【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器和体声波滤波器
[0001]本申请涉及滤波器
,具体而言,涉及一种体声波谐振器和体声波滤波器。
技术介绍
[0002]随着无线通信的迅猛发展,无线信号变得越来越拥挤,对工作在射频频段的滤波器提出了集成化、微型化、低功耗、高性能、低成本等新的要求。传统的声表面波滤波器因为频率及承受功率等的限制,将越来越无法达到这样的标准。薄膜体声波谐振器(FBAR)由于具有CMOS工艺兼容、高品质因数(Q值)、低损耗、低温度系数、高的功率承载能力的特性逐渐成为射频滤波器研究的热点。
[0003]Q值是衡量谐振器性能的一项重要指标,谐振器Q值的降低会直接影响滤波器的带内插损和滚降特性,从而影响滤波器的滤波性能。因此,目前如何抑制横向驻波,使得体声波谐振器Q值升高,成为目前亟待解决的技术问题。
[0004]在现有的体声波谐振器结构中,有效工作区域通常采用多边形或者直边和曲边结合的不规则形状设计,但是由于直边的设置会增加体声波谐振器横向驻波被激发的概率,从而影响器件性能。
技术实现思路
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器,其特征在于,包括:衬底,在所述衬底上依次层叠设置的声反射结构、底电极、压电层和顶电极,所述顶电极、所述压电层、所述底电极和所述声反射结构在所述衬底的正投影具有交叠区域,所述交叠区域为非对称区域,所述交叠区域的轮廓由第一曲线和第二曲线首尾相接形成,所述第一曲线和所述第二曲线的形状不同。2.如权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述第一曲线和所述第二曲线的两个连接点可界定出第一直线,所述第一曲线在所述第一直线的正投影位于所述两个连接点之间,所述第二曲线在所述第一直线的正投影位于所述两个连接点之间。3.如权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述第一曲线的波峰至所述第一直线的距离与所述两个连接点之间的距离比值大于0.5且小于1.5。4.如权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述第二曲线的波峰至所述第一直线的距离与所述两个连接点之间的...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘炎,邹杨,孙博文,孙成亮,
申请(专利权)人:武汉敏声新技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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