【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体静电键合
,特别是带悬空可动敏感结构的静电键合制作方法。广泛适用于带有悬空可动微结构的硅微机械器件的静电键合。
技术介绍
自二十世纪八十年代以来,随着半导体工艺技术的长足发展,出现了用硅材料制作微电子机械器件的手段。人们将微机械与微电子元件有机的结合起来,构成具有特定功能的系统,开创了微电子机械系统(简称MEMS)这门学科。其中硅微电子机械器件的封装通常采用硅—玻璃静电键合的方法。静电键合技术可以在较低的温度下将玻璃与硅键合在一起,而不用任何粘结剂,键合界面有良好的气密性和长期的稳定性。但是,在静电键合的过程中,静电力也常常作用在不需要键合的可动敏感结构部分,并引起敏感结构的过量形变,造成器件的失效甚至破坏。在1997年第一期《仪表技术与传感器》—静电键合力引起硅微结构畸变一文的研究中提出在可动的结构对应的玻璃上淀积一层绝缘层,减少可动结构与玻璃衬底的“粘附”问题,然而无法消除静电力对可动结构的破坏作用。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了彻底解决上述带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺中的缺点,提供一种既可以保证硅—玻璃键合质量,又不会 ...
【技术保护点】
带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺,其特征在于,由以下步骤组成:1)用常规湿氧氧化工艺对双面抛光硅片进行双面氧化,形成二氧化硅掩膜保护层,将经过氧化处理的硅片用单晶硅各向异性腐蚀剂腐蚀出悬空可动敏感结构;2)去除上述腐蚀出结构的硅片的二氧化硅层,用微电子常规清洗工艺清洗干净;3)在玻璃上采用溅射镀膜技术制作金属电极;4)将上述制作好的带有金属电极的玻璃置于恒温热台面上,有金属电极的一面在上;再将上述清洗好的硅片置于玻璃上;硅片上的悬空可动敏感结构与玻璃上的金属电极上下对准;硅片和玻璃上的金属电极接同一正极,两者电位相等,玻璃的下表面接负极,用微电子常规工艺在超静环境中加热, ...
【技术特征摘要】
1.带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺,其特征在于,由以下步骤组成1)用常规湿氧氧化工艺对双面抛光硅片进行双面氧化,形成二氧化硅掩膜保护层,将经过氧化处理的硅片用单晶硅各向异性腐蚀剂腐蚀出悬空可动敏感结构;2)去除上述腐蚀出结构的硅片的二氧化硅层,用微电子常规清洗工艺清洗干净;3)在玻璃上采用溅射镀膜技术制作金属电极;4)将上述制作好的带有金属电极的玻璃置于恒温热台面上,有金属电极的一面在上;再将上述清洗好的硅片置于玻璃上;硅片上的悬空可动敏感结构与玻璃上的...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐晨,杨道虹,沈光地,赵慧,赵林林,霍文晓,邹德恕,陈建新,高国,
申请(专利权)人:北京工业大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]