一种声表面波谐振器制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种声表面波谐振器，该声表面波谐振器包括：有效孔径区和假指区；所述声表面波谐振器还包括多个第一指和多个第二指，所述第一指包括位于所述有效孔径区的第一分部以及位于所述假指区的第二分部，所述第二指位于所述假指区；在所述假指区，所述第二分部和所述第二指均沿第一方向延伸且沿第二方向依次交替设置；在所述有效孔径区，多个所述第一分部均沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向排列；沿所述第一方向，所述假指区位于所述有效孔径区的至少一端，且所述假指区包括至少一个第一异质结构。采用上述技术方案，通过在假指区设置至少一个第一异质结构，能够减小声波的干扰和泄露，抑制横向模传输，提升谐振器性能。谐振器性能。谐振器性能。

【技术实现步骤摘要】
一种声表面波谐振器


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种声表面波谐振器。

技术介绍

[0002]随着通信技术发展，产品终端对各类器件的性能提出了严格的要求，滤波器是通信系统的关键器件；随着技术发展，滤波器种类也越来越多，从由滤波电感、滤波电容和电阻等构成的滤波电路网络到腔体谐振器，从陶瓷谐振器(Low Temperature Co
‑
fired Ceramic，LTCC)到声表滤波器，滤波器的技术不断发展；自从进入长期演进时代(Long Term Evolution，LTE)以来，声表滤波器在通信系统中的作用愈发重要。同时随着通信技术的发展，对滤波器的各项要求也越来越高；特别是随着第五代移动通信技术(5th
‑
Generation，5G)到来，滤波器行业面临重大挑战和机遇。
[0003]声表滤波器具有插损低、带宽宽、体积小等优点，已被广泛应用于射频前端电路，但是声表谐振器存在各种杂波模态，严重影响了谐振器的性能，而横向模是其中一种主要的杂波模态，因此抑制横向模对于声波面滤波器的性能提升有着重要的意义。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种声表面波谐振器，以减小对声表面波的干扰和泄露，抑制横向模传输，提升谐振器性能。
[0005]本专利技术实施例提供的一种声表面波谐振器，包括：有效孔径区和假指区；
[0006]所述声表面波谐振器还包括多个第一指和多个第二指，所述第一指包括位于所述有效孔径区的第一分部以及位于所述假指区的第二分部，所述第二指位于所述假指区；
[0007]在所述假指区，所述第二分部和所述第二指均沿第一方向延伸且沿第二方向依次交替设置；
[0008]在所述有效孔径区，多个所述第一分部均沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向排列；
[0009]沿所述第一方向，所述假指区位于所述有效孔径区的至少一端，且所述假指区包括至少一个第一异质结构。
[0010]可选的，所述第一异质结构包括中心子异质结构和边缘子异质结构；
[0011]沿所述第二方向，所述边缘子异质结构位于所述中心子异质结构远离所述声表面波谐振器中心的一侧；
[0012]沿所述第一方向，所述边缘子异质结构位于所述中心子异质结构靠近所述有效孔径区的一侧。
[0013]可选的，所述第一异质结构包括第一子异质结构和第二子异质结构；
[0014]所述第一子异质结构和所述第二子异质结构延伸方向相交且交点位于所述假指区远离所述有效孔径区的一侧。
[0015]可选的，所述声表面谐振器还包括衬底，所述第一指和所述第二指设置于所述衬
底一侧；
[0016]所述异质结构包括位于所述衬底靠近所述第一指一侧表面中的凹槽以及填充于所述凹槽内的填充结构；
[0017]其中，声表面波在所述填充结构与所述衬底中的传播速度不同。
[0018]可选的，所述声表面谐振器还包括第一汇流区，所述第一汇流区位于所述假指区远离所述有效孔径区的一侧；
[0019]所述第一汇流区包括第二异质结构。
[0020]可选的，所述第二异质结构包括第三子异质结构和第四子异质结构，所述第三子异质结构和所述第四子异质结构的延伸方向相交；
[0021]或者，所述第二异质结构包括多个第五子异质结构，多个所述第五子异质结构在所述第一汇流区阵列排布；
[0022]或者，所述第二异质结构包括第六子异质结构，所述第六子异质结构在所述第一汇流区一体设置。
[0023]可选的，所述声表面波谐振器还包括反射栅区；
[0024]所述反射栅区包括反射栅条区和第二汇流区；所述反射栅条区包括多条反射栅条，多条所述反射栅条沿所述第一方向延伸，沿所述第二方向排列；沿所述第一方向，所述第二汇流区位于所述反射栅条区的至少一侧
[0025]所述第二汇流区包括第三异质结构；
[0026]所述第三异质结构沿所述第二方向延伸。
[0027]可选的，所述声表面谐振器还包括第一汇流区，所述第一汇流区位于所述假指区远离所述有效孔径区的一侧，所述第一汇流区包括第二异质结构，所述第二异质结构包括第三子异质结构，所述第三子异质结构沿所述第二方向延伸；
