声表面波装置制造方法及图纸

本申请关于一种声表面波装置，涉及声表面器件领域

【技术实现步骤摘要】
声表面波装置


[0001]本申请涉及声表面波装置
，特别涉及一种声表面波装置
。

技术介绍

[0002]声表面波装置已广泛应用于广泛用于手机
、
通信基站
、LTE
模块
、
物联网
、
智能网联汽车
、
智能家居及其它射频通讯领域，但是传统的声表面波装置受制于材料本身的限制，
Q
值和耦合系数较低，不能充分满足移动通讯对器件高性能的要求
。
基于钽酸锂
/
铌酸锂压电薄膜的复合多层结构的声表面波装置集低插损
、
低温漂
、
大带宽
、
大功率等优点而备受关注，但是基于压电薄膜的复合多层结构也会引起诸多寄生杂波问题，例如高阶杂波响应，这将恶化滤波器的带外抑制，也会引起双工器或射频模块之间的模式串扰，极大地影响通信装置的性能
。
[0003]专利文献
CN110521117A
公开了一种具备压电性基板和设置在所述压电性基板上的倾斜型
IDT
电极的弹性波装置，能够抑制阻带响应
。
[0004]专利文献
CN110402539B
公开了一种在由硅构成的支承基板上层叠有氧化硅膜以及由钽酸锂构成的压电体以及叉指换能器电极的声表面波装置，通过适当设置氧化硅膜的厚度
、
压电体的厚度和角度以及叉指换能器电极的厚度以实现抑制其具有的第1高阶模式的响应
、
第2高阶模式的响应以及第3高阶模式的响应中的至少一个
。
[0005]专利文献
CN113794458A
公开了一种在具有压电层的复合膜层中设置凹槽阵列图形的声表面波装置，通过调节图形的深度与径向大小，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波
。
[0006]然而，上述专利文献
CN110521117A
抑制的是靠近谐振模式
(
主模
)
的杂波响应，而并非远离谐振模式
(
主模
)
的高阶杂波响应；上述专利文献
CN110402539B
公开的方案在设计上过于复杂；上述专利文献
CN113794458A
公开的方案则在工艺上过于复杂，不利于产品的生产成本控制；因此，需要一种能够以抑制高阶杂波的
、
更佳简单的
、
生产成本低的基于压电薄膜的声表面波装置
。

技术实现思路

[0007]本申请的目的是提供一种能够抑制高阶杂波响应的声表面波装置，以解决上述现有的基于压电薄膜的声表面波装置存在的设计过于复杂
、
工艺过于复杂以及生产成本较高问题
。
[0008]为实现上述目的，本申请采用的技术方案为：
[0009]第一方面，本申请提供了一种声表面波装置，包括支承基板
、
直接地或间接地设置在所述支承基板上的铌酸锂薄膜以及设置在所述铌酸锂薄膜上的叉指换能器电极；
[0010]所述铌酸锂薄膜的欧拉角
(
φ
，
θ
，
ψ
)
为
(0
°±3°
的范围内，
θ
，0°±3°
的范围内
)
，所述铌酸锂薄膜的欧拉角中的
θ
为
90
°
≤
θ
≤154
°
；
[0011]所述叉指换能器电极包括相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指
、
相
互交错插入的多根第一电极假指和多根第二电极假指，以及在所述第一电极指
、
所述第一电极假指
、
所述第二电极指和所述第二电极假指的指条延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；多根所述第一电极指
、
多根所述第一电极假指
、
多根所述第二电极指和多根所述第二电极假指都具有各自的第一端部和第二端部；多根所述第一电极指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第二电极假指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第一电极指的第二端部与多根所述第二电极假指的第二端部间隔对置；多根所述第二电极指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第一电极假指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第二电极指的第二端部与多根所述第一电极假指的第二端部间隔对置；
[0012]将通过连结多根所述第一电极指的第二端部而形成的假想线设为第一包络线，所述第一包络线的延伸方向与所述声表面波装置的传播方向呈大于等于
24
°
且小于等于
45
°
的夹角；
[0013]将通过连结多根所述第二电极指的第二端部而形成的假想线设为第二包络线，所述第二包络线的延伸方向与所述声表面波装置的传播方向呈大于等于
24
°
且小于等于
45
°
的夹角
。
[0014]在一种可能实现的方式中，所述铌酸锂薄膜直接地设置在所述支承基板上；或
[0015]所述铌酸锂薄膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在所述支承基板上；或
[0016]所述铌酸锂薄膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在俘获材料膜上，所述俘获材料膜直接地设置在所述支承基板上
。
[0017]在一种可能实现的方式中，在所述低声速材料膜中传播的体波的声速比在所述铌酸锂薄膜中传播的体波的声速低；
[0018]在所述支承基板中传播的体波的声速比在所述铌酸锂薄膜中传播的体波的声速高
。
[0019]在一种可能实现的方式中，所述俘获材料膜由非晶硅
、
多晶硅
、
非晶锗或多晶锗中的一种材料或多种材料组合形成
。
[0020]在一种可能实现的方式中，所述叉指换能器电极包括：
[0021]由多个不同金属材料薄膜层叠而成的
m
个子层，其中
m≥2。
[0022]第二方面，本申请提供了一种滤波器装置，所述滤波器装置与天线连接，所述滤波器装置包括串联臂声表面波谐振器以及并联臂声表面波谐振器，所述串联臂声表面波谐振器以及所述并联臂声表面波谐振器中的至少一个声表面波谐振器是上述任一所述的声表面波装置
。
[0023]第三方面，本申请提供了一种多工器，包括：
[0024]天线端子，其与天线连接；以及
[0025]多个滤波器装置，公共连接于所述天线端子，至少一个所述滤波器装置是上述的滤波器装置
。
[0026]本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0027本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种声表面波装置，包括支承基板
、
直接地或间接地设置在所述支承基板上的铌酸锂薄膜以及设置在所述铌酸锂薄膜上的叉指换能器电极，其特征在于：所述铌酸锂薄膜的欧拉角
(
φ
，
θ
，
ψ
)
为
(0
°±3°
的范围内，
θ
，0°±3°
的范围内
)
，所述铌酸锂薄膜的欧拉角中的
θ
为
90
°
≤
θ
≤154
°
；所述叉指换能器电极包括相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指
、
相互交错插入的多根第一电极假指和多根第二电极假指，以及在所述第一电极指
、
所述第一电极假指
、
所述第二电极指和所述第二电极假指的指条延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；多根所述第一电极指
、
多根所述第一电极假指
、
多根所述第二电极指和多根所述第二电极假指都具有各自的第一端部和第二端部；多根所述第一电极指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第二电极假指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第一电极指的第二端部与多根所述第二电极假指的第二端部间隔对置；多根所述第二电极指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第一电极假指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第二电极指的第二端部与多根所述第一电极假指的第二端部间隔对置；将通过连结多根所述第一电极指的第二端部而形成的假想线设为第一包络线，所述第一包络线的延伸方向与所述声表面波装置的传播方向呈大于等于
24
°
且小于等于

【专利技术属性】
技术研发人员：傅肃磊，孙宗琴，俞振一，许志斌，石海平，陆增天，王为标，
申请(专利权)人：无锡市好达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：