一种SAW器件的横向杂波模式抑制结构制造技术

本发明专利技术公开了一种SAW器件的横向杂波模式抑制结构，包括汇流排、假指和指条组件，还包括悬浮块组件，所述指条组件包括沿轴向均匀设置的多个指条，所述悬浮块组件包括沿轴向均匀设置的多个悬浮块部件，所述悬浮块部件与所述指条一一对应，且所述悬浮块部件位于所述指条和所述假指之间，在所述指条靠近所述悬浮块部件的一端还设有末梢反射栅，所述末端反射栅上沿轴向方向开设有至少一个反射孔，且所述指条通过所述末梢反射栅与所述悬浮块部件连接，所述悬浮块部件与所述假指之间具有间隙。本方案能够对横向杂波模式进行有效抑制，满足声表面波器件高性能要求。器件高性能要求。器件高性能要求。

【技术实现步骤摘要】
一种SAW器件的横向杂波模式抑制结构


[0001]本专利技术涉及声表面波器件
，具体涉及一种SAW器件的横向杂波模式抑制结构。

技术介绍

[0002]采用声表面波(SAW＝surface acoustic wave,表面声波)工作的射频滤波器器件，将射频信号转换成声波并且反过来将声波转换成射频信号，实现射频信号滤波功能，是现今通信设备的关键元器件。
[0003]声波是借助物理媒质传输的机械振动，因物理媒质的性质不同，声波传输特性各异。因研究地下地震给人类造成重大破坏发现了声表面波，其特征是：声波能量仅在固体表面数个声波长层内传输，传输损耗低，由此开始了声表面波的工程应用。
[0004]压电材料，是具有压电效应功能材料，外力使其原子结构变形，产生表面电荷。同样，其在施加电场时，会产生形变，称逆压电效应。此类效应，不需要外界其他能量支持。
[0005]声表面波器件，就是基于压电材料的(逆)压电效应，利用压电材料表面的声表面波工作的电子器件，它采用压电材料表面制作的叉指换能器(一种金属电极周期结构，其形状如同双手交叉)在其表面产生和接收声表面波。在相关器件理论指导下，设计叉指换能器的电极周期、孔径和截面几何，可实现预定的电性能。
[0006]声表面波器件的杂波模式抑制设计主要包括寄生杂波和横向杂波模式抑制设计，其中，寄生杂波模式抑制取决于其压电材料及其切向、电极材料及尺寸、膜层拓扑结构等，而横向杂波模式抑制取决于指条和孔径方向上的结构、材料设计。随着高速移动通讯对低损耗、高平坦度等高性能声表面波器件的需求越来越高，实现声表面波器件的杂波模式抑制也成为了急需解决的技术问题。

