【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种声表面波谐振装置及其形成方法、声表面波滤波装置。
技术介绍
1、无线通信设备的射频(radio frequency，rf)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(surfaceacoustic wave，saw)滤波器、压电体声波(bulk acoustic wave，baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)滤波器、集成无源装置(integrated passivedevices，ipd)滤波器等。
2、saw谐振器(saw resonator)是saw滤波器的基本组成单元。现有的saw谐振器压电声表面波谐振器的结构包括压电层以及位于压电层表面的叉指电极。然而，在目前技术中，saw谐振器压电声表面波谐振器的性能还有待改善。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种声表面波谐振装置及其形成方法，以提升声表面波谐振装置的性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种声表面波谐振装置，包括：衬底；位于所述衬底表面的若干分立的叉指电极结构，所述叉指电极结构包括：位于衬底表面的种子层，所述种子层的晶格常数大于所述衬底的晶格常数；位于所述种子层表面的电极层，所述电极层的晶格常数与所述种子层的晶格常数的差值绝对值在预设范围内。
3、可选的，所述种子层的材料包括金属，所述金属包括钛
4、可选的，所述电极层的材料包括金属，所述金属包括铝或铝合金。
5、可选的，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括30°至50°yx-litao3。
6、可选的，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括110°至130°yx-linbo3。
7、可选的，还包括：位于衬底上的温度补偿层，所述叉指电极结构位于所述温度补偿层内；位于所述温度补偿层上的调频层。
8、可选的，所述电极层的晶格常数与所述种子层的晶格常数的差值绝对值的预设范围为0.02纳米至0.025。
9、可选的，所述种子层的厚度小于所述电极层的厚度。
10、可选的，所述种子层的厚度范围为10埃至150埃；所述电极层的厚度范围为1500埃至5000埃。
11、相应地，本专利技术技术方案还提供一种声表面波谐振装置的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成若干分立的叉指电极结构，所述叉指电极结构包括：位于衬底表面的种子层，所述种子层的晶格常数大于所述衬底的晶格常数；位于所述种子层表面的电极层，所述电极层的晶格常数与所述种子层的晶格常数的差值绝对值在预设范围内。
12、可选的，所述叉指电极结构的形成方法包括：在所述衬底表面形成初始种子层；在所述初始种子层表面形成电极材料层；刻蚀所述电极材料层以及初始种子层，形成电极层以及种子层。
13、可选的，所述初始种子层的形成工艺包括物理气相沉积工艺；所述物理气相沉积工艺的参数为：包含种子层材料的靶材，气体为氩气，压强范围为大于4e-3帕，功率范围为3.2千瓦至3.5千瓦，气流量范围为30sccm至35sccm。
14、可选的，所述电极材料层的形成工艺包括物理气相沉积工艺；所述物理气相沉积工艺的参数为：包含电极层材料的靶材，气体为氩气，压强范围为大于4e-3帕，功率范围为4千瓦至5千瓦，气流量范围为30sccm至35sccm。
15、可选的，还包括：在衬底上形成温度补偿层，所述叉指电极结构位于所述温度补偿层内；在所述温度补偿层上形成调频层。
16、相应地，本专利技术技术方案还提供一种声表面波滤波装置，包括：多个所述声表面波谐振装置。
17、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
18、本专利技术的声表面波谐振装置，所述叉指电极结构包括位于衬底表面的种子层和位于所述种子层表面的电极层，种子层的晶格常数大于衬底的晶格常数，电极层的晶格常数与种子层的晶格常数的差值在预设范围内，从而电极层与种子层能够晶格匹配，在种子层上形成的电极层能够获得较大的晶粒尺寸，从而能够优化电极层的半峰宽、提高电极功率耐受性、降低叉指电极结构的电阻值、提升叉指电极结构的可靠性。
19、进一步，初始种子层和电极材料层的材料包括金属，所述初始种子层的形成工艺包括物理气相沉积工艺，所述电极材料层的形成工艺包括物理气相沉积工艺，物理气相沉积工艺形成的初始种子层和电极材料层具有晶向，并且膜厚均匀性较好、膜层致密性较好。
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1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述种子层的材料包括金属，所述金属包括钛。
3.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极层的材料包括金属，所述金属包括铝或铝合金。
4.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括30°至50°YX-LiTaO3。
5.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括110°至130°YX-LiNbO3。
6.如权利要求5所述的声表面波谐振装置，其特征在于，还包括：位于衬底上的温度补偿层，所述叉指电极结构位于所述温度补偿层内；位于所述温度补偿层上的调频层。
7.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极层的晶格常数与所述种子层的晶格常数的差值绝对值的预设范围为0.02纳米至0.025纳米。
8.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述种子层的厚度小于所述电极层的厚度。<...
【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述种子层的材料包括金属，所述金属包括钛。
3.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极层的材料包括金属，所述金属包括铝或铝合金。
4.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括30°至50°yx-litao3。
5.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括110°至130°yx-linbo3。
6.如权利要求5所述的声表面波谐振装置，其特征在于，还包括：位于衬底上的温度补偿层，所述叉指电极结构位于所述温度补偿层内；位于所述温度补偿层上的调频层。
7.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述电极层的晶格常数与所述种子层的晶格常数的差值绝对值的预设范围为0.02纳米至0.025纳米。
8.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述种子层的厚度小于所述电极层的厚度。
9.如权利要求8所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述种子层的厚度范围为10...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘广纯，黄烜，郭勇，金建，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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