护电路构造用于，将在半导体开关的阳极-阴极-路径上的电压升高解释为过载电
技术实现思路
1、具有权利要求1的特征的按照本专利技术的方法具有的优点是，在放电模式中阻止不希望地中止中间电路电容器的放电。按照本专利技术为此设置了，将去饱和接头在放电模式中与第一半导体开关的阴极电连接，以便阻止触发去饱和保护电路。在放电模式中为了对中间电路电容器进行放电，高的负载电流流动通过第一半导体开关的负载路径。这原则上会导致触发配属于第一半导体开关的去饱和保护电路。如开头已经提到的那样，触发去饱和保护电路会导致将半导体开关切换成不导通。在第一半导体开关的情况下这将意味着，由于触发去饱和保护电路而会中断中间电路电容器的放电。这种中断在放电模式中是不希望的。按照本专利技术，通过将去饱和接头与阴极电连接来阻止触发去饱和保护电路。通过将去饱和接头与阴极连接阻止了去饱和接头的电位与参考电位之间的电压超过阈值。在此，“去饱和接头与阴极之间的电连接”应该理解为在绕过第一半导体开关的半导体元件的情况下的连接。优选第一和第二半导体开关分别构造为绝缘栅极双极晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅半导体开关、氮化镓半导体开关或双极半导体开关。优选第一半导体开关是半桥的低侧开关。第二半导体开关则是半桥的高侧开关。对此替代地，第一半导体开关优选是半桥的高侧开关，其中，第二半导体开关则是半桥的低侧开关。优选功率电子器件除了具有第一和第二半导体开关的半桥外还具有带有两个半导体开关的至少一个另外的半桥。优选一个或多个另外的半桥的半导体开关在放电模式中被切换成不导通，从而在放电模式中仅通过具有第一和第二半导体开关的半桥来对中间电路电容器进行放电。对此替代地，优选在放电模式中类似于第一和第二半导体开关来切换至少一个另外的半桥的半导体开关。而后于是在放电模式中通过半桥和至少一个另外的半桥来对中间电路电容器进行放电。优选去饱和接头直接伴随着设定放电模式而与阴极电连接。
2、按照一种优选的实施方式设置了，在功能故障方面监测驱动装置，并且在检测到功能故障的情况下提供放电预设。在驱动装置的功能故障的情况下通常希望中间电路电容器的快速放电。优选在功能故障方面监测电机和/或功率电子器件。
3、按照一种优选的实施方式设置了，去饱和保护电路具有带有切换元件的电线路，其中，线路一方面与去饱和接头并且另一方面与阴极电连接，并且其中，去饱和接头在放电模式中通过切换元件的切换成导通来与阴极电连接。于是除了第一和第二半导体开关外还设置了切换元件，并且去饱和接头通过切换元件的切换成导通来与阴极电连接。优选切换元件构造为金属氧化物半导体场效应晶体管。
4、优选切换元件仅在放电模式中切换成导通。在放电模式之外切换元件对应地不导通或者说未激活，从而切换元件在放电模式之外不承担功能。
5、按照一种优选的实施方式设置了，第二半导体开关分配有另外的去饱和保护电路，并且在放电模式中仅阻止触发配属于第一半导体开关的去饱和保护电路。第一和第二半导体开关于是分配有分别另外的去饱和保护电路。在配属于第二半导体开关的另外的去饱和保护电路方面，在放电模式中典型地不会期待不希望的触发。因此在放电模式中不需要阻止另外的去饱和保护电路。更确切地说希望的是，另外的去饱和保护电路也在放电模式中监测第二半导体开关。
6、用于运行电机的按照本专利技术的设备具有功率电子器件和控制装置，该功率电子器件具有中间电路电容器和至少一个半桥，该半桥具有至少一个第一半导体开关和第二半导体开关，该控制装置构造用于，在存在放电预设的情况下设定放电模式，该放电模式用于对中间电路电容器进行放电，其中，控制装置在放电模式中将第一半导体开关切换成导通并且将第二半导体开关交替地切换成导通和不导通，其中，至少第一半导体开关分配有去饱和保护电路，并且其中，去饱和保护电路的去饱和接头与第一半导体开关的阳极电连接。该设备就权利要求6的特征而言突出之处在于，控制装置构造用于，将去饱和接头在放电模式中与第一半导体开关的阴极电连接，以便阻止触发去饱和保护电路。由此也得到已经所提及的优点。另外的优选的特征和特征组合由说明书以及由权利要求书得到。优选第一和第二半导体开关分别构造为绝缘栅极双极晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅半导体开关、氮化镓半导体开关或双极半导体开关。优选控制装置构造用于，在功能故障方面监测机器和/或功率电子器件并且在检测到功能故障的情况下提供放电预设。
7、按照一种优选的实施方式设置了，去饱和保护电路具有带有切换元件的线路，其中，线路一方面与去饱和接头并且另一方面与第一半导体开关的阴极电连接，并且其中，控制装置构造用于，将去饱和接头通过切换元件的切换成导通来与阴极电连接。
8、于是除了第一和第二半导体开关外还设置有切换元件，并且去饱和接头通过切换元件的切换成导通来与阴极电连接。优选切换元件构造为场效应晶体管、特别优选构造为金属氧化物半导体场效应晶体管。
9、按照一种优选的实施方式设置了，去饱和接头通过去饱和线路来与第一半导体开关的阳极电连接，其中，去饱和线路具有二极本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.用于运行电驱动装置的方法，其中，所述驱动装置(1)具有至少一个电机(2)和配属于所述电机(2)的功率电子器件(7)，其中，所述功率电子器件(7)具有中间电路电容器(8)和至少一个半桥(10)，该半桥具有至少一个第一半导体开关(13B)和第二半导体开关(12B)，其中，至少第一半导体开关(13B)分配有去饱和保护电路(15)，其中，所述去饱和保护电路(15)的去饱和接头(21)与所述第一半导体开关(13B)的阳极(19)电连接，其中，在存在放电预设的情况下设定放电模式，该放电模式用于对所述中间电路电容器(8)进行放电，并且其中，在所述放电模式中将所述第一半导体开关(13B)切换成导通并且将第二半导体开关(12B)交替地切换成导通和不导通，
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在功能故障方面监测所述驱动装置(1)，并且在检测到功能故障的情况下提供所述放电预设。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述功率电子器件(7)具有带有切换元件(38)的电线路(37)，其中，所述线路(37)一方面与所述去饱和接头(21)并且另一方面与所述阴极(
