一种微机械电磁继电器及其制备方法，属于制造技术领域。本发明是基于半导体微细加工工艺在硅片上制作的一种单稳态微机械电磁继电器，它由硅基板（３）、励磁线圈（１３）、继电器触点（１６）、活动衔铁（２１）和硅基板正面的底层磁路（８）、聚酰亚胺绝...

本发明属于（Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］）↓［１－ｘ］（ＴｉＯ↓［２］）↓［ｘ］体系介电陶瓷的制备领域。目前仅仅依靠提升烧结温度或延长预烧和烧结时间以提高（Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］）↓［１－ｘ］（ＴｉＯ↓［２］）↓［ｘ］介电系数的状况。本发明按...

一种整流变压器是一种涉及变压器使用频率不低于２ｋＨｚ的大功率整流变压器。它包括有变压器铁芯１．１、初级线圈１．２、次级线圈１．３、及与变压器次级线圈输出端相连接的整流管电路，特征在于：所述的铁芯的工作截面的宽度与高度之比不小于５比１，不...

一种整流变压器及其使用方法，是一种涉及变压器使用频率不低于２ｋＨｚ的大功率整流变压器。它包括有变压器铁芯１．１、初级线圈１．２、次级线圈１．３、及与变压器次级线圈输出端相连接的整流管电路，特征在于：所述的铁芯的工作截面的宽度与高度之比不...

一种稀土－铁氮化物永磁材料的制备方法，属于磁性材料制造技术领域。该方法的步骤如下：将至少一种为钠米粉末的稀土元素Ｒ、Ｆｅ和Ｍ按一定比例混合，机械合金化１～１６小时，在６００～９００℃晶化处理１５～３０分钟形成１∶１２型化合物Ｒ（Ｆｅ，Ｍ...

一种稀土－铁－硼永磁材料的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤： （１）采用普通烧结ＮｄＦｅＢ的制粉工艺获取Ｒ（Ｒ为稀土，Ｒ＝Ｎｄ，Ｐｒ或Ｄｙ）－Ｆｅ－Ｂ原料粉末，然后装入ＳＰＳ专用模具进行磁场取向和预压成型； （２）将样品...

本发明属磁性材料领域。目前永磁材料多为薄带或者粉末，传统烧结工艺制备块体材料会造成晶粒长大，从而显著降低磁性能。本发明步骤：将成分为Ｒ↓［ｘ］Ｆｅ↓［ｙ］Ｂ↓［ｚ］的合金，其中Ｒ为稀土Ｎｄ或Ｐｒ元素，其中ｘ：４－１０，ｙ：７８－８８，ｚ...

本发明属于电磁干扰的抑制领域。现有的电磁干扰抑制材料存在磁导率不高或者磁导率频率分散性不宽。本发明提供了一种抑制宽频电磁干扰的软磁复合材料，其特征在于，通过气雾化的方法制取软磁合金粉末，将软磁合金粉末经过球磨、研磨处理形成片径范围为２０...

Ｎｄ↓［２］Ｆｅ↓［１４］Ｂ／Ｆｅ双相纳米晶复合永磁材料制备方法属于磁性材料领域。目前无法在满足软硬磁性相的理想模型的同时实现块体的密实化。本发明步骤：在惰性气氛保护下，将球磨至５μｍ以下的Ｎｄ↓［２］Ｆｅ↓［１４］Ｂ硬磁粉末分散到液体...

一种制备具有高矫顽力的稀土－铁－硼永磁材料的方法属于磁性材料领域。烧结ＮｄＦｅＢ永磁的优异磁性能会随着工作环境温度的升高而显著降低。本发明步骤：采用速凝薄片工艺制备ＮｄＦｅＢ速凝薄片后用氢爆法破碎并通过气流磨粉碎制备３－５微米ＮｄＦｅＢ...

一种金属基复合电封装热沉材料及其制备方法，属于微电子器件电封装材料及其制造技术领域，所述材料由金属基体和分布在金属基体中的增强物ＳｉＣ颗粒构成，其特征是，所述的金属基体为Ｃｕ，所述ＳｉＣ颗粒的体积百分含量或颗粒尺寸呈多层梯度分布。其制备...

一种高介电常数Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］基陶瓷的连续调控功率激光制备方法，其特征在于，它包括以下步骤： （１）采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］基陶瓷坯体，在１０～６０ｓ的时间内将激光功率密度从初值２０～...

一种高介电常数Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法，其特征在于，它包括以下步骤： （１）、采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］基陶瓷坯体，以１９０～３５０ｗ／ｃｍ↑［２］的低功率密度在...

本发明属高温超导涂层强化韧性基带制备领域。特征在于包括以下步骤：分别将纯度为９９．９５ｗｔ％以上的Ｎｉ粉，纯度为９９．９５ｗｔ％以上的Ｃｒ粉，纯度为９９．９５ｗｔ％以上Ｖ粉熔融，制成Ｎｉ，Ｎｉ↓［０．９６］Ｖ↓［０．０４］，Ｎｉ↓［０．...

本发明属高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。目前Ｎｉ合金基带制备过程复杂；结合部易分开；且只能采用两种延伸率基本相等的合金进行复合。本发明先设计复合带的结构：表面层使用含Ｗ量较低的镍钨合金，下层或中间层采用无磁性的合金；使用粒度为１...

一种采用连续管线成型及填充技术制备ＭｇＢ↓［２］单芯超导线材的方法，属ＭｇＢ↓［２］超导线材领域。目前制备ＭｇＢ↓［２］超导线材的粉末套管法填粉方式笨拙，装填粉末密度不均匀；可制备的线材长度有限，不能自动化生产。本发明步骤：按需称量Ｍｇ...

一种有机纤维导电粉及其制备方法属于功能高分子材料领域。针对颗粒状导电填料在聚合物基体中填充量比较大以及在金属化的过程中载金属量大的缺点，通过在尼龙、涤纶、腈纶、丙纶和氯纶有机聚合物表面化学镀银的方法制备了直径为５～５０μｍ，长度为０．１...

一种有机物掺杂的ＭｇＢ↓［２］块材的制备方法属于ＭｇＢ↓［２］超导材料制备领域。现有纳米颗粒掺杂ＭｇＢ↓［２］成本高，不利于工业化生产。本发明通过将硼粉与掺杂物粉末加入去离子水中搅拌１ｈ后，烘干水分，再将其与镁粉在手套箱中充分混和，其中...

一种ＳｒＺｒＯ↓［３］掺杂的ＹＢＣＯ薄膜及其制备方法属于高温涂层超导材料制备技术领域。现有ＰＬＤ方法设备复杂，成本高且不易控制掺杂物配比。本发明所提供的薄膜由摩尔百分比为１－１５％的ＳｒＺｒＯ↓［３］和８５－９９％的ＹＢＣＯ组成。本发明...

本发明是一种高导电聚偏氟乙烯材料的准分子激光制备装置及方法，属于激光与物质相互作用领域。本装置包括沿光的传播方向依次设置的激光器、均束系统、第二会聚透镜和工作台；均束系统又包括第一级透镜阵列，第二级透镜阵列和第一会聚透镜。制备高导电聚偏...