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一种谐振器，涉及半导体技术领域，该谐振器包括衬底以及依次设置于衬底上的二氧化硅层和铌酸锂薄膜层，其中，铌酸锂薄膜层上划分有以预设距离相间隔的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，对铌酸锂薄膜层的第一刻蚀区域和第二刻蚀区域分别刻蚀并穿透二氧化硅层至露出...
该专利属于武汉敏声新技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉敏声新技术有限公司授权不得商用。

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