Ｐ型透明导电氧化物ＣｕＡｌＯ２薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种Ｐ型透明导电氧化物ＣｕＡｌＯ↓［２］薄膜的制备方法。该方法的步骤为：将化学纯的Ｃｕ↓［２］Ｏ粉和分析纯的Ａｌ（ＯＨ）↓［３］粉经５００～５５０℃预烧１～１．５ｈ，在１０５０～１１５０℃保温８～１２ｈ，生成纯相的ＣｕＡｌＯ↓［２］粉末，将ＣｕＡｌＯ↓［２］粉末压制成型后，经１０５０～１１５０℃烧结４～１０ｈ，制成ＣｕＡｌＯ↓［２］陶瓷靶材；采用上述制成的ＣｕＡｌＯ↓［２］陶瓷靶材，利用磁控溅射方法，以Ｓｉ（１００）单晶或石英为衬底，衬底温度３００～６００℃，以高纯氩气与氧气组成的混合气体为工作气体，工作气压０．８～１．０Ｐａ，氧分压１０～４０％，溅射功率１００～２００Ｗ，薄膜沉积后，于９００～１１００℃经氮气气氛保护，在管式炉内退火２～５ｈ，制成Ｐ型ＣｕＡｌＯ↓［２］薄膜。其厚度为１００～５００ｎｍ。本发明专利技术方法薄膜沉积面积大，生产成本低，且适于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料制备领域，具体地说是涉及一种P型透明导电氧化物 CuA102薄膜材料的制备方法。
技术介绍
随着半导体技术、尤其是透明导电氧化物(Transparent conductive oxide-TCO)薄膜技术的快速发展，透明电子器件在不久的未来必将更为广 泛地应用于太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层及其它光电器件领 域。在众多的透明导电氧化物TCO薄膜材料中，ln203 : Sn (ITO)薄膜材 料是最为重要的TCO薄膜材料之一，并一直作为平板显示器中TCO薄膜 的首选材料，但其金属In是一种稀有元素，成本较高。近年来人们不断的 寻找能够替代平板显示器中ITO薄膜的材料，也研究出了大量多元TCO 薄膜材料，但是这些薄膜材料的应用仅局限于透明电极或红外反射涂层膜 等领域。究其原因这些TCO薄膜材料基本上都属n型导电材料，而属p 型导电材料的TCO薄膜非常少，且其导电性与n型的相比相差3-4个数量 级,无法实现具有良好性能的全透明p-n结。由于缺少性能优良的p型TCO 薄膜材料，因而大大限制了这些材料的实际应用。CuA102作为最早被开发出来的铜铁矿类p型TCO薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｐ型透明导电氧化物ＣｕＡｌＯ↓［２］薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（１）将化学纯的Ｃｕ↓［２］Ｏ粉和分析纯的Ａｌ（ＯＨ）↓［３］粉混合，经５００～５５０℃预烧１～１．５ｈ，在１０５０～１１５０℃保温８～１２ｈ，生成纯相的ＣｕＡｌＯ↓［２］粉末，将ＣｕＡｌＯ↓［２］粉末压制成型后，经１０５０～１１５０℃烧结４～１０ｈ，制成ＣｕＡｌＯ↓［２］陶瓷靶材；（２）采用步骤（１）制成的ＣｕＡｌＯ↓［２］陶瓷靶材，利用磁控溅射方法，以Ｓｉ（１００）单晶或石英为衬底，衬底温度３００～６００℃，以高纯氩气与氧气组成的混合气体为工作气体，工作气压０．８～１．０Ｐａ，氧分压１０～４０％，溅射功率１００...

【技术特征摘要】
1、一种P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤(1)将化学纯的Cu2O粉和分析纯的Al(OH)3粉混合，经500～550℃预烧1～1.5h，在1050～1150℃保温8～12h，生成纯相的CuAlO2粉末，将CuAlO2粉末压制成型后，经1050～1150℃烧结4～10h，制成CuAlO2陶瓷靶材；(2)采用步骤(1)制成的CuAlO2陶瓷靶材，利用磁控溅射方法，以Si(100)单晶或石英为衬底，衬底温度300～600℃，以高纯氩气与氧气...

【专利技术属性】
技术研发人员：张铭，董国波，兰伟，董培明，严辉，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]