声表面波谐振器制造技术

本申请关于一种声表面波谐振器，涉及声表面波器件领域。该声表面波谐振器包括支承基板、直接地或间接地设置在支承基板上的压电膜、以及设置在压电膜上的叉指换能器电极；其中，叉指换能器电极的占空比大于等于0.35且小于等于0.45。在此情况下，通过调节该叉指换能器电极的占空比，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力，提供了一种更加简单的、生产成本低的基于压电薄膜的声表面波谐振器。面波谐振器。面波谐振器。

【技术实现步骤摘要】
声表面波谐振器


[0001]本申请涉及声表面波器件
，特别涉及一种声表面波谐振器。

技术介绍

[0002]声表面波谐振器已广泛应用于通信、医疗、卫星、交通等领域，但是传统的声表面波谐振器受制于材料本身的限制，不能充分满足高端声表面波产品的性能要求。基于复合键合结构的声表面波谐振器集大带宽、低插损、低温漂、大功率以及高带外抑制等优点而备受关注，但是复合键合结构也会引起诸多寄生问题，例如高阶杂波响应，这将恶化滤波器的带外抑制，也会引起双工器或射频模块之间的模式串扰，极大地影响通信装置的性能。
[0003]专利文献CN110402539B公开了一种在由硅构成的支承基板上层叠有氧化硅膜以及由钽酸锂构成的压电体以及叉指换能器电极的声表面波谐振器，通过适当设置氧化硅膜的厚度、压电体的厚度和角度以及叉指换能器电极的厚度以实现抑制其具有的第1高阶模式的响应、第2高阶模式的响应以及第3高阶模式的响应中的至少一个。
[0004]专利文献CN113794458A公开了一种在具有压电层的复合膜层中设置凹槽阵列图形的声表面波谐振器，通过调节图形的深度与径向大小，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波。
[0005]然而，上述专利文献CN110402539B公开的方案在设计上过于复杂；上述专利文献CN113794458A公开的方案则在工艺上过于复杂，不利于产品的生产成本控制；因此，需要一种更加简单的、生产成本低的基于压电薄膜的声表面波谐振器。

技术实现思路

[0006]本申请的目的是提供一种声表面波谐振器，以解决上述现有的基于压电薄膜的声表面波谐振器存在的设计过于复杂、工艺过于复杂以及生产成本较高的问题。
[0007]为实现上述目的，本申请采用的技术方案为：
[0008]第一方面，本申请提供了一种声表面波谐振器，包括：
[0009]支承基板；
[0010]直接地或间接地设置在所述支承基板上的压电膜；以及
[0011]设置在所述压电膜上的叉指换能器电极；
[0012]其中，所述叉指换能器电极的占空比大于等于0.35且小于等于0.45。
[0013]在一种可能的实现方式中，所述压电膜直接地设置在所述支承基板上；或所述压电膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在所述支承基板上；或所述压电膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在俘获材料膜上，所述俘获材料膜直接地设置在所述支承基板上。
[0014]在一种可能的实现方式中，在所述低声速材料膜中传播的体波的声速比在所述压电膜中传播的体波的声速低；在所述支承基板中传播的体波的声速比在所述压电膜中传播的体波的声速高。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述俘获材料膜由在非晶硅、多晶硅、非晶锗或多晶锗中的一种材料或多种材料组合形成。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述叉指换能器电极包括：
[0017]相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指；以及
[0018]在所述第一电极指、所述第二电极指延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；
[0019]其中，多根所述第一电极指和多根所述第二电极指都具有各自的第一端部和第二端部；多根所述第一电极指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第一电极指的第二端部与所述第二汇流条间隔对置；多根所述第二电极指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第二电极指的第二端部与所述第一汇流条间隔对置。
[0020]在一种可能的实现方式中，所述叉指换能器电极包括：
[0021]由多个不同金属材料薄膜层叠而成的m个子层，其中m≥2。
[0022]在一种可能的实现方式中，所述压电膜为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜。
[0023]第二方面，本申请提供了一种滤波器装置，所述滤波器装置与天线连接，所述滤波器装置包括串联臂声表面波谐振器以及并联臂声表面波谐振器，所述串联臂声表面波谐振器以及所述并联臂声表面波谐振器中的至少一个声表面波谐振器是上述任一所述的声表面波谐振器。
[0024]第三方面，本申请提供了一种多工器，包括：
[0025]天线端子，其与天线连接；以及
[0026]多个滤波器装置，公共连接于所述天线端子，至少一个所述滤波器装置是上述滤波器装置。
[0027]本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0028]通过设置支承基板、直接地或者间接地设置在支承基板上的压电膜，以及设置在压电膜上的叉指换能器电极，并且该叉指换能器电极的占空比大于等于0.35且小于等于0.45。在此情况下，通过调节该叉指换能器电极的占空比，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力，提供了一种更加简单的、生产成本低的基于压电薄膜的声表面波谐振器。
附图说明
[0029]附图用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中：
[0030]图1示出了本申请实施例一提供的声表面波谐振器的俯视图；
[0031]图2示出了图1的A
‑
A
’
剖视示意图；
[0032]图3示出了本申请实施例一提供的声表面波谐振器在不同的占空比时的导纳
‑
频率曲线图；
[0033]图4示出了本申请实施例二提供的声表面波谐振器的俯视图；
[0034]图5示出了图4的B
‑
B
’
剖视示意图；
[0035]图6示出了本申请实施例二提供的声表面波谐振器在不同的占空比时的导纳
‑
频率曲线图；
[0036]图7示出了本申请实施例三提供的声表面波谐振器的俯视图；
[0037]图8示出了图7的C
‑
C
’
剖视示意图；
[0038]图9示出了本申请实施例三提供的声表面波谐振器在不同的占空比时的导纳
‑
频率曲线图；
[0039]图10示出了根据本申请实施例三提供的具有不同占空比的声表面波谐振器组合搭建的不同滤波器的阻抗
‑
频率曲线图；
[0040]图11示出了本申请实施例四提供的声表面波谐振器的俯视图；
[0041]图12示出了图11的D
‑
D
’
剖视示意图；
[0042]图13示出了本申请实施例四提供的声表面波谐振器在不同的占空比时的导纳
‑
频率曲线图。
具体实施方式
[0043]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0044]其中，相同的零部件用相同的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：支承基板；直接地或间接地设置在所述支承基板上的压电膜；以及设置在所述压电膜上的叉指换能器电极；其中，所述叉指换能器电极的占空比大于等于0.35且小于等于0.45。2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于：所述压电膜直接地设置在所述支承基板上；或所述压电膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在所述支承基板上；或所述压电膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在俘获材料膜上，所述俘获材料膜直接地设置在所述支承基板上。3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于：在所述低声速材料膜中传播的体波的声速比在所述压电膜中传播的体波的声速低；在所述支承基板中传播的体波的声速比在所述压电膜中传播的体波的声速高。4.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于：所述俘获材料膜由在非晶硅、多晶硅、非晶锗或多晶锗中的一种材料或多种材料组合形成。5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器电极包括：相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指；以及在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅肃磊，窦韶旭，许志斌，陆增天，王为标，刘平，
申请(专利权)人：无锡市好达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：