体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置制造方法及图纸

本实施提供一种体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置，体声波谐振装置包括：包括空腔的第一层；第一电极层，至少一端位于空腔；压电层，位于第一电极层上，覆盖空腔，包括第一侧及相对的第二侧，第一电极层位于第一侧；第二电极层，位于第二侧，位于压电层上，第二电极层上的与第一电极层的重合部位于空腔上方，对应空腔；第一复合结构，位于第一侧，接触压电层，与第一电极层水平方向上相邻，第一复合结构靠近第一电极层的第一端位于空腔内，远离第一电极层的第一端水平方向上相对的第二端嵌入第一层，包括第一边缘延伸层及第一支撑层，第一支撑层位于压电层与第一边缘延伸层之间，用于降低边缘容抗，提升机电耦合系数及阻隔漏波，提高Q值。提高Q值。提高Q值。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，本专利技术涉及一种体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置。

技术介绍

[0002]无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated Passive Devices，IPD)滤波器等。
[0003]SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器和BAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：第一层，所述第一层包括空腔；第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内；压电层，位于所述第一电极层上，覆盖所述空腔，所述压电层包括第一侧及与所述第一侧垂直方向上相对的第二侧，所述第一电极层位于所述第一侧；第二电极层，位于所述第二侧，位于所述压电层上，所述第二电极层上的与所述第一电极层的重合部位于所述空腔上方，对应所述空腔；以及第一复合结构，位于所述第一侧，接触所述压电层，与所述第一电极层水平方向上相邻，所述第一复合结构靠近所述第一电极层的第一端位于所述空腔内，所述第一复合结构远离所述第一电极层的所述第一端水平方向上相对的第二端嵌入所述第一层，所述第一复合结构包括第一边缘延伸层及第一支撑层，所述第一支撑层位于所述压电层与所述第一边缘延伸层之间，用于降低边缘容抗。2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘延伸层的材料包括金属。3.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一支撑层的介质包括以下之一：非金属材料、空气、真空。4.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层呈多边形，所述第一复合结构与所述第一电极层的至少一边相邻。5.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：第一边缘结构，位于所述第一侧，接触所述压电层，所述第一边缘结构包括第三侧和所述第三侧水平方向上相对的第四侧，所述第一电极层位于所述第三侧，所述第一复合结构位于所述第四侧。6.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘结构至少部分包围所述第一电极层。7.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一边缘结构的内侧，所述第一复合结构位于所述第一边缘结构的外侧。8.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘结构包括第一边缘围边层，所述第一边缘围边层的材料包括金属，所述第一边缘围边层连接所述第一电极层，所述第一边缘围边层还连接所述第一边缘延伸层。9.如权利要求8所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘结构还包括第一边缘支撑层，接触所述压电层，所述第一边缘支撑层位于所述压电层与所述第一边缘围边层之间，用于降低引入所述第一边缘围边层产生的寄生谐振的谐振频率。10.如权利要求9所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘支撑层的介质包括以下之一：非金属材料、空气、真空。11.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘结构与第二电极层具有第一重合部。12.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一复合结构与所述第二电极层具有第二重合部，所述第二重合部的宽度等于所述第一边缘结构的宽度。13.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘结构呈多边形，所述第一复合结构与所述第一边缘结构的至少一边相邻。
14.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一复合结构还包括第一边缘部，所述第一边缘部包括第五侧和所述第五侧水平方向上相对的第六侧，所述第一电极层位于所述第五侧，所述第一边缘延伸层及所述第一支撑层位于所述第六侧。15.如权利要求14所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘部的厚度等于所述第一边缘延伸层和所述第一支撑层的厚度之和。16.如权利要求14所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘部至少部分包围所述第一电极层。17.如权利要求14所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一边缘部的内侧，所述第一边缘延伸层及所述第一支撑层位于所述第一边缘部的外侧。18.如权利要求14所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘部与第二电极层具有第三重合部。19.如权利要求14所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘延伸层及所述第一支撑层和所述第二电极层具有第四重合部，所述第四重合部的宽度等于所述第一边缘部的宽度。20.如权利要求14所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘部呈多边形，所述第一边缘延伸层及所述第一支撑层与所述第一边缘部的至少一边相邻。21.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：第一层，所述第一层包括空腔；第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内；压电层，位于所述第一电极层上，覆盖所述空腔，所述压电层包括第一侧及与所述第一侧垂直方向上相对的第二侧，所述第一电极层位于所述第一侧；第二电极层，位于所述第二侧，位于所述压电层上，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩兴，周建，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：