【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及光刻设备，更具体地，涉及从光刻设备中使用的掩模版去除热量。
技术介绍
1、光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用以产生待形成在正在形成的ic的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标位置来辐照每个目标位置，以及所谓的扫描器，其中通过在使辐射束以给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时同步地扫描与所述扫描方向平行或反平行(例如，与扫描方向相反)的目标部分来辐照每个目标位置。还可以通过将图案印制到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底。
2、随着半导体制造工艺的持续进步，电路元件的尺寸已持续不断地减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量几十年来一直在稳步地增加，所遵循的趋势通常被称为“摩尔定律”。为了跟上摩尔定律，半导体行业一直在追求能够创建越来越小特征的技术。为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了在所述衬底上图案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。
3、极紫外(euv)辐射，例如波长约为50纳米(n
4、产生euv光的方法包括但不一定限于，将具有发射线在euv范围内的元素(例如氙(xe)、锂(li)或锡(sn))的材料转换为等离子体状态。例如，在一种称为激光产生等离子体(lpp)的方法中，等离子体可以通过用可称为驱动激光的放大光束照射目标材料产生，所述目标材料在lpp源的上下文中可替换地称为燃料，例如液滴、板、带、流或簇形式的材料。对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如真空室)中产生，并使用各种类型的量测装备进行监测。
5、用于将设置在掩模版上的图案投影到衬底上的辐射束将向掩模版传递大量的热量。由加热引起的掩模版的局部膨胀可能降低所投影的图案与已经存在于衬底上的图案的重叠准确性。
技术实现思路
1、本公开描述了用于在光刻设备的操作期间从掩模版去除热量以增加所投影的图案与已经存在于衬底上的图案的重叠准确性的系统、设备和方法的各方面。
2、在一些方面中，本公开描述了一种光刻设备。该光刻设备可以包括：光学系统，所述光学系统被配置为将辐射束引导到由掩模版台支撑的掩模版上，以形成经图案化的辐射束。所述辐射束可以引起对所述掩模版的曝光区域的加热。光刻设备还可以掩模版冷却设备，所述掩模版冷却设备被配置为从所述掩模版去除热量。所述掩模版冷却设备可以包括：冷却元件，所述冷却元件设置在所述掩模版下方并与所述曝光区域相邻。所述冷却元件可以包括主体，所述主体包括连接到通道的室，所述通道被配置为向所述室输送气体。所述室的腔顶可以被设置为与所述掩模版相邻并可以包括开口，所述开口被配置为朝向所述掩模版输出所述气体。掩模版冷却设备还可以包括致动器，所述致动器被配置为修改所述腔顶和所述掩模版之间的距离。掩模版冷却设备还可以包括冷却控制器，所述冷却控制器被配置为：基于所述经图案化的辐射束的投影的定时数据、所述掩模版上的所述曝光区域的吸收数据以及目标传热率生成冷却控制信号。所述冷却控制信号可以被配置为指示所述掩模版冷却设备使所述致动器致动，以修改所述腔顶和所述掩模版之间的距离。所述冷却控制器还可以被配置为将所述冷却控制信号传输到所述致动器。
3、在一些方面中，本公开描述了一种掩模版冷却设备。所述掩模版冷却设备可以包括：冷却元件，所述冷却元件被配置为设置在由掩模版台支撑的掩模版下方，并与所述掩模版的曝光区域相邻。所述冷却元件可以包括主体，所述主体包括连接到通道的室，所述通道被配置为向所述室输送气体。所述室的腔顶可以被配置为设置为与所述掩模版相邻并可以包括开口，所述开口被配置为朝向所述掩模版输出所述气体。所述掩模版冷却设备还可以包括致动器，所述致动器被配置为修改所述腔顶和所述掩模版之间的距离。所述掩模版冷却设备还可以包括冷却控制器，所述冷却控制器被配置为：基于由所述掩模版产生的经图案化的辐射束的投影的定时数据、所述掩模版上的所述曝光区域的吸收数据以及目标传热率生成冷却控制信号。所述冷却控制信号可以被配置为指示所述掩模版冷却设备使所述致动器致动，以修改所述腔顶和所述掩模版之间的距离。所述冷却控制器还可以被配置为将所述冷却控制信号传输到所述致动器。
4、在一些方面中，本公开描述了一种用于从掩模版去除热量的方法。该方法可以包括由冷却控制器基于通过照射由掩模版台支撑的掩模版上的曝光区域而形成的经图案化的辐射束的投影的定时数据、所述曝光区域的吸收数据以及目标传热率生成冷却控制信号。所述冷却控制信号可以指示掩模版冷却设备使致动器致动，以修改所述掩模版和室的腔顶之间的距离，所述室连接到用于向所述室输送气体的通道。所述通道可以设置在所述掩模版冷却设备的冷却元件的主体中。所述方法还可以包括，由所述冷却控制器将所述冷却控制信号传输到所述致动器。所述方法还可以包括，由所述致动器基于所述冷却控制信号修改所述掩模版和所述腔顶之间的距离，以朝向所述目标传热率修改与从所述掩模版去除热量相关联的传热率。
5、下面参考附图详细描述各方面的其它特征以及结构和操作。应注意，本公开不限于本文描述的特定方面。在本文中呈现这些方面仅是出于说明性目的。基于本文中包含的教导，(多个)相关领域技术人员将明白另外的方面。
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1.一种光刻设备，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述腔顶和所述掩模版之间的距离在约50微米和约100微米之间，并且所述冷却元件在与所述光刻设备的扫描方向相对应的方向上与所述曝光区域分隔开。
3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中：
4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括与所述弯曲的曝光区域相对应的凹形前边缘。
5.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括与所述弯曲的曝光区域的映像相对应的凸形前边缘。
6.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括腔顶构件，所述腔顶构件横向于所述扫描光刻设备的扫描方向弯曲，使得所述腔顶构件的外端比所述腔顶构件的中心部分更靠近所述掩模版。
7.根据权利要求3所述的光刻设备，其中：
8.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述冷却元件还包括敞开式腔体，所述敞开式腔体设置在所述主体的相对于所述掩模版的最上表面内。
9.根据权利要求1所述的光刻设备，其中：
10.根据权利要求1所述的光刻设备
11.根据权利要求1所述的光刻设备，其中：
12.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括掩模版温度调节系统，所述掩模版温度调节系统被配置为在将所述掩模版放置在所述掩模版台上之前，将所述掩模版的第一温度调节为高于所述第一温度的第二温度，其中所述主体是能够弯曲的，以便控制由位于所述冷却元件和所述掩模版之间的气体的部分所提供的冷却。
13.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括：
14.一种掩模版冷却设备，包括：
15.一种方法，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光刻设备，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述腔顶和所述掩模版之间的距离在约50微米和约100微米之间，并且所述冷却元件在与所述光刻设备的扫描方向相对应的方向上与所述曝光区域分隔开。
3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中：
4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括与所述弯曲的曝光区域相对应的凹形前边缘。
5.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括与所述弯曲的曝光区域的映像相对应的凸形前边缘。
6.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述第一冷却元件包括腔顶构件，所述腔顶构件横向于所述扫描光刻设备的扫描方向弯曲，使得所述腔顶构件的外端比所述腔顶构件的中心部分更靠近所述掩模版。
7.根据权利要求3所述的光刻设备，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·范德克尔克霍夫，V·A·佩雷斯福尔肯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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