ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有3480项专利

  • 公开了一种用于光声亚表面原子力显微镜的悬臂探头布置,包括:悬臂;至少一个探头元件,所述至少一个探头元件附接到所述悬臂并且包括背离所述悬臂朝向所述探头元件的尖端减小的截面积;以及至少一个聚焦结构,所述至少一个聚焦结构能够操作以将在所述悬臂...
  • 一种用于根据图像数据预测表征光刻过程的过程信息的方法。神经网络被配置为接收衬底的图案化部分的图像数据并生成预测的过程信息。该方法包括获得多个标记训练项,每个训练项包括训练图像数据、域标签和过程信息。该方法还包括处理训练图像数据以生成域潜...
  • 公开了一种适于在极紫外辐射源中储存待辐照和转换的熔融靶材料的装置,其中包含熔融靶材料的贮存器由钼构成,所述贮存器例如通过使用热等静压工艺制备,使得钼的材料性质是各向同性的。
  • 本发明提供了一种包括位置测量系统的光刻设备,所述位置测量系统包括:测量头、参考基准和提供表示所述测量头相对于所述参考基准的位置的位置相关信号的传感器;虚设位置相关信号生成器,所述虚设位置相关信号生成器被配置成提供虚设位置相关信号;处理装...
  • 公开的是一种相位生成载波询问器,该相位生成载波询问器包括:一个或多个干涉仪,每个干涉仪可操作以接收调制辐射并且生成相应干涉仪信号,该干涉仪信号包括由被测对象引起的感兴趣相位,每个上述干涉仪信号还包括由上述调制辐射引起的周期性相位调制;可...
  • 本发明公开一种量测方法和量测工具,包括:第一色散性元件,所述第一色散性元件可操作以接收并且散射源辐射以便生成第一散射的辐射;最终聚焦元件,所述最终聚焦元件被配置成:收集所述第一散射的辐射的至少一部分,所收集的第一散射的辐射包括各自已经在...
  • 一种用于表面轮廓确定的系统和方法,包括在表面(360)与一组粒子束(332,223)之间生成多个相互作用,和重组与所述表面相互作用之后的所述一组粒子束以确定表面深度轮廓。所述一组粒子束可以包括被拆分(340,342)成参考束(334)和...
  • 系统和装置可以包括带电粒子系统的样品固持器的部件,该部件包括本体部分,该本体部分包括贵金属;涂层,该涂层覆盖本体部分的外表面区域的至少一部分,其中涂层被配置为减少从本体部分移除的贵金属的粒子,以减轻带电粒子系统中的污染物。
  • 一种用于确定投射系统的光学属性的方法,该方法包括:获得表示从投射系统输出的测量辐射的测量数据;获得由投射系统接收的输入辐射的估计照射轮廓;基于估计照射轮廓生成表示从投射系统输出的估计辐射的估计数据;将估计数据拟合到测量数据,以生成参数拟...
  • 一种带电粒子检测器包括多个感测元件,每个感测元件具有用于处理检测信号的感测元件级电路。感测元件电路包括用于防止感测元件处的噪声传递到感测元件级电路中的检测单元的阈值电路。阈值电路可以是晶闸管或其他固态电流控制器件,当达到阈值电压或电流时...
  • 一种测量物体的表面形貌的方法包括:用辐射束在束斑区域上形成图案的第一图像;相对于束斑区域移动物体;接收从物体反射的辐射束的一部分,并且将反射的辐射分为第一部分和第二部分,使得对应于第一图像的第一部分的辐射的第一部分与对应于第一图像的第二...
  • 一种被配置为支撑物体的物体保持器,物体保持器包括:基体,其由板形成,板具有上侧和在板的上侧上的接触表面,接触表面具有用于接触物体的预定平坦度,其中,在板的上侧上设置有凹口吸收层,凹口吸收层具有低体积密度,使得在外来颗粒的机械作用的情况下...
  • 一种用于测量衬底的测量装置,所述测量装置包括:光学传感器,所述光学传感器被配置为通过发射光束对衬底的表面进行测量;流体供应装置,所述流体供应装置被配置为供应调节流体,所述调节流体横穿所述光束并在位于所述测量装置与所述衬底的表面之间的狭缝...
  • 公开了一种在维护动作之后执行的机器维护方法,在所述维护动作中,旧机器部件已经由替换机器部件替换。所述方法包括确定性能影响度量,所述性能影响度量描述由用所述替换机器部件替换所述旧机器部件引起的对机器性能的影响;以及降级所述替换部件,使得所...
  • 一种用于测量衬底的参数的方法包括接收泵浦辐射。用所接收的辐射来辐照衬底上的量测目标,从而通过谐振而产生谐波产生式辐射。使用量测传感器,检测由量测目标所衍射的谐波产生式辐射的至少两个相反的辐射阶的强度。基于至少两个相反的辐射阶的强度以及谐...
  • 公开了一种从样本的临界尺寸对缺陷概率进行建模以改进故障率预测的方法,更特别地公开了一种使用sigmoid函数对缺陷概率进行建模以改进故障预测的方法。sigmoid函数可以被用于解释一系列可以准确地预测样本中的故障和缺陷的形成的临界尺寸。
  • 本发明提供一种聚焦量测的方法。该方法包括使用检查工具对具有由光刻工具形成的多个特征的样品成像;确定样品的图像中的多个特征与设计布局相比的移位量;以及基于偏移量导出光刻工具的移位值。
  • 一种被配置为将EUV辐射投影到衬底位置的光刻设备,该光刻设备包括:照射系统,该照射系统包括用于沿着束路径引导EUV辐射的多个反射表面;以及IR源,该IR源被配置为产生IR辐射;其中所述IR源和照射系统被布置为使得IR辐射沿着束路径投影。
  • 一种光刻设备,包括:衬底支撑件,被配置为支撑衬底,该衬底支撑件包括被配置为从靠近衬底的边缘的位置抽取流体的开口;至少一个处理系统,被配置为处理衬底,处理包括测量衬底或相对于衬底支撑件移动衬底;和控制器,被配置为控制至少一个处理系统,并向...
  • 提供一种制造用于EUV光刻的隔膜组件的方法,其中,在限定保持表膜隔膜的表膜边界的一个或多个蚀刻步骤之后,设置形成表膜隔膜的至少一部分的层。还提供一种表膜基底,该基底包括具有正面和背面的叠层,其中,在已经设置形成表膜隔膜的至少一部分的层之...