本发明的光测定装置(1)测定自内置光纤(33)的导管(31)的导管前端部(31a)出射的激光(L)的强度。光测定装置(1)具备：受光部(6)，其接收自导管前端部(31a)出射的激光(L)；及安装部(7)，其配置于面对受光部(6)的位置。...

导管套组(30)具备：导管(31)，其具有光纤(33)；及导管收纳件(32)，其收纳导管(31)。导管收纳件(32)具有管状的环箍(36)及设置于环箍(36)的位置调整机构(47)。环箍(36)具有：环箍前端部(36a)，其配置有在光纤...

分光测定装置是测定自试样发出的被测定光的分光测定装置，具备：积分球，其具有内壁面及安装孔；接合器，其具有引导被测定光的引导孔，且配置于积分球；板，其具有自积分球的外侧覆盖引导孔且载置试样的第1面、及第2面，且使被测定光透过；保持器，其具...

导管套组(30)具备：导管(31)，其具有光纤(33)；及导管收纳件(32)，其收纳导管(31)。导管收纳件(32)具有管状的环箍(36)及设置于环箍(36)的保护盖(43)。保护盖(43)具有使自导管(31)出射的激光(L)透过的透过...

本发明的光测量控制程序为在包含法布里‑珀罗干涉滤光器及光检测器的光检测装置中，通过取得自光检测器输出的电信号而使计算机执行对成为测量对象的光进行测量的处理的光测量控制程序；上述法布里‑珀罗干涉滤光器具有经由空隙而彼此相对的一对镜面部，且...

本发明的X射线管包括：具有真空的内部空间的真空框体；靶部，其配置在内部空间，包括通过电子束的入射而产生X射线的靶和支承靶且使在靶产生的X射线透过的靶支承部；和X射线出射窗，其以与靶支承部相对的方式设置，将真空框体的开口部密封，使透过靶支...

本发明提供一种利用新的指标来评价中性粒细胞的活性的方法。本发明的方法是评价中性粒细胞的活性的方法，包括基于根据添加有中性粒细胞刺激剂的生物体试样的髓过氧化物酶活性或超氧化物产生活性的测定结果导出的指标，评价中性粒细胞的活性的工序，该指标...

本实施方式涉及半导体发光元件，其具有用于抑制因从相位调制层输出的光的一部分被电极遮挡而导致的光学像的质量降低。该半导体发光元件包括具有基层和多个异折射率区域的相位调制层，相位调制层包括沿层叠方向至少一部分与电极重叠的第一区域和除第一区域...

X射线管包括：具有真空的内部空间的真空框体；靶部，其配置在内部空间，包括通过电子束的入射而产生X射线的靶和支承靶且使在靶产生的X射线透过的靶支承部；与靶支承部相对地设置，封闭真空框体的开口部，使透过靶支承部后的X射线透过的X射线出射窗；...

第一级倍增极是用于光电倍增管的第一级倍增极，具备底壁部、从规定方向上的底壁部的两端部向一侧延伸的一对侧壁部、从底壁部的端部向外侧延伸的第一保持部、从规定方向上的一对侧壁部的两端部向一侧的一对第二保持部，通过底壁部的一侧的底面及一对侧壁部...

本实施方式涉及能够降低半导体发光元件对从空间光调制元件输出的调制后的光产生的衰减或衍射作用的发光装置，该发光装置包括从光输出面输出光的半导体发光元件，和对该光进行调制的反射型的空间光调制元件。空间光调制元件包括面积比半导体发光元件的光输...

图像取得装置(11)包括：装卸自如地安装有在规定的排列方向上以多级保持载玻片(G)的盒(41)的盒安装部(21)；向盒(41)出射检查光(L1)的光源(76)；沿排列方向扫描检查光(L1)的扫描部(72)；配置在盒(41)的背面侧，使从...

加工对象物切断方法包含：第1步骤，准备加工对象物；第2步骤，在第1步骤之后，通过对加工对象物照射激光，分别沿着多个切断预定线，在加工对象物的单晶硅基板的内部形成至少1列的改质区域，并以跨越至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方...

加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1...

一种芯片的制造方法，包括：第1工序，对包含多个功能元件的基板设定第1切断预定线及第2切断预定线；第2工序，以覆盖上述功能元件且使包含上述第1切断预定线和上述第2切断预定线的交叉点的交叉区域露出的方式在上述基板形成掩模；第3工序，通过使用...

加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1...

加工对象物切断方法包含：第1步骤，准备加工对象物；第2步骤，在第1步骤之后，通过对加工对象物照射激光，分别沿着多个切断预定线，在加工对象物的单晶硅基板的内部形成至少1列的改质区域，并以跨越至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方...

加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1...

加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物，在加工对象物的第二主面形成蚀刻保护层；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1改质区域，并分别沿...

显微镜装置(1A)包括：具有调制面的SLM(33、36)；配置在调制面与对象物(B)之间的光路上的物镜(12)；和基于包含用于校正起因于对象物(B)的折射率界面的像差的校正图案的调制图案控制SLM(33、36)的计算机(43)，计算机(...