一种高速高压双极晶体管，是具有新型横向结构的栅辅助晶体管（ＧＡＴ）。在芯片平面上看，其基区的电极引出区是与栅区有重叠或部分重叠的许多孤立区域，这些孤立区域分布成列，每列中的各个引出区又相互隔开；同时，发射区包围在各个基区电极引出区的周围...

本实用新型属于半导体领域，是一种高光提取效率的发光二极管。传统ＬＥＤ所带高反镜的为平面板式，侧壁的光不能被利用。本实用新型的二极管包括：Ｐ电极加厚电极（１），金属高反镜（３），Ｐ电极欧姆接触层（４），Ｐ型半导体（５），多量子阱有源区（６...

一种微射流阵列冷却热沉，其特征在于，包括有依次封装在一起的过流片（１），射流入口腔片（２），射流喷嘴片（３），射流出口片（４），传热片（５）；过流片（１）上开有与外部管路连接的进液口（６）和出液口（７）；射流入口腔片（２）上设有射流入口...

一种温度可控恒温平板装置属半导体测量领域。目前恒温装置恒温过程长。特征在于：将半导体冷堆（２０２）上下面涂导热脂，分别与导热材料平台（２０１）、水套平台（２０５）粘接；水套平台中流有换热循环水，通过水泵（２０３）和水箱（２０４）将半导体...

本实用新型属于光电子器件制造技术领域，具体涉及半导体发光二极管的电极结构。低压降高取光ＬＥＤ电极，其结构包括：半导体基底（１），欧姆接触层（２），透明电流扩展层（３），压焊电极（４）；欧姆接触层与半导体基底接触，覆盖在半导体基底的上面；...

ｎ－ｐｉｎ结构的发光二极管，属于半导体光电子领域。针对现有技术中红色发光二极管制备方法生产成本高，且在进行二次外延时界面会引起问题，蓝色发光二极管方法制备的电流扩展层大大降低了器件的亮度，而且没有得到良好的电流扩展效应。本实用新型如所示...

一种高速双极功率开关晶体管发射区结构。从剖面结构上看，这种发射区由轻掺杂的中心区域和分布在两侧的高掺杂的周边区域构成。该结构能够加速晶体管的关断过程，有效地改善双极功率晶体管的开关时间和开关损耗，提高晶体管关断时的热电稳定性，使之能够在...

一种用于微电子器件的无泵液体散热装置，包括有散热器、盛装液体的容器，本实用新型的特征在于：它是由末端散热器、连接管（２）、及内置载热液体（４）的吸热容器（３）组成；吸热容器（３）与末端散热器通过连接管（２）连为一体并使内部形成密闭空间。

一种微波晶体管金属化布线加固结构，属于微波晶体管制造技术领域。包含发射区、覆盖于发射区上的欧姆接触层，部分覆盖发射区并在欧姆接触层下部的绝缘层，覆盖于欧姆接触层上的阻挡层和覆盖于阻挡层上的上金属化层，其特征在于：距欧姆接触层引出部分边缘...

本实用新型涉及半导体光电子器件制造技术领域，尤其涉及一种纳米结构出光面的半导体发光二极管ＬＥＤ。本实用新型是在常规ＬＥＤ的ＧａＰ层（２）上表面没有Ｐ型电极（１１）的表层刻蚀出纳米级的凹凸结构层面；也可以在凹凸结构层面和Ｐ型电极（１１）的...

这是一种可在全温区工作的硅晶体管的制造技术，据此制出的晶体管电流放大倍数随温度变化很小，可在－６５℃－＋２００℃范围内正常工作．它是一种由常截止型结型场效应晶体管和双极晶体管混合为一体的新型晶体管．其很宽温度变化范围内的高温度稳定性是通...

高热稳定性的功率器件的封装方法，可用于制造具有高温度稳定性的功率器件和稳压二极管等半导体器件．与传统的封装方法相比，本发明的特征是：在芯片内充了一种高稳定性的、沸点（或熔点）一定的物质，或者也可以在芯片内部加一个有源热源．一旦芯片接通电...

功率器件的封装方法，是为解决功率器件抗烧毁用的．与传统的功率器件封装方法相比，本发明的特征在于：在管壳内充以高热导率的流体，或者也可以在芯片表面涂敷高热导率的薄膜．这种封装方法具有热导率高、抗电穿能力强、可防止由于内部引线断裂或金属残余...

一种应用于氢冷发电机漏氢监测装置中的新型氢敏半导体器件，是由集成在一个硅片上的氢气测量管、加热电阻和控温二极管组成。该器件共四根引线，漏极与栅极共用一根，源极、加热电阻Ｒ－［２］端、控制二极管Ｐ极共用一根，其它为单独引出。该器件制造方法...

一种主要用于氨气报警、探漏、监测及定量测量等场合的新型氨敏半导体器件，是由集成在一个硅片上的氨气测量管，加热电阻和温控二极管组成。该器件共四根电极引线，漏极和栅极共用一根；源极，加热电阻Ｒ↓［２］极和温控二极管的Ｎ极各单独一根引线。该器...

一种高电迁徙阻力的多层金属化结构及其设计方法属于ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ及微波器件金属化结构的制造技术领域，其特征在于：在离ＳｉＯ↓［２］绝缘层欧姆接触窗口的一个回流长度处在底层导电层Ａｌ－１％Ｓｉ上开有一个尽可能小的缝隙，并给出了临界回流长...

一种红外探测器包括有硅基衬底、充有特殊气体的密闭腔、覆盖于密闭腔上的透红外窗口薄膜及形变薄膜、及测量元件等。它利用特殊气体对某一波段红外线的较强吸收性，当该气体吸收该波段红外辐射后受热膨胀产生的压力作用于覆盖膜上时，覆盖膜产生形变导致与...

本发明涉及一种多晶织构银基带及其制备方法和应用，属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜的制备技术领域。本发明多晶织构银基带具有单组分｛１１０｝双轴织构或立方织构。对于单组分｛１１０｝双轴织构，采用冷轧及再结晶退火的方法，对于单组分立方织构，...

一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数...

一种用于电力电子领域的高速高压功率集成器件，特征在于：在二极管与三极管之间设有用来提高二极管开关速度的结构段，该结构段采用在二、三极管ｐ型区之间用横截面积小的有一定电阻的ｐ型区联结起的电阻便捷桥式结构；或采用二极管铝电极延伸到二极管外侧...