一种C波段分布式超宽带滤波功率放大模块制造技术

本发明专利技术公开了一种C波段分布式超宽带滤波功率放大模块，采用低温共烧陶瓷技术，将功率放大器芯片WFD与滤波器F烧结在一起。本发明专利技术实现了一种具有易调试、重量轻、体积小、可靠性高、电性能好、温度稳定性好的C波段分布式超宽带滤波功率放大模块；本发明专利技术实现了单芯片多功能，有效降低了空间的占用，提高了单面积使用效率，适用于相应微波通信、卫星通信、遥测遥控等对选择性、尺寸、插入损耗、成本等指标要求较高的领域。

A C band distributed ultra wideband filter power amplifier module

The invention discloses a C band distributed UWB filter power amplification module, which uses low-temperature CO fired ceramic technology to power the power amplifier chip WFD and filter F together. The invention realizes a C band distributed easy debugging, light weight, small volume, high reliability, good electrical properties, good temperature stability of the ultra wideband filter power amplifier module; the invention realizes single chip multi function, effectively reduce the space occupied area, improve the use efficiency, suitable for the microwave communications, satellite communications, telemetry and remote control of size, high selectivity, insertion loss, cost and other requirements of the field.

【技术实现步骤摘要】
一种C波段分布式超宽带滤波功率放大模块
本专利技术涉及一种微型功率放大器，特别是一种S波段超宽带C波段分布式超宽带滤波功率放大模块。
技术介绍
自从马可尼在1901年成功将电磁波信号由欧洲大陆传送至纽约后，通信技术就以极快的速度进步，近十年里，无线通讯技术成为微电子器件和信息产业的新生长点，相关器件朝着功耗低、高性能、小型化、能批量加工的方向发展，对射频器件的性能、尺寸、功耗等有越来越高的要求。集成模块提供了整合有源器件或模块及无源器件的能力，达到了模块缩小以及低成本的要求，由低温共烧陶瓷技术加工制成的双工器、功分器、耦合器等器件因此得到了广泛的应用。现阶段对滤波放大电路的研究也更加深入，但如专利CN104639077A中设计的无源滤波放大电路因受限于元器件，存在体积较大，加工时间较长等缺点。低温共烧陶瓷技术采用多层陶瓷技术，将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个滤波器、耦合器等器件埋入多层陶瓷基板中，然后叠压在一起，，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块，可缩短加工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种C波段分布式超宽带滤波功率放大模块，其特征在于：包括功率放大芯片WFD和包含有五级带状线的滤波器F、贴装有50欧姆阻抗信号输入端（P1）、贴装有50欧姆阻抗信号输出端（P2）、功率放大芯片WFD控制端口（P3）、接地端口（GND1）、接地端口（GND2）、功率放大芯片WFD的输入带状线（Rin）、输出带状线（Rout）、连接功率放大芯片以及滤波器F的连接柱H1,五级滤波器F的第一并联谐振单元（L11、L12、L13）、五级滤波器F的第二并联谐振单元（L21、L22、L23）、五级滤波器F的第三并联谐振单元（L31、L32、L33）、五级滤波器F的第四并联谐振单元（L41、L42、L43）、...

【技术特征摘要】
1.一种C波段分布式超宽带滤波功率放大模块，其特征在于：包括功率放大芯片WFD和包含有五级带状线的滤波器F、贴装有50欧姆阻抗信号输入端（P1）、贴装有50欧姆阻抗信号输出端（P2）、功率放大芯片WFD控制端口（P3）、接地端口（GND1）、接地端口（GND2）、功率放大芯片WFD的输入带状线（Rin）、输出带状线（Rout）、连接功率放大芯片以及滤波器F的连接柱H1,五级滤波器F的第一并联谐振单元（L11、L12、L13）、五级滤波器F的第二并联谐振单元（L21、L22、L23）、五级滤波器F的第三并联谐振单元（L31、L32、L33）、五级滤波器F的第四并联谐振单元（L41、L42、L43）、五级滤波器F的第五并联谐振单元（L51、L52、L53）、输入电感（Lin）、输出电感（Lout）、接地板（G1）、接地板（G2）；功率放大芯片WFD通过输出带状线（Rout）、连接柱（H1）、输入电感（Lin）与五级滤波器F连接；五级滤波器F由五级并联谐振单元组成；输入电感（Lin）与五级滤波器F第一并联谐振单元的第二带状线（L12）开路端连接，左端与连接(H1)的下侧连接；第一并联谐振单元由第一并联谐振单元的第一带状线（L11）、第一并联谐振单元的第二带状线（L12）、第一并联谐振单元的第三带状线（L13）组成，第一带状线（L11）、第三带状线（L13）的前端开路，后端与接地端口（GND2）连接，第二带状线（L12）的后端开路，前端与接地端口（GND1）连接；第二并联谐振单元由第二并联谐振单元的第一带状线（L21）、第二并联谐振单元的第二带状线（L22）、第二并联谐振单元的第三带状线（L23）组成，第一带状线（L21）、第三带状线（L23）的前端开路，后端与接地端口（GND2）连接，第二带状线（L22）的后端开路，前端与接地端口（GND1）连接；第三并联谐振单元由第三并联谐振单元的第一带状线（L31）、第三并联谐振单元的第二带状线（L32）、第三并联谐振单元的第三带状线（L33）组成，第一带状线（L31）、第三带状线（L33）的前端开路，后端与接地端口（GND2）连接，第二带状线（L32）的后端开路，前端与接地端口（GND1）连接；第四并联谐振单元由第四并联谐振单元的第一带状线（L41）、第四并联谐振单元的第四带状线（L42）、第四并联谐振单元的第四带状线（L43）组成，第一带状线（L41）、第三带状线（L43）的前端开路，后端与接地...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚君，严浩嘉，戴永胜，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32