掩模版冷却罩制造技术

提供了用于从掩模版去除热量的系统、设备以及方法。示例性方法可以包括由冷却控制器基于通过照射由掩模版台支撑的掩模版上的曝光区域而形成的经图案化的辐射束的投影的定时数据、曝光区域的吸收数据以及目标传热率生成冷却控制信号。冷却控制信号可以指示掩模版冷却设备使致动器致动，以修改掩模版和室的腔顶之间的距离。方法还可以包括由致动器基于冷却控制信号修改掩模版和腔顶之间的距离，以朝向目标传热率修改与从掩模版去除热量相关联的传热率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及光刻设备，更具体地，涉及从光刻设备中使用的掩模版去除热量。

技术介绍

1、光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用以产生待形成在正在形成的ic的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标位置来辐照每个目标位置，以及所谓的扫描器，其中通过在使辐射束以给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时同步地扫描与所述扫描方向平行或反平行(例如，与扫描方向相反)的目标部分来辐照每个目标位置。还可以通过将图案印制到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底。

2、随着半导体制造工艺的持续进步，电路元件的尺寸已持续不断地减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻设备，包括：

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述腔顶和所述掩模版之间的距离在约50微米和约100微米之间，并且所述冷却元件在与所述光刻设备的扫描方向相对应的方向上与所述曝光区域分隔开。

3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中：

4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括与所述弯曲的曝光区域相对应的凹形前边缘。

5.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括与所述弯曲的曝光区域的映像相对应的凸形前边缘。

6.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括腔顶构件，所述腔顶构件...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光刻设备，包括：

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述腔顶和所述掩模版之间的距离在约50微米和约100微米之间，并且所述冷却元件在与所述光刻设备的扫描方向相对应的方向上与所述曝光区域分隔开。

3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中：

4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括与所述弯曲的曝光区域相对应的凹形前边缘。

5.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括与所述弯曲的曝光区域的映像相对应的凸形前边缘。

6.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括腔顶构件，所述腔顶构件横向于所述扫描光刻设备的扫描方向弯曲，使得所述腔顶构件的外端比所述腔顶构件的中心部分更靠近所述掩模版。

7.根据权利要求3所述的光刻设备，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·范德克尔克霍夫，V·A·佩雷斯福尔肯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：