专利查询
首页
专利评估
登录
注册
ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有2710项专利
执行量测的方法、训练机器学习模型的方法、提供包括二维材料的层的方法、量测设备技术
披露了执行量测的方法。在一个布置中,提供衬底,所述衬底具有形成在所述衬底上的层。所述层包括二维材料。利用辐射束照射所述层的目标部分并且检测光瞳平面中的辐射分布以获得测量数据。处理所述测量数据以获得关于所述层的所述目标部分的量测信息。针对...
带电粒子评估工具、检查方法技术
一种用于带电粒子评估工具的多束电子光学系统,该系统包括:多个控制透镜、多个物镜、和控制器。多个控制透镜被配置为控制相应子射束的参数。多个物镜被配置为将多个带电粒子束中的一个带电粒子束投射到样品上。控制器控制控制透镜和物镜,使得带电粒子以...
目标结构以及相关联的方法和设备技术
披露了一种衬底,包括形成在至少两个层中的目标结构。所述目标结构包括:第一区,所述第一区包括能够使用光学量测来测量的在所述层中的每个层中的周期性重复特征;和第二区,所述第二区包括在所述层中的每个层的一个或更多个产品特征的重复,所述重复足以...
用于脉冲电压对比度检测和充电动态捕获的系统和方法技术方案
公开了使用带电粒子束装置以电压对比模式来观察样本的系统和方法。带电粒子束装置包括:带电粒子源;光源;被配置为检测带电粒子的带电粒子检测器;以及具有电路系统的控制器,其被配置为施加第一信号以使得光源生成光脉冲,将第二信号施加到带电粒子检测...
用于发射带电粒子的发射器制造技术
一种发射器,被配置为发射带电粒子。发射器包括主体、金属层和带电粒子源层。主体具有尖端。金属层至少在该尖端上是第一金属。带电粒子源层在金属层上。尖端包括不同于第一金属的第二金属。的第二金属。的第二金属。
在光刻过程期间投影到物体上的标记和用于设计标记的方法技术
第一层标记和第二层标记适于在光刻过程期间被投影在彼此上。第一层组件和第二层组件适于被布置在多个不同的重叠配置中,每个重叠配置包括多个第一层组件的数目和多个第二层组件的数目,并且每个重叠配置具有不同的重叠距离,每个第一层组件以该重叠距离而...
确定半导体制造过程中的校正策略的方法及相关联的设备技术
披露了一种确定半导体制造过程中的校正策略的方法。所述方法包括:获得与功能指标相关的功能指标数据,所述功能指标与所述半导体制造过程的和/或与所述半导体制造过程相关联的工具的多个不同的控制机制中的每个控制机制的一个或更多个过程参数相关联;以...
坚固的流体耦合装置制造方法及图纸
一种目标材料供应装置,包括:第一流体流动部件和第二流体流动部件(1122,1126),它们当联结在一起时限定轴向流动路径,其中轴向流动路径在目标材料流体的源和喷嘴供应装置之间;以及耦合装置,其被配置为密封在第一流体流动部件和第二流体流动...
用于控制制造工艺的方法和相关联的装置制造方法及图纸
公开了一种确定工艺空间内的工艺窗口的方法,该方法包括:针对与跨多个层提供特征相关联的多个工艺条件(600)中的每一工艺条件,获得(610)与将跨所述多个层提供给衬底(625)的特征有关的轮廓数据(615),以及描述对跨多个层的轮廓数据的...
用于测量光刻设备的聚焦性能的方法、图案形成装置和设备、器件制造方法制造方法及图纸
公开了一种用于光刻过程的焦距测量的方法。所述方法包括:接收衬底,已经通过光刻设备利用照射光瞳在所述衬底上印制量测图案;利用量测工具照射所述量测图案以基于由所述量测图案散射的辐射来测量信号;和基于所测量的信号来确定或监测所述光刻过程的焦距...
用于分类半导体晶片的方法技术
披露了用于分类半导体晶片的方法和设备。所述方法包括:使用模型基于与半导体晶片集合的一个或更多个参数相对应的参数数据将所述半导体晶片集合分类成多个子集,其中子集中的半导体晶片的参数数据包括一个或更多个共同特性;基于一个或更多个半导体晶片被...