[0028]所述第三异质结构与所述第三子异质结构一体设置。
[0029]可选的，所述反射栅区包括还第四异质结构；
[0030]所述第四异质结构的延伸方向与所述反射栅条的延伸方向相交；
[0031]且所述第四异质结构包括相对设置的第一端和第二端，所述第一端位于所述第二端靠近所述第二汇流区的一侧，且所述第一端位于所述第二端靠近所述假指区的一侧。
[0032]可选的，所述第四异质结构的与所述反射栅条之间的夹角为0
‑
60
°
。
[0033]本专利技术实施例提供的声表面波谐振器，沿第一方向，假指区位于有效孔径区的至少一端，且假指区包括至少一个第一异质结构。由于声表面波主要沿水平方向传播，但是也存在少量声波会穿透汇流条区域向谐振器外部或内部泄露。因此，通过在假指区设置至少一个第一异质结构，能够减小声波的干扰和泄露，并且能够抑制横向模传输，提升谐振器性能。
附图说明
[0034]图1为本专利技术实施例提供的一种声表面波谐振器的结构示意图；
[0035]图2为图1提供的一种声表面波谐振器沿剖面线A
‑
A
’
的剖面结构示意图；
[0036]图3为本专利技术实施例提供的另一种声表面波谐振器的结构示意图；
[0037]图4为本专利技术实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图；
[0038]图5为本专利技术实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图；
[0039]图6为图5提供的一种声表面波谐振器沿剖面线B
‑
B
’
的剖面结构示意图；
[0040]图7为本专利技术实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图；
[0041]图8为本专利技术实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图；
[0042]图9为本专利技术实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图；
[0043]图10为本专利技术实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图；
[0044]图11为本专利技术实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图。
具体实施方式
[0045]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0046]图1为本专利技术实施例提供的一种声表面波谐振器的结构示意图，如图1所示，声表面波谐振器包括：有效孔径区10和假指区20；声表面波谐振器还包括多个第一指30和多个第二指40，所述第一指30包括位于有效孔径区10的第一分部301以及位于假指本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：有效孔径区和假指区；所述声表面波谐振器还包括多个第一指和多个第二指，所述第一指包括位于所述有效孔径区的第一分部以及位于所述假指区的第二分部，所述第二指位于所述假指区；在所述假指区，所述第二分部和所述第二指均沿第一方向延伸且沿第二方向依次交替设置；在所述有效孔径区，多个所述第一分部均沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向排列；沿所述第一方向，所述假指区位于所述有效孔径区的至少一端，且所述假指区包括至少一个第一异质结构。2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一异质结构包括中心子异质结构和边缘子异质结构；沿所述第二方向，所述边缘子异质结构位于所述中心子异质结构远离所述声表面波谐振器中心的一侧；沿所述第一方向，所述边缘子异质结构位于所述中心子异质结构靠近所述有效孔径区的一侧。3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一异质结构包括第一子异质结构和第二子异质结构；所述第一子异质结构和所述第二子异质结构延伸方向相交且交点位于所述假指区远离所述有效孔径区的一侧。4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面谐振器还包括衬底，所述第一指和所述第二指设置于所述衬底一侧；所述第一异质结构包括位于所述衬底靠近所述第一指一侧表面中的凹槽以及填充于所述凹槽内的填充结构；其中，声表面波在所述填充结构与所述衬底中的传播速度不同。5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面谐振器还包括第一汇流区，所述第一汇流区位于所述假指区远离所述有效孔径区的一侧；所述第一汇流区包括第二异质结构。6.根据权利要求5所述的声表面波谐振...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓军，余泽，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：