Ｆｅ位和Ｐ位掺杂型磷酸铁锂粉体的制备方法属于电化学电源材料制备技术领域。本发明以（ＮＨ↓［４］）↓［６］Ｍｏ↓［７］Ｏ↓［２４］为Ｍｏ的掺杂源，按锂盐、亚铁盐、磷酸盐和掺杂源（ＮＨ↓［４］）↓［６］Ｍｏ↓［７］Ｏ↓［２４］按一定摩尔比混...

本发明涉及一种固体氧化物燃料电池复合阴极的制备方法，属于化学电源固体氧化物燃料电池材料领域。步骤为：１）共还原热处理制备阴极材料ＡｕＮｉ，２）制备阴极材料Ｂｉ↓［２］Ｖ↓［０．９］Ｃｕ↓［０．１］Ｏ↓［５．３５］，３）制备复合阴极。该方...

Ｆｅ↓［５］（ＰＯ↓［４］）↓［４］（ＯＨ）↓［３］的制备及其应用属于电化学领域。现有锂离子电池正极材料存在导电率、离子扩散速率和容量低等问题。本发明通过将锂盐、铁盐和磷酸盐，按摩尔比Ｌｉ↑［＋］∶Ｆｅ↑［３＋］∶ＰＯ↓［４］↑［３＋］...

本发明是一种电池装置，具体为一种基于水处理的酶燃料电池装置，本装置在发电的同时进行有机废水的处理。具体包括反应器盖、与反应器盖围成一密闭空间的壳体、设置在该密闭空间内的涡流发生器、与密闭空间下部相连通的入水管、与密闭空间上部相连通的出水...

一种制备锂离子电池正极材料磷酸锂铁粉体的方法，属于电极材料的制备技术领域。现有的磷酸锂铁粉体的制备方法很难防止由Ｆｅ↑［２＋］到Ｆｅ↑［３＋］的转变，使得原料容易在制备过程中氧化变质。本发明方法是将磷酸、七水合硫酸亚铁以及氢氧化锂按摩尔...

一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管，属于半导体光电子技术领域。包括上电极（１０）、电流扩展层（２０）、上限制层（３０）、有源区（４００）、下限制层（５０）、缓冲层（６０）、衬底（７０）、下电极（８０），ＤＢＲ反光层（９０），在上...

钙钛矿结构镧锰氧化物／氧化锌异质ｐ－ｎ结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物／氧化锌异质ｐ－ｎ结。该ｐ－ｎ结的结构为Ｓｉ（１００）单晶基片（１）衬底，Ｐｔ电极层（２）、ＺｎＯ薄膜（３）、及...

一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相邻电极之间的距离...

立方氮化硼薄膜的ｐ型掺杂方法属于宽带隙半导体薄膜掺杂领域。克服宽带隙超硬材料ｃ－ＢＮ薄膜很难实现ｐ型掺杂的困难，实现ｃ－ＢＮ薄膜的有效ｐ型掺杂。本发明步骤：（１）使用低压气相薄膜生长设备衬底上沉积一层本征ｃ－ＢＮ薄膜，这层本征ＢＮ薄膜：...

变缓冲层浓度内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法属于晶体管的制造领域。本发明在器件的集电区附近一定范围内形成一个极低过剩载流子寿命控制区。其技术方案是利用高剂量氦注入及后继退火工艺在器件集电区近集电结附近引入局域纳米空腔层，该纳米空腔...

一种硅材料内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法首先进行以下步骤：　ａ）在０．０２－０．００５Ωｃｍｐ＋单晶硅衬底实施ｎ型掺杂预外延，外延层厚度１－１０微米，预外延的掺杂浓度为１×１０↑［１６］－２×１０↑［１ ...

一种相变存储器的单元结构及实现方法，包括：衬底、层底电极、过渡层、绝热层、相变材料层、过渡层、钨电极和顶电极；其特征在于：所述的相变材料层下方的钨电极中设置了利用曝光刻蚀技术刻蚀出的中空槽，中空槽内填充有绝热材料ＳｉＯ↓［２］，以减少发...

钙钛矿结构镧锰氧化物／氧化锡异质ｐ－ｎ结及其制备方法明属于材料制造领域。目前还没有镧锰氧化物与氧化锡复合的ｐ－ｎ结。本发明所提供的ｐ－ｎ结包括有单晶衬底、沉积在单晶衬底上的厚度为１００－３００ｎｍ的ＳｎＯ↓［２］层和沉积在ＳｎＯ↓［２］...

电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管，属于半导体光电子技术领域。包括上电极（１００）、由导电增透出光层（１３０）、电流阻挡层（１１０）和电流扩展层（２０１）构成的电流输运增透窗口层（１１１）、上限制层（３００）、有源区（５...

一种高速功率开关晶体管，是具有新型横向结构的栅辅助晶体管ＧＡＴ。在芯片平面上看，该结构中的栅区由呈岛状分布的许多分立的区域构成，这些分立的岛状栅区在芯片平面上根据需要和制造工艺水平按一定间距排成阵列。该结构消除或减小了栅区与发射区之间的...

一种超声雾化热分解法制备钇系高温超导长带的装置，包括有输入气体到质量流量控制仪（６）的氩气瓶（８）、氧气瓶（９），从质量流量控制仪（６）输出气体到沉积室、雾化室，与雾化室相连的超声源，固定在沉积室上的移动部件，驱动移动部件的电机（５），...

本实用新型属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂，周期长，有的有破坏性。本装置：被测器件（４０１）放在恒温平台（４０３）上；计算机（１００）通过接口（２００）接采集器（２０５）；（２０５）分三路：一路接三路开关（３０３），接到...

高效高亮全反射发光二极管属于半导体光电子技术领域。本实用新型依次包含图形电极（５１７），第一导电型欧姆接触层（３０４），第一导电型电流扩展层（３０５），第一导电型下限制层（３０６），非掺杂的有源区（３０７），第二导电型上限制层（３０８）...

本实用新型涉及一种发光二极管的散热装置。该装置主要包括有基座（１）、设置有插孔（３）的定位槽（２）、散热材料（７）；其中，定位槽（２）设置在基座（１）的顶面，其形状与发光二极管的形状相适应，用于放置发光二极管，散热材料（７）涂抹在定位槽...

高提取效率的半导体发光二极管结构属于光电子器件制造技术领域，适合于多种波长的半导体ＬＥＤ。现有ＬＥＤ虽然内量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能够从ＬＥＤ出射。本实用新型提出在ＬＥＤ外延片上生长ＩＴＯ透明导电膜与Ｓｉ↓［...