一种用于计算与部件相关联的空间图的方法，该空间图指示部件中的热膨胀参数的空间变化，该方法包括：提供或确定作为时间的函数的部件中的温度分布；使用所提供的或所确定的部件中的温度分布以及与部件直接或间接相互作用的辐射束的光学测量来计算与部件相...

一种光刻设备，具有衬底保持件，被配置成保持衬底，以及投影系统，被配置成将辐射束投影到由衬底保持件保持的衬底上。也具有流体处理系统，被配置成将浸没液体约束于所述投影系统的一部分与所述衬底的所述表面之间的空间中，由此所述辐射束能够通过传递穿...

本发明提供了一种基板，基板被配置成附接到半导体衬底，其中基板被配置成在半导体衬底上执行的一系列处理步骤期间保持附接到半导体衬底，其中基板由杨氏模量大于300GPa的材料制成。制成。制成。

本文公开了一种致动器装置(70)，该致动器装置(70)包括：限定腔(71)的壁(504)；壳体(72)，从壁(504)突出并且限定与腔(71)流体连通的内部(73)；致动器(901)，包括：力施加器(74)，被配置为在腔(71)中的组件...

一种宽带辐射源装置，包括光纤组件，所述光纤组件包括多个光纤，每个光纤填充有气体介质；其中所述宽带辐射源装置能够操作以使得能够独立地选择光纤的子集以用于接收输入辐射束，以便在任一时间仅从所述多个光纤的子集产生宽带输出。生宽带输出。生宽带输出。

本公开涉及一种用于确定制造过程中的偏差的方法，该方法包括以下步骤：a.提供具有层的样品，该层具有周期性结构，该周期性结构使用制造过程制造并且旨在使得层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光；b.使用波长在所述波...

用于调适机器学习架构的分布模型的方法和设备。所述分布模型用于减轻概念漂移的影响，并且被配置成提供输出以作为至所述机器学习架构的功能模型的输入。所述功能模型用于执行机器学习任务。所述方法包括：获得第一数据点；和提供所述第一数据点作为至所述...

一种测量信号在电路结构中的线路中传播的延迟时间的方法，该方法包括：通过带电粒子射束的脉冲来辐照线路，其中带电粒子射束的脉冲的脉冲重复频率是变化的。该方法还包括：对于脉冲重复频率中的每个脉冲重复频率，响应于通过带电粒子射束的脉冲以相应脉冲...

本文中描述了用于从诸如设计布局的图像中选择图案的方法和设备。所述方法包括：获得具有多个图案的(例如，目标布局的)图像；基于图像内的像素强度来确定指标(例如，熵)，所述指标指示图像的一个或更多个部分中包含的信息量；以及基于指标，从图像的具...

一种带电粒子系统(400)沿着多束路径(406，408)生成带电粒子多束。带电粒子系统包括孔径阵列(430)、射束限制阵列(421)和会聚透镜(410)。在孔径阵列中是用于从上游带电粒子源(401)生成孔径阵列下游的带电粒子路径(406...

带电粒子束检测器可以包括具有以下项的电路：存储单元，其被配置为接收表示感测元件的输出的信号；存储单元复用器，其被配置为将表示感测元件的输出的信号选择性地传输到存储单元；阈值检测器，其被配置为将表示感测元件的输出的信号与阈值进行比较；以及...

描述了用于确定映射的强度度量的方法和系统。确定映射的强度度量包括确定制造系统的强度度量。强度度量基于衬底上的位置的反射率和制造系统特性被确定。确定映射的强度度量还包括确定参考系统的映射的强度度量。参考系统具有参考系统特性。映射的强度度量...

一种用于还原部分氧化的掩模版和表膜组件的设备，包括：支撑件；氢气供应装置；以及电子源。所述支撑件用于支撑掩模版和表膜组件。所述氢气供应装置可操作以在掩模版和表膜组件由所述支撑件支撑时将氢气供应到掩模版和表膜组件的表膜附近。所述电子源可操...

公开了一种用于在衬底区域上对测量数据进行建模的方法和相关联的装置。该方法包括：获得与第一布局相关的测量数据；基于所述第一布局对第二模型进行建模；在第二布局上评估第二模型，第二布局比所述第一布局密集；以及根据第二布局，将第一模型拟合到该第...

披露了用于模拟等离子体蚀刻过程的系统和方法。根据某些实施例，用于模拟等离子体蚀刻过程的方法可以包括：基于多个第一参数，以第一尺度预测等离子体的粒子的第一特性；基于由多个第二参数引起的对所述第一特性的修改，以第二尺度预测所述粒子的第二特性...

可变设定点和/或其它因素可能限制用于设备的移动部件的迭代学习控制。本公开描述一种被配置成控制设备的部件(ST)以至少一个指定运动进行移动的处理器。所述处理器被配置成接收诸如和/或包括可变设定点的控制输入(SP)。所述控制输入指示所述部件...

确定在一时段内入射到检测器上的带电粒子的数目的方法可以包括：生成第一信号，第一信号基于撞击检测器的感测元件的带电粒子；基于检测器上的带电粒子到达事件的预定特性，使用第一信号来执行处理；以及基于处理来输出计数信号。数信号。数信号。

公开了用于在衬底上对光致抗蚀剂中的曝光图案执行测量的方法和相关联的量测装置。方法包括：在测量区域之上的所述曝光图案上施加测量辐射束，测量区域的尺寸防止或减轻来自测量辐射的光致抗蚀剂损伤；在所述测量辐射已从所述曝光图案散射之后，捕获包括所...

披露了一种方法，涉及：获得用于模拟抗蚀剂中的图案的变形过程的抗蚀剂变形模型，所述抗蚀剂变形模型是被配置为模拟作用于所述抗蚀剂的流体内力的流体动力学模型；通过使用所述抗蚀剂变形模型来执行所述变形过程的计算机模拟，以获得针对至所述抗蚀剂变形...

描述了为半导体晶片的设计布局选择优化的、几何多样化的片段子集。所述设计布局的完整表示被接收到。所述设计布局的代表性片段集合被确定，使得各个代表性片段包括所述设计布局的一个或多个独特图案的不同组合。所述代表性片段的子集基于所述一个或多个独...