技术实现思路

[0007]针对现有技术存在的上述不足，本专利技术要解决的技术问题是：如何提供一种能够对横向杂波模式进行有效抑制，满足声表面波器件高性能要求的SAW器件的横向杂波模式抑制结构。
[0008]为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：一种SAW器件的横向杂波模式抑制结构，包括汇流排、假指和指条组件，还包括悬浮块组件，所述指条组件包括沿轴向均匀设置的多个指条，所述悬浮块组件包括沿轴向均匀设置的多个悬浮块部件，所述悬浮块部件与所述指条一一对应，且所述悬浮块部件位于所述指条和所述假指之间，在所述指条靠近所述悬浮块部件的一端还设有末梢反射栅，所述末端反射栅上沿轴向方向开设有至少一个反射孔，且所述指条通过所述末梢反射栅与所述悬浮块部件连接，所述悬浮块部件与所述假指之间具有间隙。
[0009]优选的，在所述末端反射栅上沿轴向方向开设有两个反射孔。
[0010]优选的，所述悬浮块部件的轴向宽度大于等于所述指条的轴向宽度，所述末端反
射栅的轴向宽度与所述指条的轴向宽度相同。
[0011]优选的，所述末端反射栅上沿轴向方向开设有多个反射孔，所述悬浮块部件包括沿竖向分布的多个悬浮块，且最靠近所述末端反射栅的所述悬浮块与所述末端反射栅连接，最靠近所述假指的所述悬浮块与所述假指之间具有间隙。
[0012]优选的，所述悬浮块部件的轴向宽度和所述末端反射栅的轴向宽度均大于等于所述指条的轴向宽度，所述假指的轴向宽度与所述悬浮块部件的轴向宽度相同。
[0013]一种SAW器件的横向杂波模式抑制结构，包括汇流排和指条组件，还包括悬浮块组件，所述指条组件包括沿轴向均匀设置的多个指条，所述悬浮块组件包括沿轴向均匀设置的多个悬浮块部件，所述悬浮块部件与所述指条一一对应，且所述悬浮块部件位于所述指条和所述汇流排之间，在所述指条靠近所述悬浮块部件的一端还设有末梢反射栅，所述末端反射栅上沿轴向方向开设有至少一个反射孔，且所述指条通过所述末梢反射栅与所述悬浮块部件连接，所述悬浮块部件与所述汇流排之间具有间隙。
[0014]优选的，在所述末端反射栅上沿轴向方向开设有两个反射孔。
[0015]优选的，所述悬浮块部件的轴向宽度大于等于所述指条的轴向宽度，所述末端反射栅的轴向宽度与所述指条的轴向宽度相同。
[0016]优选的，所述末端反射栅上沿轴向方向开设有多个反射孔，所述悬浮块部件包括沿竖向分布的多个悬浮块，且最靠近所述末端反射栅的所述悬浮块与所述末端反射栅连接，最靠近所述假指的所述悬浮块与所述假指之间具有间隙。
[0017]优选的，所述悬浮块部件的轴向宽度和所述末端反射栅的轴向宽度均大于等于所述指条的轴向宽度，所述假指的轴向宽度与所述悬浮块部件的轴向宽度相同。
[0018]与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：1、本专利技术通过在孔径方向上设置单个或多个金属的悬浮块，同时在指条末端设置末端反射栅，并在末端反射栅上开设反射孔，金属的悬浮块的设计一是可以降低肢端末梢的声传播速度，将声表面波能量束缚声表面波器件的中心区；二是可以加强声表面波反射，有利于将声表面波能量束缚声表面波器件的中心区；而末端反射栅的设计采用的反射孔，金属的悬浮块是直接与金属电极指条接触，其电学边界条件和声学边界条件区别于悬浮金属块结构，孔径方向上的指条末端处，存在传播方向上的电场，有利于抑制横向杂波模式的寄生。因此，本方案能够将声表面波能量更多的束缚在声表面波器件的中心，以此可以减少声表面波在孔径上的散射，进而达到减少横向杂波存在的目的，提高器件通带平坦度、降低插入损耗等使用性能，满足声表面波器件的高性能要求。
[0019]2、本方案中的假指可以看作是短路或开路金属块，假指的设计同样可以降低肢端末梢的声传播速度，同时加强声表面波反射，进而有利于将声表面波能量束缚声表面波器件的中心区。
[0020]3、本方案通过对汇流排、假指、间隙、指条组件的结构优化，同时设置通过悬浮块和末端反射栅的设计，在实现抑制各阶次杂波模式寄生的同时，同时还可激发高Q值（品质因数）声波模式。由此，有利于实现声表面波器件的低损耗、通带高平坦度等性能，满足了高速移动通讯等终端对高性能表面波器件的要求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
附图说明
[0021]图1为本专利技术实施例一中SAW器件的横向杂波模式抑制结构的结构示意图（具有一个反射孔）；图2为本专利技术实施例一中SAW器件的横向杂波模式抑制结构的结构示意图（具有两个反射孔）；图3为本专利技术实施例二中SAW器件的横向杂波模式抑制结构的结构示意图（具有多个反射孔）；图4为本专利技术实施例三中SAW器件的横向杂波模式抑制结构的结构示意图（具有一个反射孔）；图5为本专利技术实施例一中SAW器件的横向杂波模式抑制结构的结构示意图（具有两个反射孔）；图6为本专利技术实施例四中SAW器件的横向杂波模式抑制结构的结构示意图（具有多个反射孔）。
[0022]附图标记说明：汇流排1、末端反射栅2、指条3、悬浮块4、假指5。
具体实施方式
[0023]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SAW器件的横向杂波模式抑制结构，包括汇流排、假指和指条组件，其特征在于，还包括悬浮块组件，所述指条组件包括沿轴向均匀设置的多个指条，所述悬浮块组件包括沿轴向均匀设置的多个悬浮块部件，所述悬浮块部件与所述指条一一对应，且所述悬浮块部件位于所述指条和所述假指之间，在所述指条靠近所述悬浮块部件的一端还设有末梢反射栅，所述末端反射栅上沿轴向方向开设有至少一个反射孔，且所述指条通过所述末梢反射栅与所述悬浮块部件连接，所述悬浮块部件与所述假指之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的SAW器件的横向杂波模式抑制结构，其特征在于，在所述末端反射栅上沿轴向方向开设有两个反射孔。3.根据权利要求2所述的SAW器件的横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述悬浮块部件的轴向宽度大于等于所述指条的轴向宽度，所述末端反射栅的轴向宽度与所述指条的轴向宽度相同。4.根据权利要求1所述的SAW器件的横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述末端反射栅上沿轴向方向开设有多个反射孔，所述悬浮块部件包括沿竖向分布的多个悬浮块，且最靠近所述末端反射栅的所述悬浮块与所述末端反射栅连接，最靠近所述假指的所述悬浮块与所述假指之间具有间隙。5.根据权利要求4所述的SAW器件的横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述悬浮块部件的轴向宽度和所述末端反射栅的轴向宽度均大于等于所述指条的轴向宽度，所述假指的轴向宽度与所述悬浮块部件的轴向宽度相同。6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜雪松，陈正林，肖强，董加和，金巧，罗文汀，谭发增，罗鸿飞，朱艳妮，张铃，胡明浪，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：