下载半导体结构及其形成方法的技术资料

文档序号:40434942

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中半导体结构包括:压电层;位于所述压电层上的两个叉指换能器;位于两个所述叉指换能器之间的多个反射结构,其中,所述反射结构的形状、所述反射结构的尺寸及多个所述反射结构的排布三项中至少有两项是不规则的;从...
该专利属于常州承芯半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州承芯半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。