本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成ＰＮ结漏电。结构包括：Ｐ电极加厚电极（１），高反镜保护层（２），金属高反镜（３），Ｎ电极（４），Ｎ型半导体（５），多量子阱有源区ＭＱＷ（６），Ｐ型半导...

本发明涉及半导体发光二极管表面钝化方法，适于多种波长的ＬＥＤ。现用在ＬＥＤ上的钝化层是ＳｉＯ↓［２］和ＳｉＮ↓［ｘ］，不能很好改善ＬＥＤ光特性。本发明步骤：已经制备好Ｎ电极（５）和Ｐ电极（２）的ＬＥＤ样品放入到ＰＥＣＶＤ设备的腔室；Ｎ↓...

本发明属于半导体光电子技术领域。现有二极管或封装难度大且成本高，或工艺复杂，成品率低。本发明结构：ｐ电极加厚电极（１）、ｐ电极欧姆接触层（２）、ｐ型层（６）、有源区一（３０１）、ｎ型层（７）、缓冲层（８）、衬底（９）、ｎ电极（１０）和ｎ...

高效高亮全反射发光二极管及其制作方法属于半导体光电子技术领域。依次包含图形电极（５１７），第一导电型欧姆接触层（３０４），第一导电型电流扩展层（３０５），第一导电型下限制层（３０６），非掺杂的有源区（３０７），第二导电型上限制层（３０８...

本发明公开了一种基于镓氮／蓝宝石透明衬底发光二极管结构及制备方法，该二极管包括有依次纵向层叠的ｎ型欧姆接触电极（７）、ｎ型载流子限制层（５）、有源区（４）、ｐ型载流子限制层（３）：在ｐ型载流子限制层（３）的下面依次包括隧道结结构（８）、...

一种二步光刻法制作ＧａＮ基ＬＥＤ的制备方法，属于光电子器件制造技术领域。传统方法的ＧａＮ基ＬＥＤ制作一般共用到了六步光刻，浪费电极材料和化学试剂，提高了工时和设备损耗。本发明提出了ＬＥＤ的两步光刻制作法，即第一次光刻后利用感应耦合等离子...

高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法属于光电子器件制造技术领域，适合于多种波长的半导体ＬＥＤ。现有ＬＥＤ虽然内量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能够从ＬＥＤ出射。本发明提出在ＬＥＤ外延片上生长ＩＴＯ透明导电膜与...

隧道补偿多有源区红外探测器属于半导体光电子领域。传统红外探测器件，光电流的大小与量子阱的个数无关，暗电流大；响应速度低，噪声较大，吸收谱带宽较窄。本发明衬底上生长下接触层，然后生长多量子阱区，上接触层，制作台面和电极，特征在于多量子阱区...

本发明为一种具有内透明集电极的绝缘栅双基晶体管（ＩＧＢＴ），它是一种功率半导体开关器件，它是在现有ＰＴ－ＩＧＢＴ结构中的Ｐ↑［＋］型衬底与Ｎ型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于Ｐ↑［＋］衬底的Ｐ型内透明集电区并且在内透明集电区中或...

本发明涉及一种Ｐ型透明导电氧化物ＣｕＡｌＯ↓［２］薄膜的制备方法。该方法的步骤为：将化学纯的Ｃｕ↓［２］Ｏ粉和分析纯的Ａｌ（ＯＨ）↓［３］粉经５００～５５０℃预烧１～１．５ｈ，在１０５０～１１５０℃保温８～１２ｈ，生成纯相的ＣｕＡｌＯ↓...

本发明涉及半导体光电子器件制造技术领域，尤其涉及一种纳米结构出光面的半导体发光二极管ＬＥＤ。本发明是通过在常规ＬＥＤ的ＧａＰ层（２）上生长介质层（１２）及金属层（１３）后，依次利用金属层（１３）作掩膜刻蚀介质层（１２）和ＧａＰ层（２）上...

硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）制造方法，能够在沟槽栅、表面栅和隐埋栅型功率ＪＦＥＴ结构中栅极区的下方形成隐埋的局域绝缘层。其技术方案是：将ＳＯＩ工艺中的ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ技术思路以局域化的方式用于纵向导电的功率器件...

用于相变存储器的Ｓｉ－Ｔｅ－Ｓｂ系列相变薄膜材料属于微电子技术领域。目前Ｇｅ↓［２］Ｔｅ↓［５］Ｓｂ↓［２］材料的结晶温度较低（约为１６５度）面临着数据丢失的危险。本发明提供的一种用于相变存储器的硅－碲－锑存储材料，组成通式为Ｓｉ↓［ａ...

本发明涉及一种ｐ型透明氧化物半导体ＣｕＣｒＯ↓［２］薄膜材料的制备方法。该方法是将纯度均为９９．９％的Ｃｕ↓［２］Ｏ粉体和Ｃｒ↓［２］Ｏ↓［３］粉体按Ｃｕ与Ｃｒ的原子比为１∶１配料，然后球磨混合，烘干后在１１５０℃煅烧１２ｈ，生成纯相的...

一种电子显微镜样品盒属于显微镜领域。一种电子显微镜样品盒，包括样品支持底座和样品盒盖两部分，其特征在于：在样品支持底座上分布着若干行整齐排列的样品圆孔，样品圆孔的直径为３－４ｍｍ，样品圆孔的深度为１０－１０００μｍ。本实用新型可以利用吸...

一种热双金属片驱动的透射电子显微镜载网属纳米材料微区变形原位表征领域。现有透射电子显微镜原位纳米材料力学性能测试不能实现大角度倾转。载网包括支撑部分和驱动部分，支撑部分是金属环（１），驱动部分是两个对称排列的不同线膨胀系数组成的热双金属...

透射电镜中一维纳米材料测试载片属于纳米材料性能原位检测领域。该载片包括中心金属片（１）、两个附耳（２）、狭缝（３）、扇形燕尾槽（４）、沿狭缝（３）对称分布的至少２０个圆形栅孔（５）；分布于中心金属片（１）左右两侧且处于同一直径上的两个附...

本发明公开了一种Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］－Ｌｕ↓［２］Ｏ↓［３］体系复合稀土－钼电子发射材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。现有阴极材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和镥作为添加元素，按任意比例掺...

本发明公开了一种Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］－Ｇｄ↓［２］Ｏ↓［３］体系复合稀土－钼电子发射材料及其制备方法，属于二次电子发射材料技术领域。现有二次电子发射材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和钆作为添加元素，按不同比...

一种热驱动变形透射电镜载网属于纳米器件领域。本实用新型拟解决载网只能通过电子束辐照进行变形，且提供应力有限的问题。本实用新型所提供的载网包括骨架（１）和蒸镀在骨架（１）上的支持膜（２），其特征在于，还包括金属薄膜Ａ（３）和金属薄膜Ｂ（４...