本发明公开了利用具有仿真衍射信号输入的支持向量机的光学计量。可以利用支持向量机来检查在半导体晶片上形成的结构。获得结构的轮廓模型。该轮廓模型由表征结构的几何形状的轮廓参数定义。获得一组轮廓参数值。利用该组轮廓参数值生成一组仿真衍射信号，...

热处理装置，其设有热处理炉， 与所述热处理炉相连、用于排出所述热处理炉内的包围气体的排气管， 主阀，其安装在所述排气管之间，且具有阀箱和设置在所述阀箱上并开关所述主通道的阀体，其中所述阀箱形成有入口、出口以及与所述入口和出口...

本发明的加热装置（２）具备：热板（４１），载置基板（Ｗ）；顶板（６２），与该基板对置；气体排出部（３１），设在上述热板（４１）的一端侧，将气体排出到该热板（４１）和顶板（６２）之间；排气部（５１），夹着上述热板（４１）与气体排出部（３１...

像以往的冷却装置那样，从冷却装置中取出制冷剂，在外部用水分吸附过滤器除去水分，另外，除此之外或者单独用乙醇等清洗热交换器和制冷剂的循环配管内附着的水分，用干燥空气等使其干燥，冷却装置的运转效率降低。另外，如果像专利文献１～３中记载的技术...

本发明公开了一种流体加热设备，包括：卤素灯２３；及管状结构２６，它围绕加热灯，且具有流体入口２４和流体出口２５。管状结构２６包括绕卤素灯２３周向布置的多个直管２６ａ，且相邻直管２６ａ彼此接触，或彼此隔开少许。直管２６ａ的至少面对卤素灯２...

在专利文献１所述的脉动减轻装置的情况下，将主腔室配置在辅助腔室的高位置，在主腔室内溶解空气产生的增量的液体溢流到辅助腔室，通过辅助腔室内的空气置换该液量，使得例如在半导体晶片等的被处理体的检查装置等在载置体上冷却被处理体的情况下，在载置...

本发明提供一种脉动减轻装置和一种使用这种脉动减轻装置的检查装置。该脉动减轻装置是在具备使液体在基台内循环的泵和贮存通过该泵循环的液体的罐体的装置中使用，其将在所述罐体内的液面上的空隙部的气体作为缓冲体，减轻所述泵引起的所述液体的脉动，其...

一种盖体装置，用于开闭形成在本体上的开口部，其特征在于，具备：　　　　盖体，具有开闭所述开口部的作用面和其相反侧的背面；　　　　摇臂，将所述盖体可开闭地安装在所述本体上，所述摇臂具有将所述摇臂在所述开口部的周围可旋转地支持在所述本体上的...

本发明提供一种通过接合多片板材而构成的，充分确保接合部的气密性的减压容器。在减压容器内，由底板７３的壁部７３ａ和侧板７４ｃ或侧板７４ｄ形成的接合部Ｊａｃ、Ｊａｄ以及由侧板７４ｃ与侧板７４ｄ形成的接合部Ｊｃｄ，在这些接合面两侧的内壁面分别...

一种多位止动机构，用于在能够通过移动而互相止动接触和脱离止动接触的第一物体和第二物体之间提供多个停止位置。本发明的多位止动机构包括构造成将多位止动机构固定到第一物体和／或第二物体的壳体、可转动地安装于壳体的可转动轴和位于可转动轴上的多个...

本发明提供一种防止在工作时泵的发热、可以实现使药液从前端喷嘴滴下的将排出泵小型化的药液供给系统。通过将压缩空气供应到抗蚀剂瓶（１５）的上层空间（１５ａ）而将成为正压的药液加压输送到排出泵（１１）的泵室内，从而将抗蚀剂（Ｒ）填充到泵室内。...

本发明涉及一种用于等离子体处理系统的改进零件，并且更具体地涉及用于等离子体处理室的内部室零件的紧固件。此外，本发明涉及制造这种紧固件的方法。

一种热处理装置，其特征在于包括： 筒状的处理容器； 多段地保持多个被处理物体、同时可以在所述处理容器内插入拔出的被处理物体保持装置； 向所述处理容器内导入预定处理气体的处理气体导入装置； 向所述处理容器内导入预定...

一种立式热处理装置，包括：用于容纳、热处理多个被处理物体的处理容器，覆盖该处理容器周围的筒状加热器，和以可从一侧对其进行维护的方式容纳所述加热器的筐体，其特征在于，所述加热器具有多个可单个更换的加热元件，所述加热器具有可旋转地支持加热器...

给出了一种包括多变量控制器的适应性实时热处理系统。该方法包括创建单层沉积（ＭＬＤ）处理系统的动态模型并在动态模型中结合虚拟传感器。该方法包括使用包括智能设置点、动态模型和／或虚拟传感器的工艺方案。

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，在卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路内形成第一环境。设定上述第一环境，使上述卤素酸性气体的平均分子量为２０～２３。该使用方法从上述气体供给源，通过已形成上述第一环境的上...

本发明提供一种收集单元，配设在半导体处理装置的排气通路中，用于收集排出气体中含有的副产物。收集单元包含以能够装卸的方式配设在壳体内的用于收集副产物的部分的收集器本体。收集器本体包含沿排出气体的流动方向排列的多个翼片，各翼片具有通过附着副...

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其包括：将上述成膜装置的反应室设定为没有容纳产品用的被处理基板的空载状态的工序；和进行除去存在于上述反应室的内面中的污染物质的吹扫处理的工序，其中，将通过使包含氧和氢作为元素的吹扫处理气体...

本发明提供一种能够抑制盖体开闭动作中所必要的装置空间的基板处理装置。从盖体（６２）气密地与腔室主体（６１）接触的状态开始，使升降马达（１０７、１２７）工作，使盖体（６２）稍微上升。其次，沿着高度不同地配置在处理腔室（６０）的两侧部的导轨...

在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再...