一种小型化石英晶片制造技术

本实用新型专利技术涉及石英晶片技术领域，具体涉及一种小型化石英晶片，包括一基底，所述基底包括前侧的点胶区和后侧的振荡区，所述点胶区与振荡区连接，所述点胶区的上表面凸设有第一凸台，所述第二凸台的左右两侧分别凸设有第二凸台和第三凸台，所述振荡区的上表面凸设有第四凸台，所述第四凸台上凸设有第五凸台。本实用新型专利技术通过点胶区和振荡区的第一凸台、第二凸台、第三凸台、第四凸台和第五凸台的厚度变化，可将能量闭锁于振荡区，避免点胶区产生不必要的振荡副模态与能量消散影响，该结构设计的石英晶片具有较佳的阻抗值和Q值，有助于增进小型化石英频率元件的性能提升。型化石英频率元件的性能提升。型化石英频率元件的性能提升。

【技术实现步骤摘要】
一种小型化石英晶片


[0001]本技术涉及石英晶片
，具体涉及一种小型化石英晶片。

技术介绍

[0002]石英光刻化晶圆泛指以光刻技术在石英晶圆表面进行结构加工之晶圆。但须注意的是，若要以机械研磨制程开发小型化石英晶体，除物理性质上有其尺寸极限外，小型化带来的阻抗增加或良率降低等因素，都将会是瓶颈。技术上，低频的小型石英晶体需要进行倒边(Bevel)，亦即削薄石英晶体边缘，才能达到有效的能陷(Energy Trapping)。因此，在制造超小型石英晶体及低频石英晶体时，对于单纯仰赖传统研磨法制造石英晶体的厂商来说，将会是发展小型石英晶体产品时，最主要的技术鸿沟。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本技术的目的在于提供一种小型化石英晶片结构，具有较佳的阻抗值和Q值，可以通过光刻制作。
[0004]本技术的目的通过下述技术方案实现：
[0005]一种小型化石英晶片，包括一基底，所述基底包括前侧的点胶区和后侧的振荡区，所述点胶区与振荡区连接，所述点胶区的上表面凸设有第一凸台，所述第二凸台的左右两侧分别凸设有第二凸台和第三凸台，所述振荡区的上表面凸设有第四凸台，所述第四凸台上凸设有第五凸台，所述第二凸台、第三凸台和第五凸台的上表面均符合有电极膜，所述第五凸台的电极膜与第二凸台的电极膜或第三凸条的电极膜连通。
[0006]其中，所述基底、第四凸台和第五凸台均为长方体。
[0007]其中，所述第五凸台的上表面、第五凸台的前侧面、第四凸台的上表面、第四凸台的前侧面和基底的上表面形成连续的台阶状。
[0008]其中，所述第四凸台凸设于振荡区的中部，所述第五凸台凸设于第四凸台的中部。
[0009]其中，所述第五凸台的左侧面、第四凸台的左侧面与基底的左侧面齐平，所述第五凸台的右侧面、第四凸台的右侧面与基底的右侧面齐平。
[0010]其中，所述第四凸台的后侧面与基底的后侧面齐平。
[0011]其中，所述第二凸台和第三凸台均为半圆柱形凸台。
[0012]本技术的有益效果在于：本技术通过点胶区和振荡区的第一凸台、第二凸台、第三凸台、第四凸台和第五凸台的厚度变化，可将能量闭锁于振荡区，避免点胶区产生不必要的振荡副模态与能量消散影响，该结构设计的石英晶片具有较佳的阻抗值和Q值，有助于增进小型化石英频率元件的性能提升。
附图说明
[0013]图1是本技术的实施例1的立体结构图；
[0014]图2是本技术的实施例2的立体结构图；
[0015]图3是本技术的实施例3的立体结构图；
[0016]附图标记为：1
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第一凸台、2
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第二凸台、3
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第三凸台、4
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第四凸台、5
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第五凸台、6
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基底。
具体实施方式
[0017]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1
