使用垂直ＣＶＤ装置的ＣＶＤ方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种垂直ＣＶＤ装置，其包括构成来向处理室中供给处理气体的供给系统和构成来控制该装置的操作的控制部件。该供给系统包括连接到第一反应气体管线以供给第一反应气体的多个第一运输孔，和连接到第二反应气体管线以供给第二反应气体的多个第二运输孔。每组第一运输孔和第二运输孔在与目标基板的边缘相邻的位置上在垂直方向上排列，以便完全在间隔地堆叠的目标基板的垂直长度上分布。控制部件控制供给系统，从而交替地供给第一和第二反应气体，由此在目标基板上形成来源于第一和第二反应气体的薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于半导体工艺系统的垂直CVD(化学气相沉积)装置和使用它的CVD方法。这里使用的术语“半导体工艺”包括通过在目标基板上以预定图形形成半导体层、绝缘层和导电层而在目标基板，如半导体晶片或用于LCD(液晶显示器)或FPD(平板显示器)的玻璃基板上制造半导体器件或制造将要连接到半导体器件的具有布线层、电极等的结构而执行的各种工艺。
技术介绍
为了制造半导体器件，对半导体晶片重复地进行CVD工艺和图形蚀刻工艺。随着半导体器件越来越高度小型化和集成化，关于CVD工艺的需求日益增加。例如，仍然要求超薄绝缘膜，如电容器绝缘膜和栅极绝缘膜变得更薄和更加绝缘。关于CVD工艺，所谓的ALD(原子层沉积)公知为用于改进将要形成的膜的质量的技术。ALD是通过以下工艺来进行的交替地脉冲式地供给至少两种反应气体从而重复两个步骤，即，使反应气体之一被吸收到晶片上的步骤和使另一种反应气体作用于被吸收反应气体上的步骤。因而，将通过各个步骤的循环形成的薄层堆叠起来，由此形成具有预定厚度的膜。在制造半导体器件的工艺中，使用半导体处理装置在目标基板，如半导体晶片上进行处理。同时热处理大量晶片的垂直热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在多个目标基板上一起执行ＣＶＤ工艺的垂直ＣＶＤ装置，该装置包括：设置来容纳所述目标基板的气密处理室；设置来在所述处理室中固定间隔堆叠的所述目标基板的固定器；设置来加热所述处理室中的大气的加热器；设置来对所述处理室进行排气的排气系统；设置来向所述处理室中供给处理气体的供给系统，该供给系统包括连接到第一反应气体管线从而供给第一反应气体的多个第一运输孔，以及连接到第二反应气体管线从而供给第二反应气体的多个第二运输孔，其中每组所述第一运输孔和第二运输孔在与所述目标基板的边缘相邻的位置上在垂直方向排列，以便基本上完全在间隔堆叠的所述目标基板的垂直长度上分布；和控制部件，该控制部分设置来控制所述装...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松浦广行，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]