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述切换元件(38)仅在所述放电模式中被切换成导通。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二半导体开关(12B)分配有另外的去饱和保护电路，并且在放电模式中仅阻止了触发配属于所述第一半导体开关(13B)的去饱和保护电路(15)。
6.用于运行电机的设备，该设备具有功率电子器件(7)并且具有控制装置(14)，该功率电子器件具有中间电路电容器(8)和至少一个半桥(10)，该半桥具有至少一个第一半导体开关(13B)和第二半导体开关(12B)，该控制装置构造用于，在存在放电预设的情况下设定放电模式，该放电模式用于对所述中间电路电容器(8)进行放电，其中，所述控制装置(14)在放电模式中将所述第一半导体开关(13B)切换成导通并且将所述第二半导体开关(12B)交替地切换成导通和不导通，其中，至少第一半导体开关(13B)分配有去饱和保护电路(15)，并且其中，所述去饱和保护电路(15)的去饱和接头(21)与所述第一半导体开关(13B)的阳极(19)电连接，
7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述功率电子器件(7)具有带有切换元件(38)的线路(37)，其中，所述线路(37)一方面与所述去饱和接头(21)并且另一方面与所述阴极(16)电连接，并且其中，所述控制装置(14)构造用于，通过所述切换元件(38)的切换成导通将所述去饱和接头(21)与所述阴极(16)电连接。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的设备，其特征在于，所述去饱和接头(21)通过去饱和线路(20)来与所述第一半导体开关(13B)的阳极(19)电连接，其中，所述去饱和线路(20)具有二极管(22)，该二极管朝所述阳极(19)方向导通，并且其中，所述线路(37)在所述去饱和接头(21)与所述二极管(22)之间与所述去饱和线路(20)电连接。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的设备，其特征在于检验单元(40)，该检验单元构造用于，一方面根据用于所述切换元件(38)的操控信号、并且另一方面根据所述切换元件(38)的所求取的实际状态来检验所述切换元件(38)是否具有功能故障。
10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述线路(37)具有与所述切换元件(38)串联联接的电阻元件(39)，并且所述检验单元(40)构造用于，监测所述线路(37)的在所述切换元件(38)与所述电阻元件(39)之间的电位，并且根据所述线路(37)的电位来求取所述切换元件(38)的实际状态。
11.根据权利要求9和10中任一项所述的设备，其特征在于，所述检验单元(40)具有异或门。
12.根据权利要求5至11中任一项所述的设备，其特征在于，所述第一半导体开关(13B)是所述半桥(10)的低侧开关(13B)，或者所述第一半导体开关(12B)是所述半桥(10)的高侧开关(12B)。
13.电驱动装置，其具有至少一个电机(2)以及用于运行所述电机(2)的根据权利要求5至12中任一项所述的设备(50)。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.用于运行电驱动装置的方法，其中，所述驱动装置(1)具有至少一个电机(2)和配属于所述电机(2)的功率电子器件(7)，其中，所述功率电子器件(7)具有中间电路电容器(8)和至少一个半桥(10)，该半桥具有至少一个第一半导体开关(13b)和第二半导体开关(12b)，其中，至少第一半导体开关(13b)分配有去饱和保护电路(15)，其中，所述去饱和保护电路(15)的去饱和接头(21)与所述第一半导体开关(13b)的阳极(19)电连接，其中，在存在放电预设的情况下设定放电模式，该放电模式用于对所述中间电路电容器(8)进行放电，并且其中，在所述放电模式中将所述第一半导体开关(13b)切换成导通并且将第二半导体开关(12b)交替地切换成导通和不导通，
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在功能故障方面监测所述驱动装置(1)，并且在检测到功能故障的情况下提供所述放电预设。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述功率电子器件(7)具有带有切换元件(38)的电线路(37)，其中，所述线路(37)一方面与所述去饱和接头(21)并且另一方面与所述阴极(16)电连接，并且其中，所述去饱和接头(21)在所述放电模式中通过所述切换元件(38)的切换成导通来与所述阴极(16)电连接。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述切换元件(38)仅在所述放电模式中被切换成导通。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二半导体开关(12b)分配有另外的去饱和保护电路，并且在放电模式中仅阻止了触发配属于所述第一半导体开关(13b)的去饱和保护电路(15)。
6.用于运行电机的设备，该设备具有功率电子器件(7)并且具有控制装置(14)，该功率电子器件具有中间电路电容器(8)和至少一个半桥(10)，该半桥具有至少一个第一半导体开关(13b)和第二半导体开关(12b)，该控制装置构造用于，在存在放电预设的情况下设定放电模式，该放电模式用于对所述中间电路电容器(8)进行放电，其中，所述控制装置(14)在放电模式中将所述第一半导体开关(13b)切换成导通并且将所述第二半导体开关(12b)交替地...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·辛，Y·Y·科哈塔卡，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：
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