本发明提出一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器制备方法，具体包括如下步骤：图形化衬底硅片，在所述衬底硅片的第一表面形成凹陷区域和凸起区域；制备二氧化硅覆盖层，覆盖所述衬底硅片的第一表面；平整化所述衬底硅片的第一表面，露出所述凸起区域；在所...

本发明公开了一种射频滤波器的制作方法和射频滤波器。包括：S110、提供压电基板；S120、在压电基板上形成金属电极层，并对其进行图形化；在图形化的金属电极层上涂覆光刻胶层，并对光刻胶层进行曝光、显影，以形成与图形化的金属电极层相一致的图...

本实用新型提供了一种基于固体反射层的温度补偿声表面波谐振器，所述声表面波谐振器包括基片、位于该基片上方的压电材料基板以及形成于该压电材料基板上的叉指结构；在所述基片和所述压电材料基板之间设有至少一组反射层组，各组反射层组均包括第一布拉格...

本发明提供一种温度补偿声表面波谐振器及其制备方法，所述温度补偿声表面波谐振器包括压电材料基板、位于该压电材料基板上的第一温度补偿材料层，形成在所述压电补偿材料层上的金属叉指结构，形成在所述金属叉指结构上的第二温度补偿材料层。本发明的温度...

本实用新型提供了一种基于固体反射层的声表面波谐振器，所述声表面波谐振器包括基片、位于该基片上方的压电材料基板以及形成于该压电材料基板上的叉指结构；在所述基片和所述压电材料基板之间设有至少一组反射层组，各组反射层组均包括第一布拉格反射层及...

本发明提供了一种基于固体反射层的声表面波谐振器，所述声表面波谐振器包括基片、位于该基片上方的压电材料基板以及形成于该压电材料基板上的叉指结构；在所述基片和所述压电材料基板之间设有至少一组反射层组，各组反射层组均包括第一布拉格反射层及位于...

一种具有疏水防粘连结构的薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器包括自下而上依次堆叠的基片、疏水结构、下电极、压电薄膜以及上电极；其中，所述基片的上表面设置有空气隙，所述疏水结构设置在所述基片上与所述空气隙对应的位置；所述疏水结构包括聚合...

本实用新型提出一种RF MEMS滤波器，包括：硅衬底或者压电基板；沉积在所述硅衬底上的压电薄膜；沉积于压电基板或者压电薄膜上的金属电极；填充于金属电极之间的绝缘层，以及沉积于金属电极和绝缘层上的压电层，以此实现声表面波(SAW)滤波；沉...

本发明提出一种RF MEMS滤波器，包括：硅衬底或者压电基板；沉积在所述硅衬底上的压电薄膜；沉积于压电基板或者压电薄膜上的金属电极；填充于金属电极之间的绝缘层，以及沉积于金属电极和绝缘层上的压电层，以此实现声表面波(SAW)滤波；沉积于...

本实用新型提供一种温度补偿声表面波谐振器，所述温度补偿声表面波谐振器包括基片、位于该基片上方的压电材料基板以及形成于该压电材料基板上的叉指结构，其中，所述基片和所述压电材料基板之间包括键合层、以形成复合基板。本实用新型的温度补偿声表面波...

一种具有疏水防粘连结构的薄膜体声波谐振器及其制造方法，所述薄膜体声波谐振器包括自下而上依次堆叠的基片、疏水结构、下电极、压电薄膜以及上电极；其中，所述基片的上表面设置有空气隙，所述疏水结构设置在所述基片上与所述空气隙对应的位置；所述疏水...

本实用新型提出一种薄膜体声波谐振器及滤波器，所述谐振器包括带空气隙的硅基片和覆盖在所述空气隙上的压电三明治结构；所述压电三明治结构包括顶电极、压电材料和底电极，其中顶电极、压电材料、底电极依次堆叠；所述顶电极、所述压电材料、所述底电极逐...

本实用新型的目的是针对现有技术的缺陷，提出了一种采用键合方式实现的基于压电单晶材料的薄膜体声波谐振器及滤波器。具体地，本实用新型提出的薄膜体声波谐振器，包括基片及形成在所述基片上的空气隙、覆盖在所述空气隙上方的压电三明治结构，所述压电三...

本实用新型提出一种基于绝缘体硅基片的薄膜体声波谐振器(FBAR)及通信器件。该声波谐振器包括硅衬底、二氧化硅薄膜、压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从上到下依次包括顶电极、压电层、底电极；所述压电薄膜换能器堆叠结构置于所述绝...

本实用新型提出一种带有支撑结构的薄膜体声波谐振器(FBAR)及通信器件。该声波谐振器包括硅衬底、二氧化硅薄膜、压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从上到下依次包括顶电极、压电层、底电极；绝缘体硅基片上形成有空腔以及空腔内支撑结...

本发明是一种薄膜体声波谐振器(FBAR)及其加工方法。该声波谐振器包括硅衬底、二氧化硅薄膜、压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从上到下依次包括顶电极、压电层、底电极。其制造加工方法的特征是：在硅衬底上生长缓冲层，物理气相沉积...

本发明提出一种薄膜体声波谐振器(FBAR)及其加工方法。该声波谐振器包括硅衬底、二氧化硅薄膜、压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从上到下依次包括顶电极、压电层、底电极。其制造加工方法的特征是：在硅衬底上生长缓冲层，物理气相沉...

本发明针对现有技术的缺陷，提出了一种锲形形状薄膜的制备方法。通过对一般常用的图形化方法进行修正，能够制备得到边缘为锲形形状的薄膜，其锲形角度可在0‑90度范围内灵活调整。在具有较小锲形角度的薄膜上淀积新的薄膜材料，新的薄膜材料将不会出现...

本发明提出一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，所述谐振器包括带空气隙的硅基片和覆盖在所述空气隙上的压电三明治结构；所述压电三明治结构包括顶电极、压电材料和底电极，其中顶电极、压电材料、底电极依次堆叠；所述顶电极、所述压电材料、所述底电极在...

本发明提出了一种全新的结合固态封装型工艺和背部空腔型工艺的薄膜体声波谐振器及其制备方法。通过先在器件正面沉积固态封装型(SMR)的布拉格反射层薄膜，然后在反射层薄膜上面依次沉积并刻蚀底电极、压电材料和顶电极，使之形成压电薄膜换能器堆叠结...