声表面波器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了声表面波器件，包括：压电基板；叉指换能器，设置在所述压电基板上；介质层，其设置在所述压电基板上且不覆盖或至少部分覆盖所述叉指换能器；电感，其设置在所述介质层之上或之中；所述电感位于所述叉指换能器的上方并避开所述叉指换能器的工作区域。本发明专利技术还公开了声表面波器件制造方法。本发明专利技术中采用在前道工序中直接制作电感，无需采用LTCC封装，降低了声表面波器件的封装成本，为后道工序提供了更多的选择。

【技术实现步骤摘要】
声表面波器件及其制造方法
本专利技术属于声表面波
，具体涉及声表面波器件及其制造方法。
技术介绍
相关技术中制作声表面波（SAW）器件的工序分为前道和后道。其中前道工序主要是器件的制备，包括沉积压电层、在压电层的上表面进行叉指换能器（IDT）制备，在TC-SAW制备时还包括在叉指换能器上制备温度补偿层。后道是指对上述器件的封装，封装可以是LTCC封装（还可以是HTCC封装等）。其中LTCC主要指低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-firedCeramic，LTCC），该技术是1982年开始发展起来的整合组件技术，目前是成为无源集成的主流技术。LTCC整合型组件包括各种基板承载或内埋各式主动或被动组件的产品，整合型组件产品项目包含零组件（components）、基板（substrates）与模块（modules）。LTCC封装可进一步将电路小型化与高密度化，特别适合用于高频通讯用组件，在声表面波器件
，目前所使用的主要是LTCC上设置有电感（IND），在声表面波器件制作完成后再将设置有电感的LTCC倒装在声表面波器件上，完成封装。上述过程业内称之为后道。然而相关技术中，由于电感是在封装过程中才整合进声表面波器件，其制作成本较高，封装工艺的选择面窄。
技术实现思路
针对相关技术中所存在的不足，本专利技术提供了制作成本低、封装工艺选择面更宽的声表面波器件及制造方法。第一方面，声表面波器件，包括：压电基板；叉指换能器，设置在所述压电基板上；介质层，其设置在所述压电基板上且不覆盖或至少部分覆盖所述叉指换能器；电感，其设置在所述介质层之上或之中；所述电感位于所述叉指换能器的上方并避开所述叉指换能器的工作区域。第二方面，声表面波器件制造方法，包括如下步骤：准备压电基板，在所述压电基板上制作叉指换能器；在所述压电基板上制作介质层，所述介质层不覆盖或至少部分覆盖所述叉指换能器；在所述介质层上避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，或在所述介质层中避开所述叉指换能器的工作区域制作电感。作为优化，所述在所述介质层之上避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，可包括如下步骤：在所述介质层上制作第一金属层；图形化所述第一金属层，形成电感，所述电感位置避开所述叉指换能器的工作区域。作为优化，所述在所述介质层之中避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，可包括如下步骤：在所述介质层上制作对应于电感图形的凹槽，所述凹槽位置避开所述叉指换能器的工作区域；在所述凹槽中填充金属材料以形成电感。作为优化，所述电感围绕所述叉指换能器的工作区域设置。相比于现有技术，本专利技术具有如下有益效果：通过在前道工序中直接制作电感，而非像传统后道工序那样将电感封装进来，不但降低了声表面波器件的封装成本，还为后道工序提供了更多的选择。相比现有的声表面波器件，本专利技术中声表面波器件的散热性能也有一定的提升，频率温度系数（TCF）更低。另外，本申请中采用的电感制备方式相对于相关技术中对于封装的电感方式，在一定程度上对器件的Q值也有提高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术声表面波器件实施例1的一种结构示意图；图2为本专利技术声表面波器件实施例1的另一种结构示意图；图3为本专利技术声表面波器件实施例1中电感围绕工作区域的结构示意俯视图；图4为本专利技术声表面波器件实施例2的一种结构示意图；图5为本专利技术声表面波器件实施例2的另一种结构示意图；图6为本专利技术声表面波器件制造方法实施例3的流程示意图；图7为本专利技术声表面波器件制造方法实施例4的流程示意图；图8为本专利技术声表面波器件制造方法中在介质层上制作电感的流程示意图；图9为本专利技术声表面波器件制造方法中在介质层中制作电感的流程示意图。其中，1、压电基板；2、叉指换能器；3、介质层；31、温度补偿层；4、电感。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面结合附图，对本申请示例性实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互补充或相互组合。在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.声表面波器件，其特征在于，包括：/n压电基板；/n叉指换能器，设置在所述压电基板上；/n介质层，其设置在所述压电基板上且至少部分覆盖所述叉指换能器；/n电感，其设置在所述介质层之上或之中；/n所述电感位于所述叉指换能器的上方并避开所述叉指换能器的工作区域。/n

【技术特征摘要】
1.声表面波器件，其特征在于，包括：
压电基板；
叉指换能器，设置在所述压电基板上；
介质层，其设置在所述压电基板上且至少部分覆盖所述叉指换能器；
电感，其设置在所述介质层之上或之中；
所述电感位于所述叉指换能器的上方并避开所述叉指换能器的工作区域。


2.声表面波器件，其特征在于，包括：
压电基板；
叉指换能器，设置在所述压电基板上；
介质层，其设置在所述压电基板上且不覆盖所述叉指换能器；
电感，其设置在所述介质层之上或之中；
所述电感位于所述叉指换能器的上方并避开所述叉指换能器的工作区域。


3.根据权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，还包括：
温度补偿层，设置在所述压电基板上，其至少覆盖所述叉指换能器的一部分。


4.根据权利要求1-3任一项所述的声表面波器件，其特征在于：
所述介质层采用磷硅玻璃或多晶硅材料制成；或
所述电感围绕所述叉指换能器的工作区域设置。


5.声表面波器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
准备压电基板，在所述压电基板上制作叉指换能器；
在所述压电基板上制作介质层，所述介质层至少部分覆盖所述叉指换能器；
在所述介质层上避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，或在所述介质层中避开所述叉指换能器的工作区域制作电...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑根林，牛玉娇，张树民，
申请(专利权)人：杭州左蓝微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33