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北京工业大学专利技术
北京工业大学共有27045项专利
纳米材料原位应力测试透射电镜载网制造技术
纳米材料原位应力测试透射电镜载网属于纳米材料原位观测领域。载网包括支撑部分和驱动部分、力学测试部分,支撑部分是金属环(1),驱动部分是不同线膨胀系数组成的热双金属片(2),一端用压片Ⅰ(4)固定在金属环的上面,另一端自由;在金属环的另一...
电子管阴极材料及其制备方法技术
一种电子管阴极材料及其制备方法属于稀土金属一钼材料技术领域。本发明的电子管阴极材料,它含有La↓[2]O↓[3]和Y↓[2]O↓[3]中的一种或两种稀土氧化物,稀土氧化物占钼的总重量为3.0~5.0%。电子管阴极材料的制备方法采用的一次...
二元稀土钼次级发射材料及其制备方法技术
二元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的二元稀土钼次级发射材料,其特征在于:它含有La↓[2]O↓[3]和Y↓[2]O↓[3]两种稀土氧化物,其稀土氧化物占钼的总重量为10-40%(重量百分比),其中...
行波管用的金刚石杆的制备方法技术
一种行波管用的金刚石杆的制备方法属于微波技术领域。该方法的特征在于:在的Al↓[2]O↓[3]杆上放置与其同厚的相同尺寸的Cu片,再放置于Al↓[2]O↓[3]衬底座上,在750~850℃温度下使前二者焊接在一起;将此衬底座H↓[2]等...
三元稀土钼次级发射材料及其制备方法技术
一种三元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的三元稀土钼次级发射材料,其特征在于:它含有La↓[2]O↓[3]、Y↓[2]O↓[3]、Gd↓[2]O↓[3]三种稀土氧化物,上述稀土氧化物重量百分比为15...
稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法技术
一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法,属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于:它含有氧化钪、铼和钨,其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1-10%,铼占0-5%,其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于...
绝缘材料荷电的测试方法技术
绝缘材料荷电的测试方法涉及一种利用扫描电子显微镜对绝缘材料表面荷电的测量及评价方法。本发明是采用扫描电镜扫描样品,在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中,由皮安-电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流I#-[a],检测非导...
纳米复合稀土钨电子发射材料的放电等离子制备方法技术
纳米复合稀土钨电子发射材料的放电等离子制备方法,属稀土难熔金属电子发射材料技术领域。针对现有技术问题,提供了一种稀土元素分布均匀,扩散性能良好的制备方法:将原料装入石墨模具内后放入放电等离子系统中进行烧结,其中原料为公知的颗粒为20nm...
稀土氧化物次级发射材料及其制备方法技术
稀土氧化物次级发射材料及其制备方法属电子发射材料领域。磁控管是应用广泛的真空微波器件,目前材料为ThO↓[2],具有放射性。本发明以La↓[2]O↓[3]、Y↓[2]O↓[3]、Gd↓[2]O↓[3]单一稀土氧化物或者La↓[2]O↓[...
多层超薄膜结构增强场发射阴极制备方法技术
本发明涉及一种电子发射阴极结构的制备,适用于平面显示器件或电子源阴极材阴极。本发明步骤:选定金属或n掺杂半导体,作为电子供给层;选择多层膜构成组分,选择原则为:组分材料的电子亲和势应存在差异;设计多层膜,层数至少两层,且相邻膜层为不同组...
荷电衬度成像的方法技术
本发明涉及在扫描电子显微镜中荷电衬度成像的方法,应用于电子显微分析技术中。采用高真空扫描电镜时,绝缘样品采用加速电压10~30kV,导体和非导体材料合成的复合颗粒和多层膜采用加速电压25~30kV,入射电流选10↑[-10]~10↑[-...
含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极及其制备方法技术
一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极及其制备方法,属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。含钪扩散阴极是一种具有低温大发射特性的热阴极材料,但是氧化钪价格昂贵,导致阴极成本过高,因此没有获得实际应用。本发明一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极,含...
压制型含钪扩散阴极的制备方法技术
一种压制型含钪扩散阴极的制备方法,属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。目前,压制型含钪扩散阴极一直没有解决各种活性物质分布均匀性的问题,且采用微米级的海绵体结构,导致其发射性能一直逊于浸渍型阴极。本发明所提供的压制型含钪扩散阴极制备方法,...
一种纳米材料原位结构性能测试的透射电镜载片制造技术
一种纳米材料原位结构性能测试的透射电镜载片属于纳米材料性能原位检测领域。该载片包括中心金属片(1)、两个附耳(2)、狭缝(3)、扇形燕尾槽(4)、沿狭缝(3)对称分布的至少20个圆形栅孔(5);分布于中心金属片(1)左右两侧且处于同一直...
一种基于相变材料的透射电镜电学测量载网制造技术
本发明涉及一种透射电子显微镜样品载网,属于纳米材料测量领域。包括有支撑部分和电路部分,所述的支撑部分包括有金属环(1),所述的电路部分包括有两个电极(2)、待测元件和相变材料非晶薄膜(5),电极(2)与金属环(1)绝缘粘合,相变材料非晶...
透射电镜用纳米材料应力测试载网制造技术
透射电镜用纳米材料应力测试载网属于纳米材料原位观测领域。载网包括支撑部分和驱动部分、力学测试部分,支撑部分是金属环(1),驱动部分是不同线膨胀系数组成的热双金属片(2),一端用压片Ⅰ(4)固定在金属环的上面,另一端自由;在金属环的另一侧...
压电陶瓷片驱动的扫描电镜中纳米材料拉伸装置制造方法及图纸
压电陶瓷片驱动的扫描电镜中纳米材料拉伸装置属于纳米材料原位测试领域。本发明包括底座(1)和带有两个凹槽的绝缘支撑座(2),该两个凹槽分别固定两片金属片(3)一端,金属片两侧分别粘贴两片压电陶瓷片(4),同时在每片金属片的另外一端分别固定...
一种热驱动变形透射电镜载网及一维纳米材料变形方法技术
一种热驱动变形透射电镜载网及一维纳米材料变形方法属于纳米器件及透射电镜中原位纳米材料变形方法领域。现有载网只能通过电子束辐照进行变形,且提供应力有限。本发明的载网是在现有载网的支持膜上蒸镀金属薄膜A和B,金属薄膜A的热膨胀系数要大于金属...
键盘键帽字符的保护薄膜制造技术
本实用新型是一种键盘键帽字符的保护薄膜,特征在于是在透明薄膜层(1)的背面,按键盘盘面全部键帽字符布局样式、采用油墨印刷字符层(2),在单个键帽字符周边压制有可揭取字符的、不连续的工艺切口(5),在字符层(2)的外层依次设置有公知的粘胶...
一种微型电磁继电器及其制造方法技术
一种微型电磁继电器,其特征在于,它包括有励磁线圈(8)、励磁线圈端子(12)、继电器触点(13)、活动衔铁(16)和硅基板(19);硅基板(19)正面开有呈平面螺旋线分布的线圈槽(2)和凹孔状的端子槽(3),线圈槽(2)中设置励磁线圈(...
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