描述了一种沉积系统（１００）及其操作方法，该沉积系统和方法用于利用高密度等离子体在大高宽比特征结构中沉积保形金属或其他具有类似响应性的涂覆材料膜。沉积系统包括分别用于形成等离子体和将金属蒸气引入到沉积系统（１００）的等离子体源（１２０）...

本发明描述了一种用在单晶片处理系统中、具有独特的加热器元件的晶片加热组件。加热单元包括嵌入在石英护套中的碳导线元件。加热单元与石英一样不受污染，其可以允许直接接触晶片。碳“导线”或“编织”结构的机械柔韧性允许线圈构造，这允许在晶片上进行...

本发明描述了用于与高传导率蒸汽传输系统相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统（５０、１５０、３００、３００’）的可置换前驱体盘，其用于通过增大固态前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统（５０、１５０、３００、３００’）被配置为...

本发明改进了用于确定到沉积工具的前驱体蒸汽的流率的测量精度，尤其用于低蒸汽压前驱体，例如羰基钌（Ｒｕ↓［３］（ＣＯ）↓［１２］）或羰基铼（Ｒｅ↓［２］（ＣＯ）↓［１０］）。在一个实施例中，系统（１、１００）包括被提供用于测量流率的压差压...

一种被配置为耦合到薄膜沉积系统的膜前驱体蒸发系统，包括：　　　　包括外壁和底部的容器，所述容器被配置为耦合到加热器并被加热到升高的温度；　　　　被配置为可密封地耦合到所述容器的盖，所述盖包括被配置为可密封地耦合到所述薄膜沉积系统的出口；...

本发明公开了用于在ＡＬＤ成膜装置中有效地抑制由不可避免地附着在反应管内面上的不需要的膜的剥离而产生的颗粒的技术。为了防止不需要的膜的剥离，进行用ＡＬＤ法使金属氧化物膜、例如氧化铝膜堆积在上述不需要的膜上的预涂层处理。使预涂层处理时将作为...

本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间...

给出了一种包括多变量控制器的适应性实时热处理系统。该方法包括创建ＭＬＤ处理系统的动态模型并在动态模型中结合虚拟传感器。该方法包括使用包括智能设置点、动态模型和／或虚拟传感器的工艺方案。

一种气体处理方法，其特征在于，在至少表面含镍（Ｎｉ）的高温部件的存在下，利用含有ＮＨ↓［３］气体和Ｈ↓［２］气体的气体对被处理体进行气体处理，　　　　控制Ｈ↓［２］／ＮＨ↓［３］流量比和所述部件的温度而抑制所述部件的镍的反应。

一种薄膜的叠层结构的形成方法，在能够抽真空的处理容器内在被处理体的表面上堆积多层薄膜而形成薄膜的叠层结构，其特征在于，将以下工序分别交替进行１次以上：　　　　使用含有作为合金种的第一金属的原料气体和还原气体，形成由第一金属构成的合金种膜...

本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在...

本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，使用如下所述的等离子体处理容器的再生方法进行等离子体处理，该等离子体处理容器的再生方法是：向用稀土族氧化物、聚酰亚胺和聚苯并咪唑中的任何一种喷镀膜覆盖基材表面得到的等离子体处理容器的内部部件的...

本发明提供一种原料供给装置，是向成膜装置供给使固体原料升华的气体原料的原料供给装置，其特征在于，包括：内部保持所述固体原料的原料容器；设置在所述原料容器的第一侧的第一加热单元；设置在所述原料容器的第二侧的第二加热单元；第一温度控制单元，...

本发明提供一种汽化器和半导体处理系统，其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器，包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间，在容器的内侧面和下部热交换体之...

本发明涉及一种Ｔｉ系膜的成膜方法，是在收纳晶片（Ｗ）的腔室（３１）内，从至少表面由含有Ｎｉ的材料构成的喷淋头（４０）喷出含有ＴｉＣｌ↓［４］气体的处理气体，在配置在腔室（３１）内的晶片（Ｗ）的表面上形成Ｔｉ系膜时，使喷淋头（４０）的温度...

本发明的成膜装置（１００）具有处理容器（１１），向处理容器（１１）内供给ＴｉＣｌ↓［４］气体和ＮＨ↓［３］气体，利用ＣＶＤ在配置于处理容器（１１）内的基板（Ｗ）上形成ＴｉＮ膜。在处理容器（１１）中设置有排气系统结构（３００）。该排气系统...

本发明的目的是输送基板以使得在玻璃基板上的涂敷膜上不产生不均。在抗蚀剂涂敷处理组件的台的前后，设有第１输送体和第２输送体。第２输送体具有在Ｙ方向上排列的多个辊、支承辊的保持器、和安装保持器的轨道板。在保持器上设有使辊旋转的旋转驱动部、和...

本发明提供一种石英制品，由于半导体制造装置的热处理装置的部件石英制品在加工时被铜污染，因此，在热处理装置运转时，就需要抑制对半导体基板引起的铜污染。在石英制品还没有在半导体基板的热处理中使用的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并将含有氯化...

本发明提供一种大幅削减并缩短教学操作时间的教学方法，该方法将具有搬运机构的处理系统中所述搬运机构的移动目标位置存储于控制装置，所述搬运机构以拾取器保持并搬运被处理体，其工序如下：在移动至临时目标位置的移动路径的途中，在所述搬运机构与其它...

一种输送系统的输送位置对准方法，其特征在于，　　　　该输送系统具有：　　　　至少具有１个保持被输送物的拾取器件的第一输送机构；　　　　至少具有１个保持被输送物的拾取器件的第二输送机构；　　　　多个装置，可由所述第一和第二输送机构中的至少...