提供一种检查装置、探针卡及检查方法，该检查装置在检查之前利用熔结现象来实现探针与晶片上的电极之间的电导通，通过简单的电路结构来实现较短的检查时间。在检查装置的探针卡上的两个一组的各探针对的每个探针对上形成熔结电路。在各熔结电路上连接电容...

一种微结构，包括：质量块；在其中可动地容纳了质量块的基底构件。质量块包括暴露于基底构件之外的表面以及限动线，所述限动线布置在质量块的所述表面上方，以抑制质量块的过度运动。

一种加速度传感器（１０），用于检测预定物件的从基本姿态开始的倾斜位移，所述加速度传感器配有传感器芯片，其中所述传感器芯片具有检测面，该检测面包括检测倾斜位移的一根检测轴或者交差的两根检测轴。配置与所述传感器芯片的所述检测面垂直的轴，使得...

本发明提供了一种以简易方式高精度地检查具有微小可动部的微小结构体的探针卡及检查装置。探针卡（６）包含：扬声器（２）、固定探针（４）的电路基板（１００），在电路基板（１００）上装载扬声器（２）。而且，在电路基板（１００）中设置开口区域，在...

本发明提供一种微小结构体的检查装置、检查方法、以及检查程序。扬声器部（２）包括多个声源，从各个声源输出声波。通过从扬声器部（２）输出的为疏密波的声波的到达、即空气振动，使作为检测芯片（ＴＰ）的微小结构体的三轴加速度传感器的可动部分动作。...

本发明提供一种粒子监视装置，其具备：发出测量光的光源；和连接到所述减压容器上，向所述减压容器内投射所发的测量光而且接受来自在所述减压容器内浮游着的粒子的散射光的光投射接收单元。所述光投射接收单元被配置为与所述测量光大体上平行地接受所述散...

本发明提供一种使用光学计量来测量半导体晶片上形成的受损结构的方法。该方法包括从受损周期结构获得测得的衍射信号。定义该受损周期结构的假想轮廓。该假想轮廓具有未受损部分和受损部分，所述未受损部分对应所述受损周期结构中第一材料的未受损区域，所...

等离子体加工系统，包含：　　　　反应室，含有等离子体加工区；　　　　卡盘，用于在反应室加工区中承载衬底；　　　　等离子体发生器，与反应室相连，该等离子体发生器用于在等离子体加工区的等离子体加工过程中产生等离子体；　　　　磁场发生器，用于...

本发明提供一种检测辅助装置（３），其用于，使半导体处理装置的石英制棒状部件（２１）的检测对象部分接触由蚀刻液组成的处理液，然后分析处理液，测定在检测对象部分中含有的金属杂质的检测。棒状部件（２１）具有位于夹持检测对象部分的一对凹部（２２...

为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件...

提供一种可切实地监控包含易剥离的沉积物的颗粒，正确地评价真空装置的清洁度的颗粒监控用窗口部件。该颗粒监控用窗口部件，由在形成预定空间的框体和监控该框体内的颗粒的颗粒监控装置之间设置的透明基件制成，基件由透明的基座和在与该基座上的所述框体...

本发明涉及测定有机物气体浓度的测定装置（２），从处理系统内的目标空间引出目标氛围气体，测定其中有机物气体的浓度。装置（２）包括具有与目标空间连接的导入口的捕集容器（２０）。排气系统（３６）与捕集容器（２０）连接。在捕集容器（２０）内，收...

本发明涉及同轴电缆的异常检测系统及其异常检测方法、以及具备该异常检测系统的处理装置。提供一种能够检测压曲或裂纹那样的极小的异常，并且能够不停止处理装置就对极小的异常进行检测的同轴电缆的异常检测系统。该同轴电缆的异常检测系统包括：一端与Ｒ...

为了在光学计量中选择重复结构的单位元配置，为重复结构定义多个单位元配置。每个单位元配置由一个或多个单位元参数来定义。所述多个单位元配置中的各个单位元在至少一个单位元参数方面彼此不同。使用一个或多个选择标准来选择所述多个单位元配置中的一个...

由于在第一电极（１）和第二电极（２）之间配置屏蔽电极（４），通过电容型传感器检测电路（６４）使第一电极（１）和屏蔽电极（４）的交流电位差近乎为零从而使它们同电位，并检测第一电极（１）和第二电极（２）之间的阻抗变化，因而表观上减小了在第一...

一种温度测定方法，它利用设置在离开所述被测定体的测定部的两个辐射温度计，测定在多重反射环境中由热源加热的被测定体的温度，所述两个辐射温度计具有：分别埋入所述测定部且可接受来自所述被测定体的辐射光的杆；和与该杆连接的光纤，并且开口数不同，...

本发明涉及在光学计量中用近似和精细衍射模型确定结构的轮廓参数，提供了一种通过使用光学计量模型确定结构的一个或多个轮廓参数的方法，该光学计量模型包括轮廓模型、近似衍射模型和精细衍射模型。根据所述结构的近似衍射模型产生模拟近似衍射信号。通过...

本发明公开了一种通过／不通过式量具和方法，用于检验用在等离子体加工工具的等离子体室内的工艺组件是否已经累积过多的磨损或沉积物。所述量具包括用于检验工艺组件的尺寸是否违反指定的尺寸公差的部件，所述违反表示工艺组件已经累积过多的磨损或沉积物。

可通过将入射脉冲导向形成在晶片上的结构来检查该结构，其中入射脉冲是亚皮秒光脉冲。测量由于入射脉冲因该结构而衍射导致的衍射脉冲。然后基于测得的衍射脉冲确定该结构的轮廓的特性。

表征晶片中的重复结构的顶视图轮廓，并选择参数来代表重复结构的顶视图轮廓的变化。开发包括重复结构的选定的顶视图轮廓参数的光测量模型。使用优化的光测量模型来生成仿真衍射信号以便与测得衍射信号进行比较。