高效大功率多波长隧道级联多有源区垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领域，如图所示，包括有上分布布拉格反射镜（１），下分布布拉格反射镜（６），衬底（７），特征在于还包括在上、下分布布拉格反射镜（１）和（６）之间的Ｎ个重复排列的有源区部分（...

无水冷ＣＯ２激光器是一种电光转换元件．与一般的无水冷ＣＯ２激光器相比，其特点是：采用铝作传热和散热介质，采用了与放电管并联的储气套和沿着管长方向配置的Ｕ字形回气管．因而其散热性能好（在额定功率下铝散热套的表面温度在５０～６０℃之间）、结...

侧面泵浦薄片激光器属固体激光领域。目前薄片激光器散热效果差或激光器效率不高。本实用新型包括ＬＤ阵列（８）、贴热沉晶体薄片、耦合输出镜（１５），特征在于，该晶体薄片正视：中心为掺杂增益介质圆柱状薄片晶体（１７），外部为正ｎ边形非掺杂非规结...

一种可产生宽带激光束的转镜装置属于金属激光表面强化用的宽带激光束发生器领域。其特征在于：其可调光路部分包括对入射激光束进行聚焦的凹面镜、对其发出的激光束进行调整的凸面镜、对调整后的激光束进行展宽的转镜、对宽带激光束作二次聚焦的柱面镜以及...

宽带可调谐超短脉冲激光系统是一种全固态的脉冲激光器。本发明的特点在于：它采用棱镜提高了泵浦光的频谱纯度，使产生的信号光纯度高、功率大，用光压缩透镜来获得最佳泵浦光斑面积并提高了光束的能量和质量，用ＢＢＯ晶体制成的参量宽带调谐发生和放大装...

宽带可调谐超短脉冲激光系统是全固态的脉冲激光器。本发明的特征在于：它采用棱镜提高了泵浦光的频谱纯度，用光压缩透镜组获得了最佳泵浦光斑面积且提高了光束的能量和质量，用一块ＢＢＯ晶体制成既起参量发生又起参量放大作用的宽带调谐装置来进行角度调...

一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法，属于半导体光电子技术领域，其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成，每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的Ｐ↑［＋］－Ｎ↑［＋］隧道结。...

一种高效大功率大光腔半导体激光器，属于半导体光电子技术领域，其特征是，采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的Ｐ↑［＋］－Ｎ↑［＋］隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构，通过各单元发光区间的隧道二极管为...

本发明涉及一种钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法，特别是一种用于位错密度测定的钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法。本发明的特征在于：将钒酸盐及掺杂稀土单晶抛光后置于浸蚀液中，浸蚀液成份为浓磷酸和氢氟酸，其体积比为浓磷酸∶氢氟酸＝１００∶０～１０，在温度...

一种两端无掺杂激光棒的制备工艺，其特征在于，它包括以下步骤：　　　　（１）、按照常规加工方法加工好激光棒；　　　　（２）、将上述激光棒从顶部放入与该激光棒中的激光基质相同介质的熔融液体中，激光棒边缘微熔后，以常规的单晶生长工艺生长出所需...

一种内腔接触式垂直腔面发射激光器的结构，如图５所示，包括有依次纵向层叠从上往下排列的上分布布拉格反射镜（１），欧姆接触层（４），Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｓ（ｘ≥０．９）湿氮氧化层（５），有源区单元（７），下分布布拉格反射镜（８），...

一种空气柱型垂直腔面发射激光器的结构，如图４所示，包括有依次纵向层叠从上往下排列的ｐ型欧姆接触层（１），上分布布拉格反射镜（２），Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｓ（ｘ≥０．９）湿氮氧化层（４），有源区单元（６），下分布布拉格反射镜（７）...

三轴自对准方法制备的垂直腔面发射激光器属半导体光电子技术领域。流程如图３－１～９所示，各步骤均用常规技术，包括以下步骤：光刻；采用光刻胶做掩膜，腐蚀上分布布拉格反射镜１到欧姆接触层３，并呈双沟状；淀积ｐ型欧姆接触电极Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ２；...

用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备方法涉及半导体发光材料的制备工艺。寻找适宜的衬底材料成为制备高质量ＺｎＯ薄膜的关键。现有衬底材料为玻璃、硅单晶、白宝石、石英、氧化锌陶瓷基片和ＳｃＡｌＭｇＯ↓［４］（０００１），或因晶格失配率高，...

高效大功率多波长隧道级联多有源区垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领域，如图所示，包括有上分布布拉格反射镜（１），下分布布拉格反射镜（６），衬底（７），特征在于还包括在上、下分布布拉格反射镜（１）和（６）之间的Ｎ个重复排列的有源区部分（...

用于半导体激光器腔面镀膜的夹具及其装条装置，属于半导体激光器工艺技术领域。现有的夹具结构较为复杂，加工比较困难，而且装条极为麻烦很容易对腔面造成污染或损伤，夹持的薄板还容易对激光条造成机械损伤。本发明提供的用于半导体激光器腔面镀膜的夹具...

本发明属于固体激光领域。目前薄片激光器散热效果差或激光器效率不高。本发明的激光器包括ＬＤ阵列（８）、贴热沉晶体薄片、耦合输出镜（１５），特征在于，该晶体薄片正视：中心为掺杂增益介质圆柱状薄片晶体（１７），外部为正ｎ边形非掺杂非规结构晶体...

本发明属于半导体激光器领域。包括以下步骤：半导体激光器在空气中解理成条后装入夹具后放入电子束蒸发真空室；离子预清洗，即在电子束蒸发的真空室中用能量小于１００ｅＶ的低能大束流离子无损除去在空气中解理的腔面上的氧化物和杂质及其形成的表面态和...

本发明为大功率半导体激光阵列的光纤相干耦合方法及光纤整形器，属于激光技术领域。特征在于：将光纤引入到半导体激光阵列和外腔镜之间，通过微透镜压缩每个发光单元的快轴发散角，使Ｎ个发光单元一对一耦合进Ｎ根光纤中，利用光纤的柔韧性，在光纤另一端...

本发明为二极管激光器光束整形微透镜阵列，属于激光技术领域。本发明由长方体形状的透光介质基片（２）构成，在透光介质基片（２）相对的两个表面上分别刻写有相互正交的长微透镜（３）和短微透镜（４），作为压缩二极管激光器快轴光束的长微透镜（３）的...