【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包括用于夹持衬底的静电夹具的装置和方法。这种夹具可用于例如在深真空环境中保持衬底。静电夹持可用于保持被定位在光刻设备的晶片台上的晶片。
技术介绍
1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4-20nm范围内，例如6.7nm或13.5nm的极紫外(euv)辐射的光刻设备可用于在衬底上形成更小的特征。
3、在euv中，例如在测量和曝光序列期间，晶片通常被静电夹持在晶片台卡盘上。为了获得良好的成像套刻，静电钳位电压可以非常高，在3.2kv的量级。描述静电夹具的另一种方式是压力等效力。在euv光刻设备中，压力等效力可超过50kpa。将来，钳位电压或压力等效力可能进一步增加。
4、由...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，包括：
3.根据权利要求2所述的装置，所述第一反射表面具有大体上对应于所述衬底的周边的形状。
4.根据权利要求2或3所述的装置，所述第一反射表面是环形的，具有允许粒子从侧向反射离开所述衬底的倾斜表面。
5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，所述至少一个衬底台包括一个或多个硬件元件，硬件元件的面向所述衬底的每一侧被设置有所述至少一个反射表面的第二反射表面。
6.根据权利要求5所述的装置，所述第二反射表面沿向上的方向倾斜，允许粒子沿向上的方向反射离开所述衬底台
7....
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，包括：
3.根据权利要求2所述的装置，所述第一反射表面具有大体上对应于所述衬底的周边的形状。
4.根据权利要求2或3所述的装置，所述第一反射表面是环形的，具有允许粒子从侧向反射离开所述衬底的倾斜表面。
5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，所述至少一个衬底台包括一个或多个硬件元件，硬件元件的面向所述衬底的每一侧被设置有所述至少一个反射表面的第二反射表面。
6.根据权利要求5所述的装置，所述第二反射表面沿向上的方向倾斜，允许粒子沿向上的方向反射离开所述衬底台。
7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，所述至少一个衬底台包括围绕所述衬底的环，所述环被设置有所述至少一个反射表面的、面向所述衬底的所述周边的第三反射表面。
【专利技术属性】
技术研发人员：M·M·M·詹森，T·A·R·范恩佩尔，M·C·莱杰南，S·F·德维瑞斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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