本申请关于一种声表面波滤波器及多工器，涉及射频技术领域。本申请将第一匹配电路与第二匹配电路相互串联或并联在输入端或输出端，第一匹配电路至少包括一个叉指电容器，叉指电容器的谐振频率点处于滤波芯片的工作频段之外，第二匹配电路至少包括一个电感...

本申请关于一种弹性波滤波器，涉及射频技术领域。本申请提供的弹性波滤波器通过设置非压电衬底、压电薄膜、非压电材料薄膜以及导电材料薄膜图形；并且，该导电材料薄膜图形包括输入端子、输出端子、至少一个接地端子、串联臂、并联臂，以及由IDT电极和...

本申请关于一种弹性波装置，涉及弹性波技术领域。本申请通过将压电层设置成欧拉角为(0°±10°，122°±10°，45°±10°)或(0°±10°，122°±10°，135°±10°)的铌酸锂薄膜；在压电层上方设置导电材料薄膜图形、在压电...

本发明公开了一种叉指换能器、声表面波谐振器和装置，涉及射频滤波技术领域，其中谐振器包括：压电基底和设于该压电基底工作面上的导电材料薄膜图形，调节导电材料薄膜图形中的叉指换能器以形成标准声速区、与标准声速区相比传播弹性波的音速更低的低声速...

本申请关于一种声表面波装置，涉及声表面器件领域

本申请关于一种能够提升带外抑制水平

本申请关于一种弹性波滤波器，涉及滤波器领域

本申请关于一种弹性波滤波器及其制备方法，涉及弹性波滤波器领域。该弹性波滤波器包括压电基底、设置于非压电基底上的压电薄膜，以及一部分设置于非压电基底上、另一部分设置于压电薄膜上的导电材料薄膜图形；其中，导电材料薄膜图形形成多个叉指换能器电...

本申请关于一种弹性波器件，涉及射频滤波器领域。包括压电功能层，其具有相互对置的第一主面和第二主面；叉指换能器电极，其直接或间接地形成在第一主面上；反射层，其具有相互对置的第三主面和第四主面，第三主面直接或间接地形成在第二主面上；以及基底...

本发明公开了一种具有活塞模式的声表面波装置，涉及声表面波器件技术领域，该装置包括压电基板和设置在其上的叉指换能器电极，叉指换能器电极包括相互对置的第一汇流条和第二汇流条、沿平行于汇流条延伸方向上间隔交错设置的多根第一电极指和多根第二电极...

本申请关于一种弹性波装置，涉及弹性波器件领域。包括压电性基板以及设置在压电性基板上的叉指换能器电极，叉指换能器电极包括沿弹性波传播方向间隔布置的n根电极指，n为正整数值，每根电极指都具有各自的电极指宽度、电极指间隙和电极指周期，n根电极...

本发明公开了一种基于活塞模式的声表面波装置及制备方法，涉及声表面波器件技术领域，该装置包括压电基板和设置在其上的叉指换能器电极，叉指换能器电极包括相互对置的第一汇流条和第二汇流条、沿平行于声表面波传播方向上间隔交错设置的多根第一电极指和...

本申请关于一种声表面波谐振器，涉及声表面波器件领域。该声表面波谐振器包括支承基板、直接地或间接地设置在支承基板上的压电膜、以及设置在压电膜上的叉指换能器电极；其中，叉指换能器电极的占空比大于等于0.35且小于等于0.45。在此情况下，通...

本申请关于一种横向激励薄膜体声波谐振器，涉及射频滤波器领域。包括基板，位于基板上的压电功能膜以及位于压电功能膜上的叉指换能器电极；压电功能膜具体包括压电材料区和非压电绝缘材料区，压电材料和非压电绝缘材料具有不同的声阻抗；通过设置非压电绝...

本申请关于一种横向激发体声波谐振器。本申请提供的横向激发体声波谐振器的叉指换能器电极，即第一电极指和第二电极指均包括集成于压电层上的第一电极层，以及集成于第一电极层上的第二电极层，当第二电极层的材料密度ρ2大于第一电极层的材料密度ρ1，...

本申请关于一种弹性波器件，涉及声学器件领域。该弹性波器件包括压电基底、叉指换能器层以及线路层，叉指换能器层位于压电基底上，叉指换能器层包括叉指换能器电极以及与叉指换能器电极连接的汇流条；线路层包括位于汇流条上的覆盖部、位于压电基底上的连...

本申请关于一种高隔离度声表面波双工器及多工器，涉及声表面波器件领域。该高隔离度声表面波双工器/高隔离度声表面波多工器，通过将声表面波梯形滤波器的反射器电极与接地端子电性连接，减少了电磁干扰，从而提升了声表面波双工器/声表面波多工器的隔离...

本实用新型公开了一种晶圆级封装声表器件，涉及声表器件领域，器件包括衬底、声表芯片、保护层和焊盘；声表芯片置于衬底上，声表芯片包括至少一个电极柱，用于将信号导出至声表芯片表面，形成信号端；保护层包覆声表芯片的外露表面及其电极柱的侧壁，且在...

本实用新型公开了一种声表面波谐振器组件和滤波器，涉及半导体领域，该谐振器组件包括压电基底和形成在压电基底上的若干个谐振器组，每个谐振器组包括多个串联连接的谐振器，每个谐振器包括叉指换能器和反射栅，叉指换能器和反射栅在声表面波传播方向上排...

本实用新型公开了一种大带宽声表面波滤波器及射频前端滤波装置，涉及半导体领域，该滤波器包括压电基板和形成在所述压电基板上的梯形电路结构，梯形电路结构包括连接输入端与输出端的串联支路和至少一个连接串联支路与接地端的并联支路，串联支路包括至少...