具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件制造技术

一种用于电力电子领域的具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件，它在同一芯片上集成有半导体三极管和与其反并联的半导体二极管，其特征在于：在二极管与三极管之间设有用来提高二极管开关速度的延伸肖特基结结构，采用二极管铝电极延伸到二极管外侧部分与高阻ｎ－衬底间形成延伸肖特基结，可以减少注入少数载流子的浓度，因而提高开关速度。本发明专利技术显著提高了功率集成器件集成二极管的开关速度，并且制作工艺简单、成本低。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种含高压功率双极晶体管和与其反并联的续流二极管的高速高压功率集成器件。
技术介绍
在目前迅速发展的电力电子领域，为了达到降低制造成本、提高可靠性和减小体积，人们尽可能的将那些在电路中具有固定搭配关系的分立器件制造成功率集成器件，本专利技术所述含有高压功率双极晶体管和与其反并联的二极管的功率集成器件即属此类。这类器件在制造时需考虑以下问题如图1所示，高压功率器件的芯片上，在有效面积(指通导电流的面积)的四周都由一个不流电流的封闭形的“结终端处理区”包围起来，藉以得到高的耐压。其中，结终端处理技术有场限环、场板、台面等各种技术。作为例子，图1示出了一个采用场限环技术的高压二极管的管芯剖面图。如果图中的金属化布线(通常为蒸发上去的铝膜)紧贴结终端处理区的SiO2表面走过，则会引起该区表面电位变化而导致击穿电压降低。因此，在分立器件中，压焊的内引线远离SiO2膜腾空而过，不影响击穿电压。但在集成器件中两个器件必须用金属化布线来联接，它不可避免地要经过结终端区的SiO2表面，必然引起击穿电压下降。所以高压功率器件的集成根本不能采用低压器件集成中所用的将各元器件简单地用铝金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件，包括有三极管（１）及位于同一块半导体芯片上的二极管（２），其中二极管（２）可以位于三极管（１）的中间，也可以位于三极管（１）的外边，其特征在于：在二极管（２）与三极管（１）之间设计有用来提高二极管开关速度的延伸肖特基结（３）。

【技术特征摘要】
1.一种具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件，包括有三极管(1)及位于同一块半导体芯片上的二极管(2)，其中二极管(2)可以位于三极管(1)的中间，也可以位于三极管(1)的外边，其特征在于在二极管(2)与三极管(1)之间设计有用来提高二极管开关速度的延伸肖特基结(3)。2.根据权利要求1所述的具有延伸肖特...

【专利技术属性】
技术研发人员：亢宝位，程序，吴郁，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]