本发明涉及光刻设备，它包括：辐射系统，用以提供投影辐射线束；投影系统，用以把投影线束投影在衬底的目标部分上；运动物体；位移装置，用以使运动物体在第一方向和不同于第一方向的第二方向上相对于投影系统运动；和测量装置，用以测量运动物体在基本上...

液体通过入口提供给投影系统最后元件和基底之间的贮液器。溢流口排出给定水平面上方的液体。该溢流口位于入口之上，这样液体就不断更新且液体压力保持基本恒定。

一种光刻装置，其包括：用于提供辐射投射光束的照明系统；物品支架，其用于在所述物品支架上支撑放置于所述辐射投射光束的光束路径中的扁平物品，该物品支架包括多个支撑突起，所述多个突起限定用于提供支架的平面的支撑区域；以及回填气馈送口，其包括设...

本发明描述一种具有顶层的光学元件，顶层对于波长λ在５－２０ｎｍ范围内的ＥＵＶ辐射来说至少透射，并且对于等于或小于λ／２的空间间隔来说，顶层的结构是具有等于或大于λ／１０的ｒｍｓ粗糙度值的结构。这种结构有助于通过顶层传输到光学元件。

本发明提出了用于提高光刻系统中的ＣＤ均匀性的系统、装置和方法。该系统包括构造为曝光衬底的曝光装置、与该曝光装置和多个处理模块和装置可操作连接的流水线装置。该系统还包括测量装置，所述测量装置被构造成测量被曝光和处理的衬底的属性，并基于预先...

利用一种系统和方法对基底构图。利用可单独控制的元件阵列对从辐射系统接收的投射光束进行构图。利用第一聚焦元件阵列的每个元件将一部分投射光束直接引导至一个可单独控制的元件上，并聚集从那里反射的辐射。利用投影系统将第一聚焦元件阵列的像投射到第...

在根据本发明的一个实施例的测量方法中，确定在基底的一个侧面上的临时对准标记和在基底另一侧面上的对准标记的相对位置，然后去除该临时对准标记。在去除临时对准标记之前，确定该标记和在基底的同一侧面上的另一标记的相对位置。可以在例如氧化物层中形...

本发明提供一种方法和系统，用于方便利用多个单独可控元件以调整在聚焦元件阵列中每一个聚焦元件处接收到的辐射的强度，从而控制基底上的多个区域中的辐射的强度，其中聚焦元件将辐射引导至所述区域。

一种包括多个平行的平面反射表面衍射光学ＭＥＭＳ器件和一个传动器系统的光刻装置。所述传动器系统用来在垂直于所述平面反射器的方向上调节各平面反射器的位置，以改变与所述器件的光相互作用特性（例如相位、强度等）。

一种光刻装置，包括用于提供辐射投影束的照明系统，用于支撑将图案传给投影束的构图结构的支撑结构，用于支持晶片的基板台和用于将构图射束投影到晶片的目标部位的投影系统。为了控制在晶片上的辐射剂量以提高晶片的生产量，提供可变衰减器，以便改变投影...

本发明公开一种湿浸式光刻装置的基底台，包括用于收集液体的隔板。该隔板环绕基底并与基底分隔开。按照这种方式，可以收集从供液系统溢出的任何液体，并降低光刻投影装置的精密部件受污染的危险。

一种光刻装置，包括：用于提供辐射投影光束的辐射系统；用于支撑图案成形装置的第一支撑结构，该图案成形装置用于使投影光束根据所需的图案来形成图案；用于支撑衬底的第二支撑结构；以及投影系统，其用于将已形成图案的光束投影到衬底的目标部分上；至少...

一种光刻设备，包含：照明系统，配置成提供辐射束；支撑物，配置成支持图形化装置，该图形化装置配置成向射束截面传递图形；衬底平台，配置成支撑衬底；投影系统，配置成把图形化的射束投影到衬底的目标部分上；测量系统，配置成产生信息信号，该信息信号...

例如为了在不同基底的曝光之间方便地移动基底，使用致动的封闭板提供基底、基底台或上述两者作为限制液体的光刻装置中的空间边界的一部分，而不会例如破坏限制液体的密封。

一种光刻设备包括投射系统和单独可控单元阵列，投射系统配置成将辐射束以子辐射束阵列的形式投射到衬底上，而单独可控单元阵列配置成调制子辐射束以便在衬底上形成所需剂量图案。在时间上由局部曝光阵列组成所需剂量图案，其中至少相邻的局部曝光是以显著...

一种用于捕集通过光刻装置中的辐射源产生辐射时释放出的至少一部分碎屑颗粒的碎屑捕集系统，包括第一组通道和第二组通道。第一组中每一通道使来自辐射源的辐射能够经由所述通道传播，并且具有用于俘获碎屑颗粒的内壁。第二组通道相对于辐射传播方向处于第...

一种光刻设备包括：用于提供辐射束的照射系统；包括单独可控单元阵列的用于把图案赋予辐射束截面的图案形成装置；支撑衬底的衬底台；以及包括微透镜阵列的用于把辐射束投射到衬底的目标部分的投射系统。设置用于提供补偿微透镜阵列中位置误差的影响的误差...

将一个或多个程控构图装置通过高度调整结构装配到装配板上，所述高度调整结构能使构图装置的有源表面的平面度得到控制。所述高度调整结构可以包括压电制动器或螺杆阵列。或者是，构图装置的背侧被打磨成光学平坦面，并通过晶体粘结而结合到刚性装配体的光...

公开了一种利用电磁照射在单步曝光过程中制造Ｔ门的方法。

公开光刻装置、器件制造方法，在器件制造过程中，投射光束通过掩模投射到基底上。利用基底上的对准结构将基底与掩模对准。利用对准结构反射光的特性来确定基底的相对位置。先前对基底的处理可能引起根据反射光确定的位置中的误差。对反射光特性的测量用于...