用于衬底的多重曝光的光刻设备和方法技术
提供一种光刻系统和用于曝光衬底的方法。所述方法包括提供多个掩模组。每个掩模组包括与相应图案对应的互补掩模。所述方法还包括利用所述多个掩模组曝光所述衬底。所述多个掩模组中的一掩模组中的互补掩模之间的拼接部位不同于所述多个掩模组中的每个其它...
EUV光源靶量测制造技术
公开了用于将由靶材料组成的靶与调节射束对准的设备和方法,调节射束被提供用于通过改变靶的形状、质量分布等来调节靶,其中调节射束包括传播模式的非均匀分布(诸如跨靶的空间模式的偏振模式)形式的结构化光。间模式的偏振模式)形式的结构化光。间模式...
用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法技术方案
本文描述了一种用于校准抗蚀剂模型的方法。该方法包括以下步骤:基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和抗蚀剂模型的参数来产生抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓;以及基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息,根据模型化抗蚀剂轮廓来预测抗蚀剂结构的量测轮廓。...
照射源和相关联的量测设备制造技术
披露了一种照射源,包括:气体输送系统,所述气体输送系统被配置成提供气体目标以用于在所述气体目标的相互作用区处产生发射辐射;和干涉仪,所述干涉仪利用干涉仪辐射来照射所述气体目标的至少一部分以测量所述气体目标的性质。的性质。的性质。
用于产生宽带辐射的方法以及相关联的宽带源和量测装置制造方法及图纸
披露了一种产生宽带输出辐射的方法和相关联的宽带辐射源。所述方法包括:产生输入辐射的脉冲,所述脉冲具有在50fs至400fs的范围内的持续时间且具有小于60fs的上升时间;和利用用输入辐射的所述脉冲来激励中空芯部光纤内的工作介质。内的工作...
具有承压壳的压力容器制造技术
压力容器被配置成保存含有锡的流体。压力容器包括:由钼制成的衬里,衬里限定衬里腔,该衬里腔保存锡流体并且与锡流体接触;以及承压壳,承压壳限定在其中固定衬里的壳腔。承压壳由具有与钼的热膨胀系数相匹配的热膨胀系数的材料制成。的材料制成。的材料...
中空芯部光纤光源和用于制造中空芯部光纤的方法技术
披露了一种处理中空芯部光纤的输出耦合端的方法,所述中空芯部光纤包括围绕中空芯部的多个反谐振元件,以及已经被如此处理的中空芯部光纤。所述方法包括:执行锥形化步骤,以在所述反谐振元件中形成锥形部;在所述锥形部处执行切开步骤,以形成所述中空芯...
半导体制造厂中的污染的标识方法和装置制造方法及图纸
公开了标识半导体制造厂中的污染的方法和相关装置。该方法包括:确定被夹紧到晶片台上的多个半导体晶片在半导体制造厂中被处理之后的污染图数据。至少部分基于多个半导体晶片的污染图数据的组合来确定经组合的污染图数据。经组合的污染图数据与参考数据组...
用于平面反射镜干涉仪的紧凑型双通干涉仪制造技术
一种用于平面反射镜干涉仪的紧凑型双通干涉仪,其被配置成接收来自光源的输入辐射束。光学部件具有部分反射性表面,所述部分反射性表面被布置成反射所述输入辐射束的第一部分以遵循被引向输出端子的第一光路,并且还被布置成将所述输入辐射束的第二部分透...
首页
<<
11
12
13
14
15
16
17
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
110930
珠海格力电器股份有限公司
86048
中国石油化工股份有限公司
71524
浙江大学
67348
中兴通讯股份有限公司
62438
三星电子株式会社
60883
国家电网公司
59735
清华大学
47856
腾讯科技深圳有限公司
45685
华南理工大学
44631
最新更新发明人
黑龙江省科学院高技术研究院
205
惠州市康冠汽车电子有限公司
3
大收场天津共享经济有限公司
2
上海捷涌科技有限公司
72
常州蓝丁格尔工具有限公司
53
成都康华生物制品股份有限公司
75
浙江沃克制冷设备有限公司
42
深圳卓蚁科技有限公司
9
华南理工大学
44632
赣州城投良延环境有限公司
10