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本发明涉及一种Ｐ型透明导电氧化物ＣｕＡｌＯ↓［２］薄膜的制备方法。该方法的步骤为：将化学纯的Ｃｕ↓［２］Ｏ粉和分析纯的Ａｌ（ＯＨ）↓［３］粉经５００～５５０℃预烧１～１．５ｈ，在１０５０～１１５０℃保温８～１２ｈ，生成纯相的ＣｕＡｌＯ↓［２...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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