本发明提供一种形状测量传感器，其包括在测量线反射后的光入射的受光部和基于光的入射位置计算测量线上的各位置的位置信息的计算部。受光部包括多个像素对，该多个像素对分别包括生成与光的入射光量相应的第1电信号的第1像素和沿与照射方向交叉的第1方...

在位置检测传感器中，在第1像素部入射位置越接近第1像素对组的第2方向上的第1端，第1电信号的强度就越减弱，在第2像素部入射位置越接近第2方向上的第1端，第2电信号的强度就越增强，在第3像素部入射位置越接近第2像素对组的第1方向上的第2端...

在半导体晶片中设置贯通狭缝。从与第一主面正交的方向观察，第一假想切割线界定包括能量线感应区域的芯片部。第二假想切割线与第一假想切割线相比，至第二半导体区域的边缘的最短距离小于该第一假想切割线。贯通狭缝沿着第二假想切割线沿厚度方向贯通半导...

第一区域包含排列于第一方向的多个第一传送列区域。第二区域包含排列于第一方向的多个第二传送列区域。第二区域在第二传送部中的电荷传送方向上位于第一区域的下游。多个第一传送列区域的第二方向上的长度相同。多个第二传送列区域的第二方向上的长度大于...

本发明涉及一种激光解吸电离法，其具备下述工序：第一工序，准备试样支撑体(1)，该试样支撑体(1)具备形成有在彼此相对的第一表面(2a)和第二表面(2b)开口的多个贯通孔的基板(2)、至少设置于第一表面的导电层、和设置于多个贯通孔的基质；...

在图像取得装置(1)中，当通过道扫描对试样(S)的光学图像进行摄像时，对在一根道中取得的平铺图像列(R)所包含的平铺图像(T)的图像数进行计数，判断图像数是否达到预先设定的取得预定数。然后，在判断为图像数未达到取得预定数的情况下，再执行...

光检测器具备光检测元件和参考元件。参考元件具有第二基板和以在与第二基板的第二表面之间形成空隙的方式配置于第二表面上的第二膜体。第二膜体包含经由沿着第二线延伸的第二间隙相互相对的一对第二配线层和与一对第二配线层分别电连接，且具有依赖于温度...

透过型光电阴极具备：光透过性基板，其具有入射光的第一表面以及出射从第一表面侧入射的光的第二表面；光电变换层，其被设置于光透过性基板的第二表面侧，并且将从第二表面被出射的光转换为光电子；光透过性导电层，其由设置于光透过性基板和光电变换层之...

本发明的镜装置具备支承部、可动部(4)、以及配置于第一轴线(X)上的可动部(4)的两侧的一对扭力杆(7、8)。可动部(4)具有连接有一对扭力杆(7、8)的框状的框架(42)和配置于框架(42)的内侧的镜部(41)。镜部(41)在位于与第...

光检测器具备：基板、配置于基板的表面上的膜体、支承膜体的第一电极柱、支承膜体的第二电极柱。第一电极柱具有：呈现从第一电极焊盘向基板的相反侧扩展的筒状的第一主体部、设置于第一主体部中的基板侧的端部的第一底部、设置于第一主体部中的基板的相反...

本发明提供一种太赫兹波用光学元件，其具备：光学部件，其具有硅表面；防反射膜，其具有以环烯烃类聚合物为主成分的有机树脂、及分散在该有机树脂中的无机颗粒；粘接层，其在防反射膜的厚度方向上位于光学部件及防反射膜之间，粘接光学部件的硅表面及防反...

层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第1改质区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序...

层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第1吸除区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板，去除第1吸除区域的一部分；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第...

层叠工序具有：将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的电路层的第1接合工序；研磨所述第2晶圆的半导体基板的研磨工序；及将所述第3晶圆的电路层接合于所述第2晶圆的所述半导体基板的第2接合工序。在激光照射工序中，通过对于所述第1晶圆的半导体基板照...

本发明中的扫描装置具备：MEMS镜机构(3)，其以第1轴线(A1)为中心线使镜(3A)摆动，且以第2轴线(A2)为中心线使镜(3A)摆动；及控制部(5)，其产生用于以第1轴线(A1)为中心线使镜(3A)摆动的第1驱动信号(S1)、及用于...

试样观察装置(1)包括：流动池(2)，其中流动含有试样(S)的流体；照射部(11)，其向流动池(2)内流动的试样(S)照射面状光(L2)；成像部(17)，其具有相对于面状光(L2)的照射面(R)倾斜的观察轴(P2)，使通过面状光(L2)...

本发明提供一种适于动作状态的检查的半导体晶圆。晶圆为具有多个芯片形成区域的半导体晶圆，且具备：形成于芯片形成区域内的内存单元；及形成于芯片形成区域内的检查用器件，且检查用器件具有：光电二极管，其接收用于内存单元的动作确认的泵浦光的输入，...

本发明提供一种可对应于集成电路的高密度化的半导体制造方法。本发明的一方式所涉及的半导体制造方法具备如下工序：与具有多个芯片形成区域的晶圆的各芯片形成区域对应而形成：记忆胞；光电二极管，其输出对应于所输入的光信号的电信号；及信号处理电路，...

本发明提供一种适于动作状态的检查的半导体晶圆。晶圆为具有多个芯片形成区域的半导体晶圆，且具备：形成于芯片形成区域内的内存单元，及形成于芯片形成区域外的检查用器件；检查用器件具有：光电二极管，其接收用于内存单元的动作确认的泵浦光的输入，并...

试样观察装置(1)包括：保持被第一荧光物质染色的试样(S)和包含第二荧光物质的溶液(W)的试样容器(2)；照射第一激发光(L1)和第二激发光(L2)的照射部(11)；在一个方向上扫描试样容器(2)的扫描部(12)；将来自试样(S)的第一...