一种谐振器制造技术

一种谐振器，涉及半导体技术领域，该谐振器包括衬底以及依次设置于衬底上的二氧化硅层和铌酸锂薄膜层，其中，铌酸锂薄膜层上划分有以预设距离相间隔的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，对铌酸锂薄膜层的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域分别刻蚀并穿透二氧化硅层至露出衬底，在第一刻蚀区域和第二刻蚀区域内填充保护墙，保护墙至少超出二氧化硅层的上表面。该谐振器能够有效控制空腔的形状，从而避免影响器件性能。件性能。件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种谐振器


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种谐振器。

技术介绍

[0002]基于铌酸锂(LiNbO3)薄膜的微机电系统(MEMS)射频谐振器，由于可以实现满足5G、6G的通讯频段，因而成为全球的研究热点。现有技术中，如图1和图2所示，一般在包含铌酸锂薄膜层101、二氧化硅层104和衬底105的晶圆上，进行MEMS射频谐振器100的制备。具体地，首先在铌酸锂薄膜层101的上表面沉积电极106并图案化，然后再刻蚀释放孔107，最后利用气体或者液体等刻蚀介质从释放孔107进入，通过各向同性反应把二氧化硅层104腐蚀掉，形成空腔108。
[0003]但是，在利用气体或者液体等刻蚀介质从释放孔进入并腐蚀二氧化硅层104形成空腔108的过程中，存在各向同性释放现象，导致空腔108的形状无法控制，容易导致空腔108的形状与设计不符的问题，最终严重影响器件性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种谐振器，能够有效控制空腔的形状，从而避免影响器件性能。
[0005]本专利技术的实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振器，其特征在于，包括衬底以及依次设置于所述衬底上的二氧化硅层和铌酸锂薄膜层，其中，所述铌酸锂薄膜层上划分有以预设距离相间隔的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，对所述铌酸锂薄膜层的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域分别刻蚀并穿透所述二氧化硅层至露出所述衬底，在所述第一刻蚀区域和所述第二刻蚀区域内填充保护墙，所述保护墙至少超出所述二氧化硅层的上表面。2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，还包括依次形成于所述铌酸锂薄膜层上的下电极层、压电层和上电极层，其中，所述衬底的上表面形成有声反射结构，所述声反射结构、所述下电极、所述压电层和所述上电极在层叠方向上的交叠区域形成谐振区域；所述第一刻蚀区域和所述第二刻蚀区域环绕于所述谐振区域的外周。3.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，在所述第一刻蚀区域和所述第二刻蚀区域的对接位置，所述第一刻蚀区域和/或所述第二刻蚀区域的端部形成有缓冲结构，以在对接位置形成用于限定刻蚀介质的路径的缓冲通道。4.根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于，所述缓冲结构在所述衬底上的正投影为U形，所述第一刻蚀区域设置有缓冲结构，所述第二刻蚀区域的端部伸入所述第一刻蚀区域的缓冲结构之间，或者，所述第二刻蚀区域设置有缓冲结构，所述第一刻蚀区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：高峰，周杰，刘婕妤，童欣，孙成亮，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：