RF MEMS滤波器及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种RF MEMS滤波器，包括：硅衬底或者压电基板；沉积在所述硅衬底上的压电薄膜；沉积于压电基板或者压电薄膜上的金属电极；填充于金属电极之间的绝缘层，以及沉积于金属电极和绝缘层上的压电层，以此实现声表面波(SAW)滤波；沉积于上述压电层上的温度补偿层。本发明专利技术使用了双压电层，可以通过压电层材料的搭配以及薄膜晶体取向和厚度控制，调节器件的机电耦合性能；同时相比于传统的单压电层SAW，在获得相同频率器件的过程中可有效降低对光刻的线宽要求。

【技术实现步骤摘要】
RFMEMS滤波器及其制备方法
本专利技术涉及一种无线通信射频前端器件，特别是一种RFMEMS滤波器。
技术介绍
随着无线通讯应用的发展，人们对于数据传输速度的要求越来越高。在移动通信领域，第一代是模拟技术，第二代实现了数字化语音通信，第三代(3G)以多媒体通信为特征，第四代(4G)将通信速率提高到1Gbps、时延减小到10ms，第五代(5G)是4G之后的新一代移动通信技术，虽然5G的技术规范与标准还没有完全明确，但与3G、4G相比，其网络传输速率和网络容量将大幅提升。如果说从1G到4G主要解决的是人与人之间的沟通，5G将解决人与人之外的人与物、物与物之间的沟通，即万物互联，实现“信息随心至，万物触手及”的愿景。与数据率上升相对应的是频谱资源的高利用率以及通讯协议的复杂化。由于频谱有限，为了满足数据率的需求，必须充分利用频谱；同时为了满足数据率的需求，从4G开始还使用了载波聚合技术，使得一台设备可以同时利用不同的载波频谱传输数据。另一方面，为了在有限的带宽内支持足够的数据传输率，通信协议变得越来越复杂，因此对射频系统的各种性能也提出了严格的需求。在射频前端模块中，射频滤波器起着至关重本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种RF MEMS滤波器，其特征在于，包括：第一压电层；设置在所述第一压电层上的金属电极；填充于所述金属电极之间的介质层；以及设置于所述金属电极和所述介质层上的第二压电层。

【技术特征摘要】
1.一种RFMEMS滤波器，其特征在于，包括：第一压电层；设置在所述第一压电层上的金属电极；填充于所述金属电极之间的介质层；以及设置于所述金属电极和所述介质层上的第二压电层。2.根据权利要求1所述的RFMEMS滤波器，其特征在于，还包括位于所述第二压电层上的温度补偿层。3.根据权利要求1所述的RFMEMS滤波器，其特征在于，所述金属电极的材料为钨、银、锆、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铜、钛、铬、铪、铝之一或者组合。4.根据权利要求1所述的RFMEMS滤波器，其特征在于，填充于所述金属电极之间的介质层材质包括二氧化硅、氮化硅或者其他绝缘材料。5.根据权利要求2所述的RFMEMS滤波器，其特征在于，所述温度补偿层为二氧化硅或二氧化硅的掺杂薄膜。6.一种RFMEMS滤波器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪泉，张树民，王国浩，
申请(专利权)人：杭州左蓝微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33