一种低功耗半导体功率开关器件及其制造方法，提供低功耗的耐压在２ＫＶ以内的ＩＧＢＴ、ＭＣＴ和晶闸管。特征是，离子注入形成的超薄、低杂质浓度的背ｐ↑［＋］发射区与包含单侧残留Ｎ型扩散层的杂质非均匀分布的Ｎ型基区的结合。方法特征是，其中非均匀...

一种手指式泵及其驱动方式涉及流体机械学科，包括有滑动头１与缸体２构成的液压柱塞机构，并由固定体３同连接管４连接，连接管４的另一开口连接泵体６的出口，泵体６内用常规连接固定着压电陶瓷振子７，这样由１、２、３、４、６、７组成内封装入不可压缩...

一种在半导体Ｓｉ基片上沉积纳米颗粒Ｃｕ膜的高压电化学方法，其特征是：在常温常压下，以不含Ｃｕ离子的水溶液为初始电解质，以Ｃｕ片作阳极，以半导体Ｓｉ基片作阴极，在２００～２０００Ｖ的高压下进行电沉积１０ｍｉｎ～２ｈ，在半导体Ｓｉ基片上获...

一种用于微电子器件的无泵液体散热方法，是采用流有液体的散热器，使其带走待散热器件工作时产生的热量，本发明的特征在于：采用一种低沸点、无毒、不燃的载热液体装入吸热容器中，该吸热容器与散热器成为连接成一体形成内部密闭空间，用载热液体吸收微电...

硅高速半导体开关器件的制造方法，其特征在于，它按以下步骤进行制造： （１）按常规方法进行器件制造的前部各制造步骤，直至开始制造金属化电极； （２）去除将要制造的金属化电极与硅片接触区的硅表面绝缘膜，裸露出硅表面；然后用常规的...

一种微射流阵列冷却热沉，其特征在于，包括有依次封装在一起的过流片（１），射流入口腔片（２），射流喷嘴片（３），射流出口片（４），传热片（５）；过流片（１）上开有与外部管路连接的进液口（６）和出液口（７）；射流入口腔片（２）上设有射流入口...

一种微电子器件可靠性快速评价方法，其特征在于，包括以下步骤：　　　　１）先用红外法测量微电子器件在实验中待采用的电流密度为ｊ、电压为Ｖ的电应力下的峰值结温Ｔ↓［ｊｐｅａｋ］，然后用峰值结温Ｔ↓［ｊｐｅａｋ］减去加热平台的温度Ｔ↓［０］即...

一种用于电力电子领域的具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件，它在同一芯片上集成有半导体三极管和与其反并联的半导体二极管，其特征在于：在二极管与三极管之间设有用来提高二极管开关速度的延伸肖特基结结构，采用二极管铝电极延伸到二极管外侧部分...

无铅压电陶瓷Ｎａ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］ＴｉＯ↓［３］纳米线的制备方法属于压电陶瓷材料领域。传统制备ＮＢＴ粉体的方法是固相烧结法，得到的粉体由于高温处理很容易团聚并且尺寸分布不均匀。该方法特征在于包括以下步骤：按摩尔比１∶１∶２称量...

高抗静电高效发光二极管及制作方法，属于半导体光电子技术领域。它包含利用一导电型半导体材料制作的基板及发光二极管芯片，基板上制作有集成的双向稳压二极管，发光二极管芯片主要包含在一透明蓝宝石衬底及在此衬底上的ＧａＮ结构层和整面Ｐ电极、Ｎ电极...

ｎ－ｐｉｎ结构的发光二极管，属于半导体光电子领域。针对现有技术中红色发光二极管制备方法生产成本高，且在进行二次外延时界面会引起问题，蓝色发光二极管方法制备的电流扩展层大大降低了器件的亮度，而且没有得到良好的电流扩展效应。本发明如所示，包...

硅片低温直接键合方法，属半导体直接键合领域。现有技术处理过的硅片仍需４５０℃以上的热处理，而高温会改变硅片的杂质分布，热膨胀会带来应力，损伤硅片上的微细结构，有ＩＣ存在并有铝引线时，温度超过铝硅共晶点引起器件失效。本发明表面处理过程为：...

带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺，涉及半导体静电键合技术领域。现有技术在可动的结构对应的玻璃上淀积一层绝缘层，减少可动结构与玻璃衬底的“粘附”问题，无法消除静电力对可动结构的破坏作用。带有金属电极的玻璃置于恒温热台面上，有金属电极的一...

本发明涉及一种ＧａＮ基ＬＥＤ高反电极，属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构从下到上包括掺杂Ｍｇ的、器件发出的光从该层到达高反电极层，然后经电极反射再从该层返回器件内部的半导体ＧａＮ基底层（１），欧姆接触层（６），高反镜（３），保护层...

本发明的低接触电阻、低光吸收、全角高反射的ＬＥＤ电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底（１）；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层（８）；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜（３）；第四层是在银高反镜...

一种层状钴基氧化物热电材料的制备方法，属于功能材料中的氧化物热电材料领域。针对传统固相合成方法存在反应温度较高、反应时间相对较长以及化学均匀性不好、能耗大，难以获得细晶粒尺寸热电化合物等问题。该方法将反应原料分别按Ｃａ↓［２］Ｃｏ↓［２...

本发明属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂，周期长，有的有破坏性。本发明装置：被测器件（４０１）放在恒温平台（４０３）上；计算机（１００）通过接口（２００）接采集器（２０５）；（２０５）分三路：一路接三路开关（３０３），接到...

本发明属压电陶瓷领域。传统合成Ｋ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］ＴｉＯ↓［３］（ＫＢＴ）粉体是固相煅烧法，高温热处理导致粉体较粗（微米级），易团聚，活性差，难获得高致密度陶瓷。本发明步骤：按摩尔比１∶１∶２称量的硝酸铋、硝酸钾和钛酸四丁酯，...

本发明属于化学机械抛光领域。现有日本的几种抛光液产品主要为金刚石磨料的碱性溶液，由于其中磨粒粒径大小不均匀，不能很好的解决机械作用造成的损伤和应力的问题，无法达到光滑镜面的目的。本发明提供的一种有机碱腐蚀介质的稀土抛光液，包括磨料二氧化...

一种高频低功耗功率结型场效应晶体管，是由沟道区、源区、漏区、栅区和源电极、栅电极、漏电极组成，特征在于，在各个栅电极下面的半导体中隐埋有相互有一定间距的局域绝缘区，绝缘区的绝缘材料可以是氧化硅，氮化硅或其他绝缘材料。本发明的结型场效应晶...