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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
量测方法和量测装置制造方法及图纸
公开一种可操作以利用测量辐射来测量样本的量测装置和相关联的方法。所述量测装置包括:照射分支,所述照射分支可操作以将测量辐射传送至样本;检测分支,所述检测分支可操作以传送由于通过所述测量辐射照射所述样本而从所述样本散射的散射辐射的一个或更...
用于光学器件列的热稳定安装的系统和方法技术方案
公开了用于使光学器件列稳定的系统和方法。一种系统可以包括:光学器件列;框架,被配置为支撑光学器件列,框架具有第一热膨胀系数(CTE);和子框架,被配置为通过第一锚定件和第二锚定件在至少两个位置耦接到光学器件列,以使光学器件列稳定以抵抗由...
可变形反射镜系统技术方案
一种可变形反射镜系统(300、400、500)包括单块式支撑结构(310、410、510),该单块式支撑结构包括:第一侧(311),该第一侧(311)被配置为接收反射镜(350、450、550);以及第二侧(312),该第二侧被配置为接...
电磁电机系统、位置控制系统、载物台设备、光刻设备、确定电磁电机的电机相关变换模型的方法技术方案
本发明提供了一种确定电磁电机的电机相关变换模型的方法,其中该电磁电机包括第一构件和第二构件,第一构件包括线圈阵列,线圈阵列包括至少M个线圈,第二构件包括磁体阵列,磁体阵列被配置为产生空间交变磁场,其中第一构件和第二构件被配置为通过向至少...
量测方法和设备技术
公开了一种测量关于对准标记的对准的方法以及相关联的设备。该方法包括:用包括至少一个波长的照射光照射对准标记;捕获作为所述照射步骤的结果的从对准标记散射的经散射的辐射;以及根据所述经散射的辐射的角度分辨表示来确定所述对准标记的至少一个位置...
用于低维度数据分析的数据映射的方法和计算机程序技术
用于将与光刻设备、蚀刻工具、量测工具或检查工具相关的高维度数据映射至所述数据的较低维度表示的方法、系统和设备。获得与所述设备相关的高维度数据。所述高维度数据具有第一组的N个维度,N大于2。获得已被训练以将高维度数据的训练集映射至较低维度...
带电粒子检测器组件制造技术
一种在用于评估工具的带电粒子设备中使用的检测器组件用于检测由样品响应于带电粒子束而发射的信号粒子,检测器组件包括:被配置为在与高于第一能量阈值的信号粒子相互作用时生成光子的闪烁体元件;被配置为检测低于第二能量阈值的信号粒子的基于电荷的元...
用于解耦与半导体制造有关的变化源的方法技术
本文中描述了一种用于确定半导体制造时随时间的工艺漂移或异常值晶片的方法。该方法包括:获得表征半导体工艺随时间的性能的关键性能指标(KPI)变化(例如,LCDU)、以及与和半导体工艺相关联的因子集合相关联的数据。KPI和数据的模型被用来确...
用于在量测系统中使用的光学元件技术方案
本文中描述一种光学元件,和一种将所述光学元件用于对衬底上的结构进行的测量的量测工具或系统。所述光学元件包括:第一部分,所述第一部分被配置成将从所述照射源接收的光朝向所述衬底反射,和第二部分,所述第二部分被配置成透射从所述衬底或所述光学工...
一种监测测量选配方案的方法以及相关联的量测方法和设备组成比例
公开了一种确定可靠性度量的方法以及相关联的设备,可靠性度量描述量测信号和/或从其导出的感兴趣参数值的可靠性。方法包括:获取经训练的推算模型,用于根据测量信号推算感兴趣参数值,并获取一个或多个测量信号和/或使用所述经训练的推算模型从一个或...
确定对半导体制造工艺中的至少一个控制参数的校正的方法技术
描述了用于确定对至少一个控制参数的校正的方法和相关联的计算机程序和设备,所述至少一个控制参数用于控制半导体制造工艺以便在衬底上制造半导体器件。所述方法包括:获得与所述半导体制造工艺或所述半导体制造工艺的至少一部分相关的量测数据;获得与所...
用于诊断包括多个模块的系统的计算机实施方法技术方案
一种用于诊断包括多个模块的系统的计算机实施方法。所述方法包括:接收因果图表,所述因果图表定义:(i)多个节点,每个节点表示所述系统的模块,其中,每个模块由一个或更多个信号表征;和(ii)连接在所述节点之间的边,所述边表示性能在模块之间的...
带电粒子检测器制造技术
一种用于带电粒子装置的检测器,该带电粒子装置用于评估工具,该检测器用于检测来自样品的信号粒子,检测器包括基板,基板包括:半导体元件,其被配置为检测高于第一能量阈值的信号粒子;以及基于电荷的元件,其被配置为检测低于第二能量阈值的信号粒子。
屏蔽设备和方法技术
一种光刻工具包括:第一区域,所述第一区域包括第一部件;第二区域,所述第二区域包括第二部件;和屏蔽设备,被布置于所述第一区域和所述第二区域之间。屏蔽设备配置成减少污染物在所述第一区域和所述第二区域之间的转移。所述屏蔽设备包括在所述第一区域...
带电粒子检测器制造技术
一种在用于评估装置的带电粒子设备中使用的检测器用于检测来自样品的带电粒子,其中检测器包括:被设置至反向散射偏置电势并且被配置为检测高能量带电粒子的反向散射检测器组件;以及被设置至次级偏置电势并且被配置为检测低能量带电粒子的次级检测器组件...
确定局部化图像预测误差以改进预测图像的机器学习模型制造技术
所描述的是用于标识由模拟模型(例如,机器学习模型)预测的图像中的误差聚类,并且通过将误差聚类信息反馈给模拟模型来进一步训练或调整模拟模型以改进具有误差聚类的图像的区域中的预测的实施例。此外,公开了用于基于误差聚类中的误差的严重性对预测图...
极紫外光源的量测系统技术方案
一种量测系统,包括光装置、检测装置和控制装置,该控制装置与检测装置通信。该光装置被配置为生成光学探针,该光学探针沿着探针光轴传播,该探针光轴在探针区域处与目标轴向路径相交,该目标轴向路径主要沿着X、Y、Z坐标系中的X轴延伸。检测装置被配...
基于计算量测的采样方案制造技术
一种用于生成针对图案化过程的量测采样方案的方法,所述方法包括:获取用于衬底的图案化过程的参数的参数图;由硬件计算机系统分解所述参数图以生成对所述图案化过程的设备和/或所述图案化过程的设备的组合特定的指纹;和基于所述指纹,由所述硬件计算机...
用于保持结构部分的保持装置和用于制造保持装置的方法制造方法及图纸
一种用于保持结构部分(特别是半导体晶片(1)或光刻掩模)的保持装置(100),所述保持装置包括:基体(10),所述基体由具有上侧的至少一个板(11)形成,和多个突出立柱(12),所述多个突出立柱被布置在所述板(11)的所述上侧上并且形成...
光刻系统、衬底下垂补偿器及方法技术方案
一种系统包括具有一个或更多个突起的支撑台、和压力装置。所述一个或更多个突起接触并且支撑所述衬底,使得所述衬底相对于所述支撑台是悬浮式的。当所述衬底由所述支撑台支撑时,所述衬底的下垂基于所述衬底的材料和/或尺寸。所述压力调整所述衬底的一侧...
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