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3对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。
[0018]实施例1
[0019]如图1所示，一种小型化石英晶片，包括一基底6，所述基底6包括前侧的点胶区和后侧的振荡区，所述点胶区与振荡区连接，所述点胶区的上表面凸设有第一凸台1，所述第二凸台2的左右两侧分别凸设有第二凸台2和第三凸台3，所述振荡区的上表面凸设有第四凸台4，所述第四凸台4上凸设有第五凸台5，所述第二凸台2、第三凸台3和第五凸台5的上表面均符合有电极膜，所述第五凸台5的电极膜与第二凸台2的电极膜连通。
[0020]本技术通过点胶区和振荡区的第一凸台1、第二凸台2、第三凸台3、第四凸台4和第五凸台5的厚度变化，可将能量闭锁于振荡区，避免点胶区产生不必要的振荡副模态与能量消散影响，该结构设计的石英晶片具有较佳的阻抗值和Q值，有助于增进小型化石英频率元件的性能提升。
[0021]第二凸台2和第三凸台3的设置更便于引脚的设置，在本实施例中，所述第五凸台5的电极膜与第二凸台2的电极膜连通，在其他可替代的实施例中，也可以是第五凸台5的电极膜与第三凸台3的电极膜连通。电极膜属于现有设置，附图中不再显露说明。
[0022]其中，所述基底6、第四凸台4和第五凸台5均为长方体。
[0023]其中，所述第五凸台5的上表面、第五凸台5的前侧面、第四凸台4的上表面、第四凸台4的前侧面和基底6的上表面形成连续的台阶状。
[0024]其中，所述第四凸台4凸设于振荡区的中部，所述第五凸台5凸设于第四凸台4的中部。即如图所示，所述第五凸台5的上表面、第五凸台5的后侧面、第四凸台4的上表面、第四凸台4的后侧面和基底6的上表面形成连续的台阶状；所述第五凸台5的上表面、第五凸台5的左侧面、第四凸台4的上表面、第四凸台4的左侧面和基底6的上表面形成连续的台阶状；所述第五凸台5的上表面、第五凸台5的右侧面、第四凸台4的上表面、第四凸台4的右侧面和基底6的上表面形成连续的台阶状。本技术振荡区和点胶区的连接处的一体成型，二者的分区线并无实体，分区说明主要为了方便说明第四凸台4凸设于振荡区的中部，因此附图并无显露说明分区线。
[0025]本实施例的晶片结构闭锁效应较强，整体的性能较佳。
[0026]其中，所述第二凸台2和第三凸台3均为半圆柱形凸台。
[0027]其中，所述基底6的上表面与下表面为对称结构设置，即下表面设置有对称的凸台。
[0028]实施例2
[0029]本实施例与实施例1的区别在于：
[0030]如图2所示，所述第五凸台5的左侧面、第四凸台4的左侧面与基底6的左侧面齐平，所述第五凸台5的右侧面、第四凸台4的右侧面与基底6的右侧面齐平。本实施例提供另一种
晶片结构，具有较佳的阻抗值和Q值，制作难度相对较低。
[0031]实施例3
[0032]本实施例与实施例1的区别在于：
[0033]如图3所示，所述第四凸台4的后侧面与基底6的后侧面齐平。本实施例提供另一种晶片结构，具有较佳的阻抗值和Q值，制作难度相对较低。
[0034]上述实施例为本技术较佳的实现方案，除此之外，本技术还可以其它方式实现，在不脱离本技术构思的前提下任何显而易见的替换均在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小型化石英晶片，其特征在于：包括一基底，所述基底包括前侧的点胶区和后侧的振荡区，所述点胶区与振荡区连接，所述点胶区的上表面凸设有第一凸台，所述第一凸台的左右两侧分别凸设有第二凸台和第三凸台，所述振荡区的上表面凸设有第四凸台，所述第四凸台上凸设有第五凸台，所述第二凸台、第三凸台和第五凸台的上表面均符合有电极膜，所述第五凸台的电极膜与第二凸台的电极膜或第三凸条的电极膜连通。2.根据权利要求1所述的一种小型化石英晶片，其特征在于：所述基底、第四凸台和第五凸台均为长方体。3.根据权利要求2所述的一种小型化石英晶片，其特征在于：所述第五凸台的上表面、第五凸台的前侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗杰，
申请(专利权)人：广东惠伦晶体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：