一种可用于光刻设备中的载物台。载物台包括静电夹具，该静电夹具包括设置在绝缘层之间的至少一个电极。载物台还包括第二夹具，其包括电连接的突节阵列，突节包括在突节的物体接收表面处的电阻材料层。

公开了一种粒子束检查装置，并且更具体地，公开了一种用于图像检查和增强的粒子束参数变化补偿的方法。初级束发射电流可以被连续地监测，以补偿发射电流波动。波动可以通过调整电子源的特性或带电粒子系统内的子系统的特性被补偿。基于事件的检测系统可以...

本文公开了一种流体处理系统，包括液体限制结构（12）、气体供应管道（70）和流体输送管道（80）。液体限制结构被配置为将浸没流体限制在液体限制结构的至少一部分与衬底的表面之间的空间内。气体供应管道被配置为向该空间供应流体。气体供应管道具...

提供了一种用于处理晶片的系统的改进的真空室。真空室可以包括顶壁，其中顶壁的内表面的至少一部分相对于顶壁的侧视图倾斜。真空室还可以包括耦合到顶壁的通气口和耦合到真空室并且被定位在通气口下方的挡板，其中挡板被配置为减少经由通气口进入真空室的...

公开了一种计算机系统，所述计算机系统被配置成：对掩模版的形状和/或变形进行建模；和依赖于所建模的形状和/或变形来控制使用掩模版的光刻过程的操作；其中为了对所述掩模版的形状和/或变形进行建模，所述计算机系统被配置成：获得表示掩模版的形状的...

描述一种电子束设备，所述设备包括：电子束源，被配置成产生电子束；束转换单元，包括：孔阵列，被配置成从所述电子束产生多个子束；偏转器单元，被配置成使得所述多个子束中的一组或更多组偏转；投影系统，被配置成将所述多个子束投影至物体上。偏转器单...

一种物体保持器，被配置为支撑物体，该物体保持器包括：设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的第一导电层；设置在第二绝缘层和第三绝缘层之间的第二导电层；多个突节，该多个突节中的每个突节包括物体接收表面；以及电阻性或导电性材料层，设置在多个突节中...

本发明提供了一种用以生成用于可移动物体的加速度设定点分布曲线的方法，其中，所述方法包括：提供具有有限加速度时间长度的时域加速度曲线，提供具有有限急动度时间长度的时域急动度曲线，计算所述时域加速度曲线和所述时域急动度曲线的时域卷积以生成所...

用于带电粒子系统中的高级电荷控制器配置的系统、设备和方法。一种系统可以包括：光源，被配置为发射光束；以及反射镜系统，被配置为在样品的检查期间调整光束在样品上的入射角，而基本上不调整光束在样品上的位置。

描述了一种源掩模优化（SMO）。所述SMO包括基于光刻设备部件上的引起图案的第二层中的第二特征的依赖于特征的成像性能改变的系统效应来确定光刻设备的用于所述图案的第一层中的第一特征的源配置（例如，照射光瞳）。例如，所述光刻设备部件上的所述...

一种系统包括辐射源、相控阵和检测器。所述相控阵生成辐射束并将所述束朝向衬底上的目标结构引导。所述相控阵包括多个光学元件和波导。所述多个光学元件透射辐射波。所述多个波导将来自所述辐射源的辐射引导到所述多个光学元件。所述多个波导中的每个波导...

一种热调节系统，所述热调节系统被配置成热调节对象。所述热调节系统包括配置成连接至所述对象且被配置成将热调节流体的流提供至所述对象的流体导管所述流体导管包括配置成连接至所述对象且将所述热调节流体供应给所述对象的供应导管和配置成连接至所述对...

本文公开了一种计算机系统，所述计算机系统被配置成在对一批次衬底中的第一衬底执行光刻过程之前利用掩模版的第一多个边缘标识和第二多个边缘标识执行掩模版对准RA量测。掩模版变形模型依赖于所述RA量测来确定所述掩模版的形状和/或变形。依赖于所确...

一种系统包括光刻系统的第一和第二部分、以及位于第一部分与第二部分之间的阻尼系统。所述阻尼系统包括阻尼器保持器，所述阻尼器保持器保持X方向阻尼器组和Y方向阻尼器组。

一种用于支撑和移动物体（502）的台（500）包括电磁体（510）、第一支撑结构和第二支撑结构（504；506）、目标（508）以及目标侧缓冲器结构。电磁体可以包括磁芯、线圈（512）、以及附接到磁芯的磁芯侧缓冲器。设置在第一支撑结构（...

本公开提供了一种装置，该装置包括：至少一个用于保持衬底的衬底台，该衬底台被设置有用于静电夹持所述衬底的静电夹具；以及至少一个反射表面，用于在远离衬底前侧的方向上反射带电粒子。一种使用方法，包括以下步骤：将至少一个衬底台静电夹持在衬底台上...

本文中公开一种计算机系统，所述计算机系统被配置成使用掩模版加热模型来确定掩模版的形状和/或变形并依赖于所建模的形状和/或变形来控制使用所述掩模版的光刻过程的操作。所述计算机系统被配置成依赖于所生成的掩模版过程数据和所述掩模版的已知热性质...

一种用于代替光刻设备中的图案形成装置来使用的光电板（300），所述光电板包括：基底层（301）；和涂层（302），所述涂层设置在所述基底层上；其中所述涂层被配置成相较于所述基底层以更高转换效率将EUV辐射的冲击光子转换成自由电子。

本文中的实施例描述了用于基于掩模版形状测量来确定掩模版温度的系统、方法和装置。系统可以包括：照射路径，所述照射路径被配置成将辐射引导到图案形成装置上；和检测路径，所述检测路径被配置成在所述辐射的一部分与所述图案形成装置相互作用之后将所述...

本公开涉及极紫外光源中的目标扩展速率控制。一种方法，包括：提供目标材料，目标材料包括在被转换为等离子体时发射极紫外(EUV)光的成分；朝向目标材料引导第一辐射束以向目标材料传递能量以修改目标材料的几何分布以形成经修改的目标；朝向经修改的...