一种晶片级封装声表器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片级封装声表器件及其制备方法，涉及声表器件领域，该器件包括：衬底、压电结构和电极，压电结构和电极形成于衬底的至少一个表面上；封盖结构包覆电极，电极包括信号电极，至少一个信号电极导出至封盖结构表面形成信号端，压电结构位于封盖结构与衬底表面形成的空腔内；屏蔽层包覆声表器件的至少部分外表面，信号端相对于所述屏蔽层外露。本发明专利技术通过设置高导电性和高散热性的屏蔽层，使声表器件能得到充分的散热；同时，封盖结构的设置具有防高温和隔离外界空气的作用，能保护压电结构免受污染，从而避免器件性能受影响。响。响。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片级封装声表器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及声表器件领域，尤其涉及一种晶片级封装声表器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着终端设备的普及和信息化的高速发展，无线通信技术已运用到方方面面。滤波器、谐振器、多工器等在射频器件中占比极大，对其性能有着举足轻重的作用。在几百兆至3GHz这一频率范围内，声表器件具有得天独厚的优势，市场对其的需求与日俱增。
[0003]而随着目前声表器件小型化、集成化的发展趋势，晶片级封装(WLP)声表器件应运而生。但是晶片级封装由于没有基板的依托，只依靠引脚进行散热，散热能力极为有限，在发射端高功率系统内，散热问题尤为严重。因此晶片级封装(WLP)声表器件提高散热性的问题，仍待解决。

技术实现思路

[0004]本专利技术人针对上述问题及技术需求，提出了一种晶片级封装声表器件及其制备方法，技术方案如下：
[0005]第一方面，本专利技术公开了一种晶片级封装声表器件，所述器件包括：
[0006]衬底，在衬底的至少一个表面形成有压电结构和电极；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片级封装声表器件，其特征在于，包括：衬底，在所述衬底的至少一个表面形成有压电结构和电极；封盖结构，所述封盖结构包覆所述电极，所述电极包括信号电极，至少一个所述信号电极导出至所述封盖结构表面，形成信号端，所述压电结构位于所述封盖结构与所述衬底表面形成的空腔内；屏蔽层，所述屏蔽层包覆所述声表器件的至少部分外表面，所述信号端相对于所述屏蔽层外露。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，在所述衬底的两个表面均形成有所述压电结构和所述电极，所述信号端形成于所述衬底的至少一侧。3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述屏蔽层接地。4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述电极还包括接地电极，至少一个所述接地电极与所述屏蔽层连通。5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述信号端形成于所述衬底的单侧且所述屏蔽层的接地端与所述信号端形成于同一侧。6.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括至少一个贯穿衬底的金属柱，用以连通所述衬底两侧的所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈云姣，王为标，陆增天，徐彬，石海平，
申请(专利权)人：无锡市好达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：