本实用新型公开了一种可靠性高的射频前端模组，涉及射频前端模组加工技术领域，包括基板以及设于基板表面的第一焊盘、第二焊盘、阻焊层和引出导线，所述引出导线包括被基板与阻焊层包覆的隔绝段和未被阻焊层包覆的开窗段，所述开窗段与第一焊盘连接，所述...

本实用新型公开了一种小体积滤波器及具有该小体积滤波器的双工器，解决了现有技术的不足，小体积滤波器为RX滤波器，RX滤波器包括RX滤波器串联谐振臂、第一纵向耦合谐振器和第二纵向耦合谐振器，天线端口和RX滤波器串联谐振臂相连接，RX滤波器串...

本发明公开了一种适用射频前端模组载波聚合电路，解决了现有技术的不足，包括射频开关和若干个声表面滤波器，射频开关的输出端和声表面滤波器输入端之间设置有LC电路，LC电路中的电感L并联在射频开关与声表面滤波器之间，LC电路中的电容C串联在射...

本发明提出的MEMS谐振器中，振动主体是由第一形状的外轮廓和第二形状的内轮廓限定的环状结构；本发明根据弹性波传播速度的传播轮廓来设计振动主体的内外轮廓形状，通过令第一形状的中心点到第一形状的外轮廓上各边缘点的距离与对应方向上弹性波传播速...

本发明公开了一种横向激励薄膜体声波谐振器及其制备方法，横向激励薄膜体声波谐振器包括压电板、叉指换能器、若干镂空槽和介电材料，镂空槽设在压电板的正面，若干镂空槽分别设在靠近两个汇流条的位置，且位于叉指电极的末端附近，介电材料声速低于压电板...

本发明公开了一种空气隙薄膜体声波滤波器制备方法，包括以下步骤：S1：在第一衬底的表面依次沉积钝化层、上电极、压电层、下电极，对下电极进行图形化；S2：在下电极上沉积支撑层，并对支撑层进行抛光和图形化后形成空腔；S3：使用第二衬底与支撑层...

本实用新型公开了一种声表面波器件，包括依次叠置的压电薄膜层和衬底层，以及包括设在压电薄膜层的远离衬底层一侧的叉指换能器，压电薄膜层为铌酸锂薄膜；压电薄膜层利用水平剪切型声表面波，压电薄膜层的欧拉角为(0

本实用新型公开了一种声表面波滤波器,所述声表面波滤波器包括滤波芯片和封装层,所述滤波芯片上具有传输电极，所述滤波芯片的背面设有输入管脚、输出管脚和接地管脚，所述滤波芯片上设有沿其厚度方向延伸的第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一通孔内...

本实用新型公开了一种空气隙薄膜体声波滤波器，包括：衬底，所述衬底的上表面设有空腔；牺牲层，所述牺牲层沉积在所述空腔内，牺牲层上表面与衬底及空腔上表面持平；种子层，沉积在所述衬底和牺牲层上；下电极，沉积在所述种子层上；压电层，沉积在所述下...

本发明公开了一种声表面波滤波器及其封装方法,所述声表面波滤波器包括滤波芯片和封装层,所述滤波芯片上具有传输电极，所述滤波芯片的背面设有输入管脚、输出管脚和接地管脚，所述滤波芯片上设有沿其厚度方向延伸的第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第...

本发明公开了一种声表面波器件，包括依次叠置的压电薄膜层和衬底层，以及包括设在压电薄膜层的远离衬底层一侧的叉指换能器，压电薄膜层为铌酸锂薄膜；压电薄膜层利用水平剪切型声表面波，压电薄膜层的欧拉角为(0

本实用新型公开了一种用于芯片失效性分析的分离装置，包括支撑基板、刀片、用于带动刀片升降的升降调节器和芯片支撑架，所述芯片支撑架与支撑基板固定，芯片支撑架上设有至少一个用于放置芯片的芯片槽，刀片固定在升降调节器上，刀片的刃口朝向芯片槽，所...

本发明公开了连续沉膜的空气隙薄膜体声波滤波器制备方法及滤波器，包括：S1：在衬底的表面上制作空腔；S2：在衬底及空腔上沉积牺牲层，并磨平；S3：在衬底及牺牲层上沉积种子层、下电极、压电层，并跳转S4或S5；S4：刻蚀出下电极图形，将刻蚀...

本发明公开了一种空气隙薄膜体声波滤波器及其制备方法，方法包括：S1：在衬底的上表面制作空腔；S2：在空腔内沉积牺牲层，并将牺牲层磨平至与空腔上表面持平；S3：在衬底及牺牲层上依次沉积种子层和下电极，并对下电极进行图形化；S4：在图形化后...

本实用新型公开了一种体声波双工器，包括Tx滤波器、Rx滤波器和移相器，Rx滤波器的一端依次连接移相器和天线端，另一端与低噪声放大器相接，Tx滤波器的一端与天线端及移相器连接，另一端与功率放大器相接，所述Tx滤波器和Rx滤波器均为多阶滤波...

本实用新型涉及滤波器技术领域，公开了一种性能稳定的具有高可靠性薄膜的薄膜体声波谐振器，其包括带有空腔的衬底，形成在所述空腔上方的压电堆叠结构；所述压电堆叠结构包括堆叠的底电极、压电材料、顶电极，其中所述底电极整体呈锲形，锲形上端拐角处形...

本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备工艺，制备工艺包括以下步骤：制作衬底，刻蚀衬底形成凹槽，在凹槽内填充牺牲材料；在衬底上沉积下电极并图形化下电极，下电极覆盖凹槽；在下电极上沉积压电层；对压电层的特定区域进行离子轰击以削剪特定区域的...

本发明公开了一种叉指换能器指条成型工艺以及声表滤波器，叉指换能器指条成型工艺通过调整光刻图形传统的互联结构，修改版图曝光区，有效地避免了光刻工艺中光刻图形形变异化的情况发生。并在后续的工艺流程中，通过目前已经较为成熟的、被本领域技术人员...

本实用新型涉及微电子技术领域，尤其涉及一种能减少能量横向泄露的体声波谐振器。该体声波谐振器包括：衬底、位于衬底上方的三明治结构以及焊盘；衬底朝向三明治结构的一侧设有空腔；三明治结构包括压电层、位于压电层之上且与压电层的上表面至少部分接触...

本实用新型公开了一种具备改善远端带外抑制效果的声电联合结构，包括基板、封装在基板上的耦合低通装置以及通过倒装工艺封装在基板上并与所述耦合低通装置实现电连接的声学滤波器；所耦合低通装置包括第一耦合线和第二耦合线，第一耦合线和第二耦合线两端...