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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
用于EUV曝光设备中的测量的衍射光栅制造技术
公开了用于确定投影系统的像差图的相位步进测量系统的衍射光栅。光栅是二维衍射光栅,用作EUV光刻设备中的晶片级光栅。特别地,衍射光栅包括衬底并且是自支撑的,该衬底设置有圆形贯通孔径(51)的二维阵列。在一些实施例中,可以选择圆形孔径的半径...
用于光刻设备中的掩模版的热调节的系统、方法和装置制造方法及图纸
本文中的实施例描述了用于对光刻设备处的图案形成装置进行热调节的系统、方法和装置。描述了一种用于对光刻设备的图案形成装置(202)进行热调节的图案形成装置冷却系统,所述冷却系统包括:热调节器,所述热调节器对所述图案形成装置进行热调节;和控...
检查工具、方法和光刻设备技术
本文公开了一种用于评估光刻设备的部件中的一个或更多个孔的孔性质的工具,所述工具包括:评估基底;流体供应装置,所述流体供应装置被配置为从所述一个或更多个孔中的每个孔向评估基底的第一表面供应流体射流,其中,在一流体温度下供应所述流体,使得一...
生产光子晶体光纤的方法技术
本发明公开了一种生产光子晶体光纤(PCF)的方法,所述方法包括以下步骤:1)获得具有小于1.0mm的初始光纤外径的中间光子晶体光纤;和2)拉长所述中间光子晶体光纤以便可控地减小中间光子晶体光纤的至少一个尺寸。
位置测量系统、定位系统、光刻设备和器件制造方法技术方案
本发明提供了一种位置测量系统,所述位置测量系统用于测量物体在相对于参考物的移动方向上的位置,所述位置测量系统包括:衍射光栅,和干涉仪,其中所述干涉仪被配置成在与所述物体的所述移动方向正交的测量方向上将测量束引导至所述衍射光栅,并且其中所...
用于衬底保持件上的结构、衬底保持件、光刻设备以及方法技术
本发明提供了一种在衬底保持件的基部表面上使用的结构,其中:该结构是实质上平面的,该结构具有面向衬底保持件的表面,该面向衬底保持件的表面能够固定到衬底保持件的基部表面,并且还能够从衬底保持件的基部表面移除;以及该结构包括通过该结构的多个孔...
控制EUV光源中的碎片的装置和方法制造方法及图纸
公开了一种EUV系统,其中,建立了源控制回路以维持和优化碎片通量,同时不会过度影响最佳EUV生成条件。可以在容器中安装一个或多个温度传感器,例如热电偶,以测量相应局部气体温度。由所述一个或多个热电偶测量的相应局部温度可用作所述源控制回路...
用于确定与衬底上的一个或多个结构有关的特性的量测装置和方法制造方法及图纸
公开了一种确定与衬底上通过光刻过程形成的结构有关的感兴趣特性(特别是聚焦)的方法以及相关联的图案形成装置和光刻系统。方法包括:使用图案形成装置上对应的经修改的掩模版特征在衬底上形成经修改的衬底特征,经修改的衬底特征被形成用于除了量测以外...
成像系统技术方案
一种用于成像系统以确定成像系统的照射光束的两个光学特性的板,成像系统被配置为用照射光束照射照射区域,板包括多个标记,其中多个标记的第一子集包括用于确定照射光束的第一光学特性的第一类型标记,多个标记的第二子集包括用于确定照射光束的第二光学...
训练用于确定突节问题的机器学习模型制造技术
描述了用于预测光刻设备的物体保持器的突节的物理状况的实施例。提供突节的图像作为机器学习(ML)模型的输入以产生对突节的物理状况的预测。可以使用各种ML模型来产生预测。第一ML模型使用第一类型的突节数据(例如,突节的高分辨率图像)来产生预...
量测方法和装置制造方法及图纸
披露了一种暗场干涉测量显微镜和相关联的显微镜检查方法。所述显微镜包括目标分支和参考分支,所述目标分支能够操作以将目标辐射传播到样品上并收集从所述样品所产生的散射辐射,所述参考分支能够操作以传播参考辐射。所述目标辐射和所述参考是相互逐点空...
照射源和相关联的方法设备技术
一种用于接收泵浦辐射以在相互作用空间处与气体介质相互作用以产生发射辐射的组件。所述组件包括:物件,所述物件具有中空芯部,其中,所述中空芯部具有穿过所述物件的细长体积,其中,所述相互作用空间位于所述中空芯部内部;和导热结构,所述导热结构连...
衬底保持器及方法技术
一种用于保持衬底的衬底保持器,包括框架和表面夹持装置,所述表面夹持装置被布置于所述框架的底侧,所述表面夹持装置被配置为从所述衬底上方以静电方式吸引所述衬底的上表面。所述衬底保持器可以用于非接触地保持所述衬底并且使所述衬底变形,并且由此控...
用于在带电粒子系统中使用反馈回路调整束电流的系统和方法技术方案
提供了用于使用反馈回路来调整束电流的装置、系统和方法。在一些实施例中,系统104可以包括:第一阳极孔120b,被配置为在样品170的检查期间测量发射束161的电流,其中该第一阳极孔被定位在被配置为支持小于3×10<supgt;‑1...
检查数据滤除系统和方法技术方案
为了监测半导体制造工艺的变化,基于SEM图像确定相同图案特征的轮廓,并且对轮廓进行聚集和统计分析以确定特征的变化。一些轮廓是异常值,并且轮廓的聚集和平均“隐藏”这些异常值。本公开描述了在对某些异常值轮廓进行聚集和统计分析之前对它们进行滤...
使用机器学习模型产生辅助特征的计算机可读介质制造技术
本文中描述一种确定用于掩模图案的辅助特征的方法。所述方法包括:获得(i)包括多个目标特征的目标图案,其中,所述多个目标特征中的每个目标特征包括多个目标边缘;和(ii)经训练的序列至序列机器学习(ML)模型(例如,长短期存储器、门控递归单...
靶供应装置制造方法及图纸
一种系统包括:包括孔口的导管,该孔口被配置为流体地联接到贮存器并且发射熔融的靶材料;致动器,其至少包括第一区和在第一区与孔口之间的第二区,其中第一区和第二区的运动被传递到该导管的内部;以及控制器,其被配置为将第一致动信号施加到第一区并且...
检查设备的照射源、检查设备和检查方法技术
一种照射源设备(500),所述照射源设备适合用于量测设备中以表征衬底上的结构,所述照射源设备包括:高次谐波产生HHG介质(502);泵浦辐射源(506),能够操作为发射泵浦辐射束(508);和可调整的变换光学器件(510),所述可调整的...
过填充双向标记的强度不平衡校准制造技术
提供了用于校正被设置在衬底上的对准标记的检测位置并且使用经校正的数据对准所述衬底以准确地曝光所述衬底上的图案的系统、设备和方法。示例方法可以包括接收测量信号,所述测量信号包括与从具有不同定向的第一对准目标和第二对准目标衍射的第一衍射光束...
掩模版冷却罩制造技术
提供了用于从掩模版去除热量的系统、设备以及方法。示例性方法可以包括由冷却控制器基于通过照射由掩模版台支撑的掩模版上的曝光区域而形成的经图案化的辐射束的投影的定时数据、曝光区域的吸收数据以及目标传热率生成冷却控制信号。冷却控制信号可以指示...
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