本发明公开了用于对处理室（１０）中的放热性室清洁处理进行控制的方法（７００、８００）和系统（１）。本方法（７００、８００）包括在室清洁处理过程中将系统元件（２０）暴露于清洁气体（１５）以从系统元件（２０）除去材料沉积物（４５），在室清洁...

本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统（４０）相耦合的多盘膜前驱体蒸发系统（１），其用于通过增大膜前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘膜前驱体蒸发系统（５０）包括一个或多个盘（３４０）。每个盘被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式...

本发明描述了用于减少沉积系统（１）中衬底（２５）的粒子污染的方法和系统。沉积系统包括布置在其中并被配置来防止或部分地防止膜前驱体粒子的通过、或者打散或部分地打散膜前驱体粒子的一个或多个粒子扩散器（４７）。粒子扩散器可以安装在膜前驱体蒸发...

一种热处理装置，其特征在于包括： 在上端部形成有开口部的加热炉主体； 设置在所述加热炉主体内壁处的加热组件； 收装在所述加热炉主体内部处的、由单管构成的反应容器； 形成在所述反应容器上部处的排气配管连接部； ...

一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。

本发明提供了一种沉积栅极电介质的方法，所述栅极电介质包括至少两种氧化物形式或铝酸盐形式的稀土金属元素。所述方法包括将衬底（２５，９２）布置在处理室（１０）中以及将衬底（２５，９２）暴露于包含第一稀土前驱体的气体脉冲并暴露于包含第二稀土前...

一种热处理装置，装备有分割成多个区域的反应容器、在各个区域设置的加热装置、在各个区域设置的温度检测部、在各个区域设置的独立控制各加热装置的控制部，其特征在于对应于一个区域的控制部，具有第１运算部，在搬入上述基片时，基于该对应于一个区域的...

本发明的气体喷头，它与基板的表面相对地设置，同时，在与上述基板相对的表面上设置多个孔，从气体供给通路送出的多种成膜气体可通过这些孔同时供给上述基板，该气体喷头具有喷头本体和多个气体流路，该喷头本体有多个金属构件，通过在将该多个金属构件上...

一种在半导体处理装置（１）中处理被处理基板（１０）的方法，在处理容器（２）内一边将第一基板（１０）的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器（２）的内面上形成...

本发明公开了一种垂直ＣＶＤ装置，其包括构成来向处理室中供给处理气体的供给系统和构成来控制该装置的操作的控制部件。该供给系统包括连接到第一反应气体管线以供给第一反应气体的多个第一运输孔，和连接到第二反应气体管线以供给第二反应气体的多个第二...

本发明使用混合球锁装置来代替螺纹紧固件。紧固件直接暴露在等离子体中的部件作为紧固件的其它元件的防护罩或被用来当作可以确实提高等离子体性质的材料。本发明在部件间还具有持续的电或机械接触而不需要使用任何工具。

本发明提供一种在基板上沉积的沉积方法，包括以下步骤：使用将前体加入超临界态介质而制成的加工介质。将该前体加入超临界态介质中，而该前体是溶解于有机溶剂中的。

本发明提供无电解电镀装置。在无电解电镀液中包含含有金属盐的第一药液和含有还原剂的第二药液。在各药液供给管的合流处附近分别设置有药液用开关单元，同时在第一和第二药液合流的无电解电镀液供给管的排出口附近设置了电镀液开关单元。被上述开关单元围...

本发明提供一种成膜装置，其特征在于，具有：内部能够抽真空的纵型的筒状的处理容器；多段地保持多个被处理体，并且能够插拔于前述处理容器内的被处理体保持机构；设在前述处理容器的周围的加热机构；向前述处理容器内供给不含卤素的硅烷类气体的硅烷类气...

本发明公开了一种用于利用等离子体增强化学气相沉积在衬底上沉积具有可调节光学和抗刻蚀性质的膜的方法和系统。室具有等离子体源和耦合到ＲＦ源的衬底夹持器。衬底被放置在衬底夹持器上。ＴＥＲＡ层被沉积在衬底上。选择由ＲＦ源提供的ＲＦ功率的量，使得...

本发明公开了一种用于改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法和装置。该方法包括利用等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底上沉积具有可调节光学和抗刻蚀性质的ＴＥＲＡ膜，并利用等离子体工艺后处理ＴＥＲＡ膜。该装置包括室和用于提供多种前驱体和处...

本发明提供一种通过交替向基板供给含金属的成膜原料和还原性气体，在上述基板上形成含金属的薄膜的成膜方法，通过等离子体将上述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。

本发明提供了一种用于在衬底上形成具有改进的形态的金属层的方法和处理设备。该方法包括：通过将衬底暴露至等离子体中的受激态物质来预处理衬底；将预处理的衬底暴露至包含羰络金属前体的处理气体；并且通过化学气相沉积处理在预处理的衬底表面上形成金属...

设置ｉＰＶＤ系统（２００），用于将例如阻挡材料（９１２）的均一材料沉积在半导体衬底（２１）上的高深宽比的纳米尺寸构件（１１）中，所采用的工艺在真空室（３０）内相对于表面（１０）和底部（１５）覆盖而增加了侧壁（１６）覆盖，而使突悬（１４）...

本发明涉及在处理室（１０）中的陶瓷衬底加热器（２０，６００，７００）上处理衬底（２５，６２０，７２０）的方法。所述方法包括：在所述处理室（１０）中的所述陶瓷衬底加热器（２０，６００，７００）上形成保护涂层（７３０，７９０），并在所述经涂...